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MOSFET 특성 실험결과레포트

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최초 등록일
2020.04.15
최종 저작일
2017.10
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목차

1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험결과
4. 실험고찰

본문내용

1. 실험목적
Common Source의 MOSFET 회로에 Gate전압과 Drain전압의 특정한 조건을 주었을 때의 출력을 관찰함으로서 MOSFET 증폭기의 바이어스 기법을 고찰한다.

2. 실험이론
⑴ 실험에 사용할 증가형 MOSFET(이하 MOS)은 기본적으로 전계효과를 이용한 트랜지스터(FET, Field Effect Transistor)의 한 종류이다. 구조적으로 Gate단자(금속)와 FET(반도체) 사이에 SiO₂(산화물)이 존재하기 때문에 MOS(Metal Oxide Semiconductor)라는 접두어가 붙는다. 또한 증가형(enhancement)은 D(Drain)과 S(Source)가 물리적으로 분리되어 있기 때문에 G(Gate)와 B(substrate) 사이의 Capacitor작용으로 채널이 형성되어야만 전류가 흐를 수 있다. 실험에 사용한 소자 FB33N15D는 S와 B가 내부 연결되어 있는 구조로서 G, D, S 세 개의 단자를 사용한다.

참고 자료

신인철 외 3인, 「대학전자회로 실험」, 파주 : 청문각, 2011.
Sedra, Smith , 「Microelectronic Circuits」, 파주 : 한티미디어, 2016
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