직렬 및 병렬 다이오드 구조

소개

전자회로실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조 - 결과레포트

목차

1. 문턱전압
2. 직렬구조
3. 병렬구조
4. 양논리 AND 게이트

본문내용

1. 문턱 전압
Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라. 이 실험에서 얻어진 점화 전위는 그림 3-2에서 보여준 각 다이오드의 등가적 특성을 나타낸다. 두 다이오드에서 얻어진 값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si에 대해서 , Ge에 대해서 로 가정하라.
=> 커브트레이서를 이용할 수 없으므로 Si은 , Ge은 로 가정
2. 직렬 구조
a. 그림 3-3의 회로를 구성하라. 저항 R 값을 측정하여 기록하라.
b. 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압과 R의 측정값을 이용하여 와 의 이론적인 값을 계산하라. 에 대한 의 값을 기입하라.
= 0.7V_ _ ______
(계산값) = 4.3V____ ____
(측정값) = 1.954mA________
c. DMM으로 전압 와 를 측정하고, 측정값으로부터 전류 를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.
(측정값) = 0.636V_ _ _____
(측정값) = 4.363V___ ____
(측정값으로부터)= = 1.99mA___ _____
=> 2(b)의 결과와 거의 일치한다.
d. 그림 3-4의 회로를 구성하라. 각 저항에 대한 측정치를 기록하라.
e. 순서 1에서 측정한 와 그리고 측정값 ,를 이용하여 와 의 이론적인 값을 계산하라. 에 대해서는 값을 기입하라.
= 0.7V_ _ ______
(계산값) = 4.3V____ ____
(계산값) = 1.343mA________
f. DMM으로 전압와 를 측정하고, 측정값으로부터 전류 를 계산하라. 순서 2(e)의 결과와 비교하라.
(측정값) = 0.617V_ _ _____
(측정값) = 4.383V___ ____
(측정값으로부터)= = 4.445mA___ ____
=> 2(e)의 결과와 차이가 좀 나지만. 이론적으로는 일치해야한다.
g. 그림 3-4에서 Si 다이오드를 반대로 연결하고 , , 의 이론적인 값을 계산하라.
= 5V_ _ _____
(계산값) = 0V___ ____
(계산값) = _0A__ _ ___
h. 순서 2(g)의 상태에서의 , 를 측정하고, 측정값으로부터 전류 를 계산하라. 2(g)의 결과와 비교하라.

참고자료

· Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky
· 이적식, 예윤해, 변진규 옮김 ITC