접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성곡선

소개

실험 목적
1. 드레인 전류 Ip에 대한 드레인 소스 전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다.
2. J-FET의 드레인 특성곡선을 그린다.
3. VDS의 임의의 값에 대한 Ip-VGS에 대한 J-FET전달 틍성곡선을 그린다..

목차

실험 목적
FET의 장점
FET의 단점
1. JFET동작과 구조
2. JFET의 게이트-소스 전압의 변동
3. JFET 전달 특성
4. 접합 전계-효과 트랜지스터(JFET)

실험 예상 결과

본문내용

FET의 장점
1. FET는 높은 입력 임피던스를 갖는 전압에 민감한 소자이다. BJTDP 비하여 현저히 높은 입력 임피던스 때문에 다단 증폭기의 입력단으로는 FET가 BJT보다 선호되고 있다.
2. 여러 종류 중 한 가지인 JFET는 BJT보다 발생잡음이 적다.
3. FET는 BJT보다 온도에 대하여 안정하다.
4. FET는 일반적으로 BJT보다 제작이 간편하다. 즉 단일 칩상에 보다 많은 소자를 구성할 수 있다. 즉 집적도를 높일 수 있다.
5. 드레인-소스 사이의 전압이 적은 전압구간에서는 전압제어 가변저항처럼 동작한다.
6. 높은 입력 임치던스는 전하를 오랫동안 저장할 수 있어 저장소자로 사용할 수도 있다.
7. 전력용 FET는 높은 전력을 견디어내며 대전류를 스위치할 수 있다.
8. JFET는 방사능에 BJT보다 덜 민감하다.

FET의 단점
1. FET는 높은 입력 커패시턴스 때문에 나쁜 주파수 특성을 갖는다.
2. 일부 종류의 FET는 나쁜 선형성을 갖는다.
3. 정전기에 의해 쉽게 손상을 입을 수 있다.

1. JFET동작과 구조

BJT와 마찬가지로 FET 역시 3단자 소자이다. BJT가 2개의 pn접합을 가지고 있는 것과 달리, 이것은 기본적으로 게이트와 드레인-소스 채널 사이게 하나의 pn접합을 가지고 있다.
그림 1-1에 접합형 FET의 물리적 구조를 나타내었다.
그림 1-1(a)의 n 채널 JFET는 n 타입 부분의 스트립과, 그 스트립 양옆으로 확산된 2부분의 p 타입 부분으로 구성되며, p 채널 JFET는 그와 반대로 p 타입 부분의 스트립과 양쪽의 n 타입 부분으로 구성된다.

참고자료

· 없음