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[전기전자] 트랜지스터 특성 실험

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최초등록일 2002.11.04 최종저작일 2002.11
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[전기전자] 트랜지스터 특성 실험
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    목차

    1. 트랜지스터 데이터
    2. 트랜지스터와 그 응용의 간단한 설명
    3. 외형적인 데이터
    4. 최대 정격
    5. 특성과 여러 기술적인 데이터
    6. 트랜지스터 특성 곡선
    7. 커브 트레이서
    8. 독립된 두 개의 전원 장치

    hspice 포함

    본문내용

    1. 트랜지스터 데이터
    트랜지스터 데이터는 각각의 응용에 대한 요구 조건들에 따라 여러 가지 형태로 된다. 이러한 데이터는 표와 그래프 형태로 제공되며, 이것을 이해하는 것이 중요하다. 데이터는 트랜지스터 제조 회사가 제공하는 트랜지스터의 규격서나 시중에서 발간된 트랜지스터 참고서적에서 찾아 볼 수 있다. 데이터는 트랜지스터와 사용 목적에 따라 달라진다.

    2. 트랜지스터와 그 응용의 간단한 설명
    예를 들어 삼성 반도체의 규격서에 의하면 KSC900은 일반적인 용도와 저전압, 저 전류의 오디오와 비디오 증폭기에 쓰이는 소신호 NPN 에피택셜(epitaxial) 실리콘 트랜지스터이다.
    3. 외형적인 데이터
    그림 25-1은 KSC900 트랜지스터의 외형(TO-92)과 이미터(1) 베이스(2), 컬렉터(3)의 위치를 나타 낸다.

    참고자료

    · 기초 전기전자 실험
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