sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정

소개

si wafer에 알루미늄을을 Sputtering 하고 I-V, C-V 측적을 통해 wafer와 금속간의 전기적 특성을 확인해 본다.

목차

없음

본문내용

2) Glow discharge
기체의 압력이 100～103 Pa 정도의 진공내의 두 개의 전극간에 고전압을 걸어주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상이다. glow discharge 중의 기체입자의 이온은 10-5～10-3정도의 분율로 존재한다. 또한 전자와 기체분자와의 비탄성 충돌에 의해 여기상태에 있는 중성 원자도 존재한다. 전자의 질량은 이온의 질량보다 훨씬 작기 때문에, 플라즈마 중에서의 전자의 이동도는 이온의 이동도보다 크다. 따라서, 플라즈마에 밖에서 자장이 가해지면 전자만이 가속되고 이온은 그 만큼 가속되지 않는다.

3) 타겟 표면위에서의 상호장용
가속된 양이온이 고체표면에 충돌하면 중성원자 배출, 후방산란, X선 방출, 광자 발생, 이차 전자 방출, 그리고 target 표면에서 기체원자의 탈착 등이 발생하며, target에서는 비정질화, 이온침투, 화합물 형성, cascade 발생, 국부적 가열, 점결함이 생성된다.
플라즈마를 유지하는데 가장 중요한 역할을 하는 것은 이차 전자이다. 플라즈마 내에서 이차 전자는 추가적인 이온화를 일으키고 플라즈마의 광학적 발산의 color, intensity는 target 재료, gas의 종, 압력, excitation 등의 특징으로, discharge 내의 구성요소들의 존재는 특성 스펙트럼 파장의 조사로 알 수 있다.

4) Target consideration
․가속된 이온이 가지고 있는 에너지와 운동량의 전이, 충돌로 인한 가열, 가열에 의한 어닐링, 이온이나 원자의 확산에 의해 sputtering 반응이 지배받는다. 이러한 지배요소가 target의 실제적인 사용을 제한하기도 한다.

참고자료

· 없음