전자회로실험 10 MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하 결과보고서

소개

엄청난 시간을 투자하여 작성한 보고서입니다.
당연히 A+ 받았고 보고서점수 최고점을 받았습니다.
예비실험 시뮬레이션은 물론이고 실험순서 까지도
시뮬레이션 작성하였습니다. 실험사진도 다 있고
각각의 시뮬레이션 마다 설명을 자세히 적었음은 물론
비고 및 고찰도 아주 상세하게 작성한 만큼
믿고 받으셔도 됩니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 결과 및 분석
3. 보고서 작성

본문내용

1. 실험 목적
- 본 실험의 목적은 저항을 부하로 사용한 공통 소오스 증폭기의 소신호와 대신호 입력에 대한
증폭기의 출력 특성을 측정하는 것을 목표로 한다.
- 본 실험을 통해 다음을 습득하게 된다.
MOSFET의 3가지 동작 영역과 입-출력 특성
소신호에 대한 선형 증폭기의 동작 특성
소신호 이득
적절한 동작 전압 선택의 중요성

2. 실험 결과 및 분석
1) 회로의 구성은 <그림 10.8>과 같다.

<시뮬레이션 회로도>
<실제 회로도 사진>

- 대신호 증폭 -
2) 주파수 발생기의 주파수가 1kHz이며 off-set 전압을 조정하여 크기 0-5V의 삼각파가 발생하도록 조정하여 입력 전압 으로 회로에 연결한다. 주파수 발생기는 그로부터 나오는 출력전압이 주파수 발생기에 실제 전압과 동일하게 표시되도록 “High-Z" 모드로 동작시킨다.

그림 10.8의 회로도를 구성 한 후, 1kHz주파수를 인가하고, off-set 전압을 조정하여 크기 0-5V의 삼각파를 입력 한 모습입니다. 을 입력 전압으로 회로에 연결한 뒤, High-Z 형태로 지정 하였습니다.


3) 입력은 Ch1에 출력은 Ch2에 연결하고 오실로스코프를 조절하여 채널(Ch)1의 한 눈금 당 1V가 되도록 (1V/div) 하고 Ch2도 마찬가지로 설정한다. Display 메뉴에서 “X-Y display"를 선택하면 Ch1은 X-축을, Ch2는 Y-축을 표시하게 된다. X-Y 플롯(plot)의 원점은 X-축(Ch1)과 Y-축(Ch2)을 각각 접지한 후 각 축에 대한 수직 다이얼을 돌려서 화면의 좌측 아래쪽이 되도록 조절한다.
4) Ch1과 Ch2는 “DC coupling"으로 선택하면 <그림 10.4>와 같이 입-출력 plot을 얻게 된다. 이 그림을 저장하거나 그림의 형태를 실험노트에 그린다.
5) 이미 실험9를 통해 알고 있는 MOSFET의 문턱전압 값을 사용하여, <그림 10.4>의 차단-포화 경계와 포화-트라이오드 경계점들을 오실로스코프의 화면상에서 찾으라. 이 점들이 선형 증폭기로 동작하는 한계들이 될 것이다.
6) 다시 오실로스코프의 창에서 “YT"모드를 선택하여 입력전압 과 출력전압 이 한 스크린에 나타나도록 한다. 출력의 형태는 입력 파형인 삼각파의 닮은꼴인지 여부를 확인하라. 아마도 매우 입력에 대해 뒤틀린 형태의 출력 파형을 나타낼 것이 예측된다. 입력과 출력의 파형을 기록 또는 저장하라.

참고자료

· 없음