PNP, NPN 트랜지스터 동작원리와 각 소자의 기능

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2011.06.16
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2011.05
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전공에 많은 도움이 되셨으면 합니다.

목차

1. n형 반도체
2. p형 반도체
3. pn접합 다이오드
4. 트랜지스터(transistor)
5. 트랜지스터의 종류
6. 바이 폴라 접합 트랜지스터(BJT)를 이루고 있는 각 전극별 이름과 기능
7. 기본적인 트랜지스터의 동작
8. BJT의 원리 - NPN 트랜지스터

본문내용

* n형 반도체

- 전도 대역의 전자수를 늘리기 위해 5가의 불순물 원자를 첨가한다. 불순물 원자가 4개의 인접 실리콘 원자와 공유결합을 형성하고 있는 것을 나타낸 것이다. 안티몬 원자의 가전자들 중 4개의 가전자는 실리콘 원자와 공유결합을 이루고, 결과적으로 한 개의 잉여전자가 남는다. 이 잉여전자는 어떤 원자에도 구속되지 않기 때문에 전도전자가 된다. 이와 같이 5가 원자가 한 개의 원자를 제공하기 때문이 이 5가 원자를 흔히 도너 원자(donor atom)라고 부른다. 전도전자의 수는 실리콘에 첨가하는 불순물 원자의 수에 따라 조절할 수 있다. 전자들을 다수 반송자, 정공들을 소수 반송자라고 부른다.

* p형 반도체

- 정공수를 늘리기 위해 3가의 불순물 원자를 첨가한다. 각각의 3가 원자는 4개의 인접 실리콘 원자와 공유결합을 이루며, 붕소 원자의 3개의 가전자 모두가 공유결합에 참여한다. 인접한 4개의 실리콘과 붕소가 공유결합을 위해서는 4개의 가전자가 필요하기 때문에 3가의 불순물을 첨가하면 결과적으로 정공이 한 개 발생한다. 3가 원자는 전자 한 개를 끌어당겨 비어 있는 정공 한 자리를 채우려 하기 때문에 억셉터 원자(acceptor atom)라고도 부른다. 정공의 수는 실리콘에 첨가되는 3가 불순물 원자수에 의해 조절 가능하다. 이러한 도핑 과정에 의해 만들어지는 정공은 전도전자와 무관하게 발생한다.

<중 략>

* pn 접합 다이오드

- N형 반도체와 P형 반도체를 절반씩 도핑시켰다면 두 영역 사이에는 pn접합이 형성된다. p영역은 불순물 원자로부터 생성된 많은 정공(다수 반송자)과 오직 열적으로 생성된 적은 수의 자유전자(소수 반송자)를 갖게 되고,

참고 자료

없음

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