전기도금법을 이용하여 형성한 Au-Sn 플립칩 접속부의 미세구조 및 접속저항 (Microstructure and Contact Resistance of the Au-Sn Flip-Chip Joints Processed by Electrodeposition)

서지정보

· 발행기관 : 한국마이크로전자및패키징학회
· 수록지 정보 : 마이크로전자 및 패키징학회지 / 15권 / 4호 / 9 ~ 15페이지
· 저자명 : 오태성, 김성규

초록

Au와 Sn을 순차적으로 도금한 Au/Sn 범프를 플립칩 본딩하여 Au-Sn 솔더 접속부를 형성 후,
미세구조와 접속저항을 분석하였다. 285oC에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 솔더 접속부는
Au5Sn+AuSn lamellar 구조로 이루어져 있으며, 이 시편을 310oC에서 3분간 유지하여 2차 리플로우시
Au5Sn+AuSn interlamellar spacing이 증가하였다. 285oC에서 30초간 플립칩 본딩한 Au-Sn 접속부는 15.6
mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었으며, 이 시편을 다시 310oC에서 3분간 유지하여 2차 리플로우 한
Au-Sn 접속부는 15.0 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다.

영어초록

Microstructure and contact resistance of the Au-Sn solder joints were characterized after flipchip
bonding of the Au/Sn bumps processed by successive electrodeposition of Au and Sn. Microstructure
of the Au-Sn solder joints, formed by flip-chip bonding at 285oC for 30 sec, was composed of the
Au5Sn+AuSn lamellar structure. The interlamellar spacing of the Au5Sn+AuSn structure increased by
reflowing at 310oC for 3 min after flip-chip bonding. While the Au-Sn solder joints formed by flip-chip
bonding at 285oC for 30 sec exhibited an average contact resistance of 15.6 mΩ/bump, the Au-Sn solder
joints reflowed at 310oC for 3 min after flip-chip bonding possessed an average contact resistance of 15.0
mΩ/bump,

참고자료

· 없음