Tris DMASi 소스를 이용한 SiON 제작 및 반사방지막 응용 (Fabrication of SiON by Using Tris DMASi(Tris Dimethylamino Silane) Source and Application to Anti-Reflection Coating)

서지정보

· 발행기관 : 한국정보기술학회
· 수록지 정보 : 한국정보기술학회논문지 / 13권 / 3호 / 9 ~ 15페이지
· 저자명 : 연제민, 김광호, 강상준, 정상현, 찬타솜바스 시사바이

초록

본 논문에서는 silane gas를 대체하기 위하여 tris DMASi(Tris Dimethylamino Silane) 소스를 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD)법을 이용하여 SiON 반사방지막을 제작하였다. SiON 박막은 가스 비, 증착 압력, 기판 온도 및 RF power를 조절하여 제작되었으며, 증착조건에 따른 굴절률과 증착률을 평가하였다. SiON 박막의 화학적 조성비 및 전기적 특성은 XPS, C-V, I-V를 통하여 측정하였다. Tris DMASi 소스를 이용한 SiON/ n+/p-Si(100) 태양전지와 SiNX/n+/p-Si(100) 태양전지를 제작하여 솔라 시뮬레이터 및 Quantum efficiency로 태양전지 효율과 특성을 비교하였다. Tris DMASi 소스를 이용하여 제작한 SiON/n+/p-si(100) 태양전지는 SiNX/n+/ p-Si(100) 태양전지와 비슷한 14.40%의 태양전지 효율 및 0.90의 양자 효율이 얻어지는 바 SiON 반사방지막의 제작 및 적용이 가능하다고 판단된다.

영어초록

In the study, SiON film was deposited on silicon substrate with tris DMASi source, NH3 and mix gas without silane gas by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). SiON film was deposited by adjustment of gas ratio, working pressure, substrate temperature and RF power. And its reflective index and deposition rate were measured. Chemical composition ratio and electrical characteristics of SiON film was measured by XPS, C-V and I-V. Efficiency and Characteristic were compared solar cells of SiON/n+/p-Si(100) using tris DMASi source and SiNX/n+/p-Si(100). At the result SiON/n+/p-Si(100) solar cell by using tris DMASi source was measured similar 14.40% of efficiency and 0.90 of quantum efficiency with SiNX/n+/p-Si(100), SiON film can be fabricated and applied to anti-reflection coating.

참고자료

· 없음