전기전자공학기초실험-쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성

소개글

"전기전자공학기초실험-쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성"에 대한 내용입니다.

목차

Ⅰ. 전기전자기초실험 예비보고서
1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험순서
4. 예비 실험값 및 피스파이스

Ⅱ. 전기전자기초실험 결과보고서
1. 결과
2. 결과 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
DMM을 사용하여 트랜지스터의 종류와 단자를 구분하는 방법과, 트랜지스터의 출력 특성과 관련 있는 값을 측정한다.

2. 실험 이론

pn 접합 다이오드는 +와 -의 전하가 교류하는 즉, 양방향의 통행을 정류(교류를 직류로, 한 방향으로만 흐르게)하게 하는 장치이다. ​따라서 직류 전류에서는 전류는 p에서 n으로만 흐르고 전자는 그 반대방향으로만 흐르게 된다.

바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)는 반도체의 pn 접합을 이용하여 만든 트랜지스터의 일종. 접합형 트랜지스터라고도 한다. pnp와 npn이라는 2가지 접합 구조가 있고 각각의 접합 구조에서는 전류가 흐르는 방향이 반대로 된다. 3단자 구조에서 각각의 명칭은 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)이고, 전류 증폭 및 스위칭 등의 역할로 사용된다. 바이폴라 트랜지스터라는 이름의 유래는, 동작에 관련된 캐리어가 전자와 정공 2종류가 있으므로 bi(2를 의미)라는 명칭이 사용되고 있다. 최초에 발명된 트랜지스터가 바이폴라 트랜지스터이기 때문에 현재에도 단순히 트랜지스터라고 하면 바이폴라 트랜지스터를 지칭하는 것이 많다.

3개의 단자는 각각 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)라고 한다. pnp 구조와 npn 구조 모두 중앙의 단자는 베이스이다. 이미터, 베이스, 컬렉터 단자는 진공관의 캐소드, 그리드, 플레이트 단자에, 전기장 효과 트랜지스터(FET)의 소스, 게이트, 드레인에 각각 대응된다. npn 트랜지스터는 n형, p형, n형 순으로 반도체를 적층시킨 것이고 pnp 트랜지스터는 p형, n형, p형 순으로 반도체를 적층시킨 것입니다. 모두 표기는 대칭형이지만 실제 트랜지스터에서는 이미터 측 반도체의 불순물 농도를 높게 하지 않으면 정상적으로 동작시킬 수 없다.

3. 실험순서
(1) 트랜지스터의 종류와 단자결정

(2) BJT의 공통 Emitter(CE) 입출력 특성

(3) α 와 β의 변환

(4) 오실로스코프를 이용한 트랜지스터 출력특성 곡성

(5) BJT의 공통 base(CB) 입출력 실험

참고 자료

없음