TCAD를 이용한 BICMOS 설계 및 특성 파악

최초 등록일
2012.11.09
최종 저작일
2012.06
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TCAD를 이용하여 BiCMOS를 설계하고 특성 조사한 자료입니다.
BJT, PMOS, NMOS별로 각각의 Doping Profile과 Characteristic을 파악하고
Input과 Output의 V-I Curve를 봄으로서, 동작 특성도 파악하여 첨부되어있습니다.

목차

- 요약문
- NMOS, PMOS, BJT 동작 원리및 동작 특성
- TCAD 코드 및 단계별 구조 Plot
- PMOS, NMOS, BJT 각 구조별 Doping Profile 및 동작특성
- BiCMOS 입출력 특성

본문내용

go athena
#Mesh
line x loc=0 spac=0.5
line x loc=22 spac=0.5
line y loc=0 spac=0.1
line y loc=5 spac=0.5

#P-substrate
init silicon c.boron=2e18 two
.
.
.
electrode name=source x=2.1
electrode name=gate x=3.5
electrode name=out x=7.3
electrode name=gate x=10.5
electrode name=drain x=11.7
electrode name=base x=16.2
electrode name=emitter x=18
electrode name=collector x=21.1
electrode name=sub backside

struc outfile = bicmos.str
tonyplot

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