MOSFET 특성실험

소개

절연게이트 FET(Insulated Field Effect Transistor)의 특성 고찰

목차

없음

본문내용

1. 실험제목 : 절연게이트 FET의 특성 실험
2. 실험목표
절연게이트 FET(Insulated Field Effect Transistor)의 동작원리를 배운다.
3. 이론적 배경
1. MOSFET란
MOSFET는 흔히 MOS라고 약하여 부르며 반도체 기억소자로 집적도를 높일수
있는 특징이 있어 대규모 집적회로에 많이 쓰인다.
MOSFET도 역시 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각
구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.
< 증가형 n-채널> <공핍형 n-채널>
증가형은 게이트전압이 0일때에는 드레인 전류가 흐르지 않으며 게이트 전압의
증가에 따라 출력전류가 증가한다.
공핍형은 게이트전압이 0일때에도 드레인 전류가 흐르며 게이트 전압이
역 바이어스로 증가하면서 감소하는 특징이 있다.
2. MOSFET의 동작원리
소스와 드레인 사이의 게이트 전압에
의해 조절한다.
P형기판인 실리콘에는 전류의
자유전자의 수가 매우 적으므로 소스와
드레인 사이의 높은 전압을 가해도
기판의 저항이 너무 크기때문에 전류가
흐를수 없다.

참고자료

· 없음