트랜지스터 레포트

소개글

트랜지스터에 대한 기본 설명과 실험내용 (실제 A+ 받은 레포트입니다)

목차

Ⅰ. 서론
1. 트랜지스터(TR)의 기본 구조
2. 트랜지스터의 기본 동작원리
(1) NPN 동작원리
(2) PNP 동작원리
3. 트랜지스터의 종류
(1) 합금형 트랜지스터 (Alloy Type Transistor)
(2) 확산형 트랜지스터 (Diffusion Transistor)
4. 전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor)
(1) JFET (Junction Field Effect Transistor)
(2) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
(3) FET 특성곡선

Ⅱ. 본론
1. 실험 내용 및 목적
2. 실험 순서

Ⅲ. 결론
1. 실험 결과
2. 고찰 및 검토

본문내용

서론
1. 트랜지스터(TR)의 기본 구조
트랜지스터란 규소나 저마늄(게르마늄)으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소이며 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다. 트랜지스터의 동작원리를 보다 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위해서 반송자(전자와 정공)의 이동방향을 중심으로 설명한다. 전자의 이동방향은 관습상 약속한 전류의 방향과는 정반대이다.

< PNP-트랜지스터 > < NPN-트랜지스터 >

트랜지스터는 3층-반도체이므로 PNP-TR 또는 NPN-TR이 된다. 그리고 각 층 간에는 PN접합이 형성된다. 또 TR 1개와 다이오드 2개를 역으로 접속한 회로와의 비교가능성을 제시하고 있다. 그러나 다이오드 2개를 역으로 접속해도 TR 1개의 기능을 하지 못한다. 이유는 다이오드에서는 ‘트랜지스터 효과’가 발생되지 않기 때문이다.
트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된다. 이미터(emitter: E)는 전기 반송자를 방출하고, 컬렉터(collector: C)는 전기 반송자를 다시 끌어 모은다. 마지막으로 베이스(base: B)는 중간층으로서 방출전류를 제어한다. 이때 베이스층은 이미터층이나 컬렉터층에 비해 대단히 얇다.

2. 트랜지스터의 기본 동작원리
(1) NPN - 트랜지스터의 동작원리
이미터(E)층에는 불순물을 많이 도핑하고, 컬렉터(C) 층은 적게 도핑한다. 그리고 베이스(B)층은 두께를 얇게 하고, 또 컬렉터(C)층보다 더 적게 도핑한다.

<중 략>

2. 고찰 및 검토
이번 실험은 만들어진 트랜지스터에 분석기의 침판을 소스(S)와 드레인(D), 게이트(G)에 각각 연결하고, Origin프로그램을 이용해서 I-V curve와 각종 파라미터들을 추출함과 동시에 MOSFET의 특성과 물리적인 특징을 분석하고 이해하는 것에 목적을 가지고 실험을 진행하였다. 사용하게 된 트랜지스터는 NMOSFET으로 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 반도체 부분이 N형인 반도체로 재료에 따라서 NMOSFET이라고 분류한다.

참고 자료

없음