직렬 및 병렬, 다이오드 회로, 실험3 예비레포트
- 최초 등록일
- 2011.04.10
- 최종 저작일
- 2010.05
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소개글
전기 전자 실습 레포트 입니다. 전체적으로 교수님들이 좋아하실 스타일로 문서를 통일성 있게 정리하였습니다. 또한 이파일 외 다양한 실험 파일을 함께 첩부하였으니 필요하시면 제 아이디를 검색하셔서 받으시면 되겠습니다. 기타 문의 사항은 쪽지를 주세요 ^^
목차
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본문내용
이론개요
다이오드는 가장 간단하고 기본적인 비선형 소자로서 유체를 한 방향으로만 흐르게 하는 밸브와 같이 전류를 한 방향으로만 흐르게 한다. 다이오드는 <그림 1> 와 같이 표현되며, 그 자체의 전압강하가 없다고 가정할 때(이상적인 다이오드) 전류-전압 특성은 <그림 2>와 같다. 즉 점 A의 전압이 점 B의 전압보다 높을 때( : 순방향 바이어스) 이상적인 다이오드는 단락회로처럼 동작하며, 이와 반대의 경우( : 역방향 바이어스)에는 개방회로처럼 동작한다.
< 그림 1 >
<그림 2> 다이오드의 이상적인 전류-전압 특성
하지만 실질적으로는 <그림 2>와 같이 동작할 수 없으며 다이오드 양단에 순방향 바이어스가 걸렸을 경우에 다이오드 자체에서 전압강하가 발생된다. 이 전압강하의 양은 다이오드 종류에 따라 다르나 흔히 쓰이는 실리콘 다이오드의 경우는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드의 경우는 약 0.3V 정도이다. <그림 3> 실질적으로 사용되는 다이오드의 전압-전류 특성을 나타낸다. 예를 들어 실리콘 다이오드의 경우 순방향 바이어스가 가해졌을 때 그 전압이 0.7V보다 크게 되면 다이오드가 도통이 되며, 그 때 다이오드 양단의 전압강하가 0.7V 정도 된다는 것이다.
<그림 3> 실리콘다이오드와 게르마늄 다이오드의 전류-전압 특성
문턱전압
- P형 반도체는 (+) 즉, 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 즉, 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태라는 말과 같다.
참고 자료
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