MEMS 패키지용 Hollow Cu 관통비아의 형성공정 (Formation of Hollow Cu Through-Vias for MEMS Packages)

서지정보

· 발행기관 : 한국마이크로전자및패키징학회
· 수록지 정보 : 마이크로전자 및 패키징학회지 / 16권 / 4호 / 49 ~ 53페이지
· 저자명 : 최정열, 문종태, 오태성, 김민영

초록

MEMS 패키징용 hollow Cu 비아의 형성거동을 분석하기 위해, 펄스-역펄스 전류밀도 및 도금시간에 따른
hollow Cu 비아의 미세구조를 관찰하고 평균 두께 및 두께 편차를 측정하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -5 mA/㎠와
15 mA/㎠로 유지하며 3시간 도금시 hollow Cu 비아의 평균 도금두께는 5 μm이었으며 표준편차는 0.63 μm이었다. 도
금시간을 6시간으로 증가시 평균 도금두께는 10 μm, 표준편차는 1 μm로 균일한 두께의 hollow Cu 비아를 형성하는 것
이 가능하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -10 mA/㎠와 30 mA/㎠ 이상으로 증가시킨 경우에는 도금시간 증가에 따라
도금두께보다 도금두께의 표준편차가 더 크게 증가하여 균일한 hollow Cu 비아의 형성이 어려웠다.

영어초록

In order to investigate the formation behavior of hollow Cu via for MEMS packaging, we observed the
microstructure of the Cu vias and measured the average thickness and the thickness deviation with variations of pulsereverse
pulse current density and electrodeposition time. With electrodeposition for 3 hours at the pulse and reverse pulse
current densities of -5 mA/㎠ and 15 mA/㎠, the average thickness and the thickness deviation of the Cu vias were
5 μm and 0.63 μm, respectively. With increasing the electrodeposition time to 6 hours, it was possible to form the Cu
vias, of which the average thickness and thickness variation of the Cu vias were 10 μm and 1 μm, respectively. With
increasing the pulse and reverse pulse current densities to -10 mA/㎠ and 30 mA/㎠, Cu vias of uniform thickness could
not be formed due to the faster increase of the thickness deviation than that of the average thickness with increasing the
electrodeposition time.

참고자료

· 없음