[전자공학] 트랜지스터에 대해서

최초 등록일
2002.05.12
최종 저작일
2002.05
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목차

1. NPN형 트랜지스터의 기본 동작
2. PNP형 트랜지스터의 기본 동작
3. CMOS

본문내용

1. NPN형 트랜지스터의 기본 동작
PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터를 작동시키기 위해서는 먼저 PN 접합의 이미터와 베이스 사이에 순방향의 직류 전압을 가하여 베이스와 컬렉터 사이에는 역방향의 직류 전압을 가해야 한다. 이와 같이 트랜지스터에 직류 전압을 가하는 것을 바이어스전압(바이어스)을 가한다고 한다.
NPN형 트랜지스터의 기본적인 동작은 PNP형과 다르지 않다. 다만 다른 점은 전원의 극성을 반대로 접속하지 않으면 안된다. 따라서 PNP형에서는 캐리어가 정공이었으나 NPN형에서는 캐리어가 전자이다.
그림에서 컬렉터와 베이스 사이에 역방향 전압 VCB를 가하면 이것은 역방향의 전압이므로 PN접합면은 전위장벽이 높아 전류는 거의 흐르지 않는다.
다음의 그림과 같이 이미터와 베이스에 순방향 전압 VBE를 가하면 전위 장벽은 낮아지고, 이미터의 N형쪽에서는 불순물의 농도를 높였기 때문에 전자가 많이 발생한다.
베이스의 P형쪽은 매우 얇기 때문에 불순물의 농도를 낮게 했으므로 정공은 적다. 그림5와 같이 이미터 안의 전자는 전위 장벽을 뛰어 넘어 확산에 의해 베이스쪽으로 들어가 그 일부분의 베이스 정공과 결합하여 소멸한다.

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