전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조
- 최초 등록일
- 2023.02.09
- 최종 저작일
- 2020.04
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소개글
"전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조"에 대한 내용입니다.
목차
1. 이론개요
2. 다이오드 & 문턱 전압의 기본 개념
3. 직렬과 병렬 구조
4. AND 게이트와 OR 게이트
5. 브릿지 구성
본문내용
제목 : 직렬 및 병렬 다이오드 구조(diode configurations)
목적 :
1. 직렬 또는 다이오드 구조 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다.
2. PSpice를 이용하여 다이오드를 포함한 회로의 바이어스 점 해석을 수행한다.
실험 소요 장비 : 계측기 - DMM, 부품 : 저항 - 1kΩ, 2.2kΩ, 다이오드 - Si(실리콘), Ge(게르마늄), 전원 - 직류전원
1. 이론개요
- 다이오드와 직류 입력으로 구성된 회로의 해석은 다이오드 상태를 먼저 파악해야 한다. Si 다이오드(천이 전압 즉 점화 전위가 0.7V)에 대해서 다이오드가 on 상태가 되려면 다이오드 양단 전압은 그림 3-1(a)에 표시된 극성으로 적어도 0.7V 가 되어야 한다. 다이오드 양단 전압이 일단 0.7V에 도달하면, 다이오드는 on이 되고 그림 3-1(b)와 같은 전기적인 등가회로를 갖는다. VD < 0.7V 또는 그림3.1a와 극성이 반대이면 다이오드를 개방회로로 고려할 수 있다. Ge 다이오드 경우, 천이 전압은 0.3V이다.
참고 자료
개요
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=710hsy&logNo=220252122212
직렬과 병렬 관련
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=tobbyzzang&logNo=221561017232&parentCategoryNo=15&categoryNo=&viewDate=&isShowPopularPosts=true&from=search
and와 or 게이트
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=leeyunghuk1&logNo=220962411657&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.com%2F
브릿지 구성
https://blog.naver.com/yousk16/40107488622