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소개

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목차

A:이온 주입 ( Ion Implantation )
D:알류미늄 양극산화(anodizing of Al)
E:침탄법(low temperature caburizing)
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E:침탄법(low temperature caburizing)

본문내용

A:이온 주입 ( Ion Implantation )
이온주입은 선택된 원소를 고진공 중에서 가스 또는 고체상태로부터 이온화시키고, 이를 가속시켜 재료의 표면에 투사시켜 강제로 피처리물의 표면층에 주입시키는 새로운 진공 처리기술이다. 이 방법은 다양한 화학적 조성과 조직을 가진 새로운 합금 표면층을 만들 수가 있다. 이렇게 표면개질 처리된 재료는 표면에 민간한 각종특성인 내마모성, 내부식성, 내산화성 또는 내피로성 등을 크게 개선시킬 수가 있다. 고도의 반복생산이 가능하여 반도체의 부품생산에 최근 널리 이용되고 있는 실정이다.

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