Doping물질의 변화에 따른 I-V 특성 관찰 프로젝트

소개

반도체 공학에서 implant에서 물질(species) 변화를 통해서 반도체 내에서 변화하는 것에 대해서 측정하였고 분석하였습니다

목차

1. 개 요
2. 설 계 배 경
3. 설 계 목 적 및 주 제
4. 설 계 조 건
5. 예 상 결 과
6. 결과 그래프

본문내용

1) 개요
TCAD를 이용하여 가상의 반도체 공정과정을 살펴본다.
Example의 과정을 기준으로 설정.
Doping시 각각 1차 도핑과 2차 도핑의 물질에 변화를 주어
의 물질 변화에 따른 I-V 커브의 변화를 살펴본다.
예상 결과를 유추하여 실제 시뮬레이션 결과와 비교 분석 한
다.

FETField-Effect-Transistor의 약자로서 전계 효과 트랜지스터를 말한다.전계효과 트랜지스터는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전계에 의하여 캐리어가 흐르는 관문(GATE)이 생기게 하는 원리로 Source, Drain의 전류를 제어하는 트랜지스터이다.
2) 설계배경
MOSMetal-Oxide-Semiconductor의 약자로 금속 산화물 반도체를 말한다.자유전자나 정공에 의해 전하가 운반되며, 자유전자에 의해 전하가 운반되는 것을nMOS(Negative MOS), 정공에 의해 전하가 운반되는 것을 pMOS(Positice MOS)라고 한다.

<중 략>

4) 설계조건
GATE 형성
Source 와 Drain의 N-type 도핑물질인
P, As, Sb?를 각각 1차 도핑 과 2차 도핑 에 주입
하면서 총 9가지 경우의 ?I-V커브의 변화를 관찰
한다.?

1차 도핑
4) 설계조건
2차 도핑

5) 예상결과
Doping물질의 변화에 따라 각각 물질의 전자 친
화도가 다르기 때문에 생성된 자유전자의 양이
달라지므로 전자가 흐르는 통로가 차이가 생겨
문턱전압의 변화가 예상된다.
이러한 통로의 변화로 인해 전류가 흐르는 속도의 변
화가 예상 되므로 I-V 커브의 변화가 예상된다.

참고자료

· 없음