5장 컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 실험

목차

1. 실험 개요

2. 실험원리
1) 컬렉터 특성곡선
2) 트랜지스터 스위치

3. 실험기기 및 부품

4. 실험결과
1) 컬렉터 특성곡선
2) 트랜지스터 스위치

5. 토의

본문내용

1. 실험 개요
트랜지스터에서 Ib를 매개변수로 하여 IC 및 VCE와의 상관관계를 실험적으로 특정하여 컬렉터 특성곡선군을 결정하고, 트랜지스터의 스위칭 작용에 대하여 이해한다.

2. 실험원리
1) 컬렉터 특성곡선
컬렉터 특성곡선은 아래 회로에서 베이스전류 IB를 매개변수로 하여 컬렉터전류 IC와 컬렉터-에미터 양단전압 VCE와의 상관관계를 정량적으로 나타낸 것으로 트랜지스터의 동작영역을 구분하는데 이용된다.

IC와 VCE의 관계를 그래프로 나타낸면 다음과 같은 그래프가 얻어진다.

<중 략>

-동작구간 A-B
동작점 A에서 Vbb를 고정하고 Vcc를 0.7V까지 증가시키면 컬렉터 전류도 비례하여 증가한다. 단, Vc는 0.7V보다 작으므로 Jbc는 여전히 순방향 바이어스이다. 이 구간에서는 Jbc와 Jbe가 각각 순방향 바이어스 되기 때문에 Vcc에 따라 컬렉터 전류도 증가한다. 이것을 트렌지스터가 포화영역에서 동작한다고 정의한다.
-동작구간 B-C
Vcc를 계속 증가시켜 0.7V보다 커지게 되면 베이스 단자 전압은 0.7V를 유지하므로 Jbc는 역방향 바이어스 된다. 따라서 Vcc가 계속 증가해도 컬렉터 전류는 증가하지 못하고 일정한 값을 유지한다. 이 구간을 활성영역이라고 한다.
-동작점 C이후
Vcc가 계속 증가하여 Jbc가 과도하게 역방향으로 바이어스 되면 항복현상이 일어나 트랜지스터 소자를 파괴한다. 이것을 항복영역이라고 하는데, 소자가 파괴되기 때문에 이 영역에 들지 않는 범위에서 트렌지스터를 동작해야 한다.

참고 자료

없음