BJT의 전압 전류 특성

최초 등록일
2002.11.26
최종 저작일
2002.11
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목차

○실험목적 :
○실험내용 :
1. 트랜지스터의 기초와 구조(CB 순방향전류이득)
2. CE 순방향전류이득
3. 회로의 시뮬레이션
4. 참고서적

본문내용

○실험내용 :
1. 트랜지스터의 기초와 구조(CB 순방향전류이득)
쌍극성 접합트랜지스터(bipolar junction transistor;BJT)는 1948년에 개발되어 오늘날까지 계속해서 전자혁명을 일으켜 왔다. 최초의 트랜지스터의 동작은 그 이전에 사용되었던 진공관보다 못하였지만 크기가 작고, 전력소모가 작기 때문에 진공관과 교체될 수 있게 된 열쇠가 되었으며, 트랜지스터의 기능면에서의 개선과 가격인하로 인하여 1960년대에 이르러 대부분의 진공관과 교체되기에 이르렀다.
트랜지스터는 두 개의 반도체접합부를 서로 아주 근접하도록 형성시켜서 만든다. PNP트랜지스터는 그림 1에서와 같이 두 개의 p형 물질과 그 사이의 n형 물질로서 구성되어 있다. p형 물질의 한 영역을 콜렉터(collector), 그리고 또 다른 p영역은 에미터(emiter), 중앙에 있는 n형 영역은 베이스(base)라고 부른다.

참고 자료

◈ 기초전기전자공학실험(사단법인 대한전자공학회  ) - (주)교학사
◈ 新회로이론(한국과학 기술원 교수 박송배<朴松培> ) - 문운당
◈ Pspice 기초와 활용(최평,목형수 외 3명 共著) - 복두출판사
◈ 전기공학개론(이홍균<李弘均>) - 광문각

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