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암모니아 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착된 질화텅스텐 확산방지막 특성

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최초등록일 2025.04.27 최종저작일 2004.12
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암모니아 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착된 질화텅스텐 확산방지막 특성
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국마이크로전자및패키징학회
    · 수록지 정보 : 마이크로전자 및 패키징학회지 / 11권 / 4호 / 29 ~ 35페이지
    · 저자명 : 이창우

    초록

    암모니아 펄스 플라즈마를 이용하여 WF6가스와 NH3 가스를 교대로 흘려줌으로써 Si 기판위에 질화텅스텐 확산방지막을 증착하였다. WF6가스는 Si과 반응하여 표면침식이 과도히 발생하였으나 암모니아 (NH3)가스를 펄스 플라즈마를 인가하여 WF6 와 같이 사용하면 Si 표면을 질화처리 함으로써 표면침식을 막아주며 질화텅스텐 박막을 쉽게 증착할수 있었다. 그 이유는 암모니아 가스의 분해를 통한 Si기판의 흡착을 용이하게 하여 질화텅스텐 박막 증착이 가능하기 때문이다. 이러한 증착 미케니즘과 암모니아 펄스 플라즈마 효과에 대하여 조사하였다.

    참고자료

    · 없음
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