반도체 산화 공정 Oxidation

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2019.03.02
최종 저작일
2018.08
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이번에는 그 과정 중에 하나인 Oxidation에 대해 알아보고자 한다. 앞서 설명하듯이 산화 과정 은 반도체 공정에 있어서 필수 공정 중에 하나이며, 또한 중요한 과정이다. 이제 이 산화과정을 알 아보도록 하자.
그 전에, 먼저 Sio2를 간략히 알아두면 좋을 것 같다. 이후에 나오는 내용은 이 SiO2의 성질을 이용 한 것이기 때문이다. SiO2는 이산화 규소라고도 부르며, 하나의 실리콘 이온이 4개의 산소 원소와 결합하여 정사면체 구조로 결정이 형성된다. 녹는 점은 약 1,700도로 매우 높으며, 밴드 갭 에너지 는 8~9eV이다. 다이아몬드가 약 6인데, 그에 비하면 정말 큰 절연특성을 가지고 있음을 알 수 있 다. 또한, SiO2는 물리적, 화학적으로도 안정한 성질을 갖고 있다.

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