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13장 MOSFET의 특성 실험

*용*
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최초 등록일
2020.12.19
최종 저작일
2020.09
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목차

1. 실험개요
2. 이론요약
3. 실험재료
4. 실험 순서
5. 실험 개요
6. 실험 데이터
7. 결과분석 및 결론

본문내용

◎실험개요
- MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.

◎이론요약
- MOSFET의 구조와 특성
금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; MOSFET)는 게이트가 산화 실리콘층에 의해 채널과 격리된 점이 JFET과 다르며 게이트가 격리되어 있으므로 이들 소자를 종종 IGFET라고 부르며 공핍형과 증가형의 두 종류가 있다.
(1) 공핍형 MOSFET(D-MOSFET)
그림 13-1에서와 같이 드레인과 소스는 기판재료에 확산시켜 만들고 절연 게이트 옆으로 좁은 채널리 물리적으로 구성되어 있다.
공핍형 MOSFET은 2가지 모드(공핍모드 및 증가모드) 중 어느 하나로 동작될 수 있고, 게이트는 채널과 격리되어 양(+)의 게이트 전압이나 음(-)의 게이트 전압을 모두 인가할 수 있다.
① 공핍모드(Depletion Mode)
음의 게이트-소스 전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 공핍모드로 동작된다. 게이트에 음의 전압을 가하면 게이트의 음전하는 채널 밖으로 더 많은 전도전자를 밀어내어 채널의 전도도가 감소하게 된다.

참고 자료

없음
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