"NH pulse plasma"의 검색결과 입니다.

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cvd ALD Deposition GaN 식각 MO CVD PVD CVD

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"NH pulse plasma" 검색결과 1-20 / 24건

암모니아 펄스 플라즈마를 이용한 원자층 증착된 질화텅스텐 확산방지막 특성 (NH3 Pulse Plasma Treatment for Atomic Layer Deposition of W-N Diffusion Barrier)

한국마이크로전자및패키징학회 이창우

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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나노펄스 플라즈마를 이용한 탈황 시스템의 H2O 및 NH3, 펄스 인가전압에 따른 입자변환 분석 (The effect of H2O, NH3 and applied voltage to the particle conversion in the desulfurization system using a nano-pulse plasma)

한국입자에어로졸학회 김영훈, 신동호, 이건희, 홍기정, 김학준, 김용진, 한방우, 황정호

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.02 | 수정일 2025.07.05

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[A+자료] 성인간호학 실습 OR Donor Hepatectomy

: 약간의 감마 글로불린을 제외한 혈장 단백질이 간에서 합성- 요소 형성* 아미노산이 분해되어 형성되는 암모니아를 간에서 요소로 전환* 혈액에 농축된 암모니아(NH3)가 속히 전환 ... 함 (사l 10mg), EKG,BIS,pulse oximetry 제거, PCA연결(fentanyl+)-마취과 의사 심호흡 격려 하며 기관 삽관 제거 후(“환자분 수술 끝났어요, 숨 크 ... 수술방 안으로 이동◎ 1차 time out이름, 등록번호, 수술부위, 의료진 동의◎ foley 삽입 (urine 검체 내림)◎ 수액연결1) 플라즈마솔루션A 1000ml×22) 0

리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.04 | 수정일 2024.02.14

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GaN의 식각

는 방식이다. PE(plasma enhanced)-CVD는 chamber 내에 플라즈마를 형성시켜 반응을 원활히 하고, 증착을 돕는 박막 합성 방법이다.2. 용어설명(1) 플라즈마 ... 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD: Plasma Enhanced ... ………………………………………………………… 103. 참고문헌 ………………………………………………… 10Ⅰ. 서론1. 실험목적ICP (Inductive Coupled Plasma)를 이용해 gas의 종류와 gas

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.05.22

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Coating - PVD & CVD Deposition, Sputter, Evaporation

CVD, LPCVD)플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)- ... evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser ... evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레 이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등

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| 리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.06.23

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PVD

플라즈마 내에서의 충돌 47 Plasma탄성충돌 Ionization Excitation Dissociation Dissociative Ionization Electron ... Plasma- 충돌하는 입자가 임계치 이상의 에너지를 가져야 함 . - 플라즈마 유지하기 위해 각 입자들 사이에 적당한 충돌 회수 보장 . → 압력 ( 압력이 높으면 충돌할 수 있는 입자 ... 증을 이용 . 13 펄스 레이저 증착법 (Pulse laser evaporation)장점 target 과 film 의 조성이 일치 deposition rate 가 높다 다양한 재료

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| 리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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ALD (Atomic layer Deposition) 원자층 증착

하고 완벽한 conformaility를 보여준다ALD 종류PE ALD (Plasma Enhanced ALD)플라즈마 ALD를 적용함으로서 플라즈마에 의해 발생된 이온의 충돌효과 ... Deposi학적 흡착 및 탈착을 이용한 나노크기 박막 증착 기술로서, 각 반응물질들을 개별적으로 분리하여 pulse 형태로 챔버에 공급하여 기판 표면에 반응 물질의 표면 포화반응에 의한 ... 화학적 흡착과 탈착을 이용한 새로운 개념의 박막 증착 기술이다.이 ALD(Atomic Layer Deposition) 기술의 특징으로는 먼저 반응 가스를 pulse 형태로 주입

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.05

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판매자 표지

Thin film Deposition(박막 제조)

) Silicon nitride 3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2 , 3SiCl2H2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H22. Thin film ... (DLICVD) - Plasma methods (see also Plasma processing) Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD), Plasma ... -Enhanced CVD(PECVD), Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD) - Atomic layer CVD (ALCVD) - Hot wire CVD

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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박막제조

Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착 ... 에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. 그리고 이런 화학반응을 일으키려면 대개 ... 체 : Cu(Dimethyl Amini-2-propoxide)고체, 갈색계통의 파우더대응반응물 : H* (수소플라즈마)150Wattwafer : SiO2(3000Å)/Si(100

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.30

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증착법, 스퍼터링, 박막 공정 (THIN FILM PROCESS)의 기초

반응성 낮은 열전도도 우수한 밀착특성특 징물리 기상 증착법(PVD)Bipolar Micro pulsed D.C type Plasma Equipment물리 기상 증착법(PVD)ZrN ... 즈D)3SiCl2H2 + 10NH3 ⇒ Si3N4 + 6NH4Cl + 6H2SiH4(g) + 2O2(g) ⇒ SiO2(s) + 2H2O(g)PECVD(Plasma-enhanced ... 에 고 에너지의 입자를 표면원자와 충돌시켜 고체 표면의 원자나 분자를 표면으로부터 제거하는 현상. 글로우 방전과 플라즈마 개념의 이해가 필요함. 2. 플라즈마와 글로우 방전

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| 리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.10.17 | 수정일 2014.08.27

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Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발

감응 물질을 중심으로 -전자부품연구원 ,주 병 권, KIST - 디스플레이 및 나노 소자 연구실 New sensitive layer based on pulsed plasma ... ubstrates + H2SO4/H2O (7 : 3) +H2O/H2O2/NH3 (5 : 1 : 1) glass slides hydrophilic 2. quartz substrate ... 에 적용Polyaniline MechanismPolymerization: Aniline monomer+ HCL(dopant) + (NH4)2S2O8(initiator) 합성 후

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| 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04

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청정생산 기술 ppt 자료입니다

3. 청정생산 기술의 목표 2. 청정생산 기술 소개 1. Nano pulse 방전의 원리 2. Nano pulse 저온 플라즈마 탈황/탈질 공정 3. 저온 플라즈마 탈황/탈질 공정 ... ≪ 저온 플라즈마와 촉매를 이용한 배가스 청정기술≫청정생산 기술 조사지구시스템과 환경과학목 차1. 청정생산 기술 1. 청정생산 기술의 개념 2. 청정생산 기술과 환경기술의 비교 ... 의 비교 4~5. 저온 플라즈마 공정의 장·단점 6. 저온 플라즈마법과 촉매 탈질기술의 복합 공정 7. 저온 플라즈마법과 촉매 탈질기술의 복합 공정의 구성 3. 청정기술의 효과 4

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| 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.16

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MO-CVD 설명

(Gas) + …By-Product반응 Energy (열, 플라즈마, 빛(UV or Laser), 또는 임의의 에너지)MOCVD란?Metal Organic Chemical Vapor ... 에 전장을 걸어 Plasma 상태를 형성하여 박막 증착하는 방법. Thermal CVD 방법보다 저온에서 박막 증착 가능PE CVD반응기에 주입된 반응기체의 분해 및 박막 증착 시 열 ... TBA높은 열분해 온도뛰어난 안정성, 실제 사용 가능한 질소 전구체NH3Ammonia높은 비용액상, MOVPE에 적절한 증기압 뛰어난 안정성, 낮은 열분해 온도(450℃)(C4H9

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| 리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28

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pvd와 cvd

모재의 표면에 충돌하면서 증착되는 방법Ion Plating Process코팅될 물질을 어떤 방법에 의해 기화시키고, 이 기화된 원자를 Plasma 내에서 이온화 시킨 다음, 모재 ... (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser ... 보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채로 비정질

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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열증착

되는 일이 있다. (전자빔증착에는 적다.)- 증발할때는 조성이 변화할 수 가있다.- Sputter와 같은 플라즈마 의한 시료의 파손이 없다.- 합금이나 복합물 피복시 작업조절이 어렵다. ... 증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체 ... 을 일으킨다. 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08

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탄소나노튜브

vaporization), 플라즈마화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor ... 로 사용하면 균일한 SWNT를 얻을 수 있다. 이렇게 합성된 튜브들은 rope의 형태로 나타난다.3. 플라즈마 화학기상 증착법 (Plasma Enhanced Chemical ... , 외재하여 이 형태를 다발형 나노튜브(rope nanotube)로 명명하였습니다.1998년에 Ren 등이 플라즈마화학기상증착법을 사용하여 글라스기판위에 수직배향된 고순도의 탄소나노

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.14

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pvd,cvd

(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser ... 적인 방법보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채 ... 로 되는 단결정 Si막, 층간 절연막, 비활성으로 사용되는 산화막, PSG막의 실용화는 1970년대 후반 IC 양산화 시대에서 감압CVD를 실용화와 연결되었다.플라즈마 CVD는 RF

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09

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[금속공학]건식증착법

, Pulsed Laser Deposition),플라즈마증착법, 등이 있습니다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체 ... 적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣 ... 어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 되지요. 그리고 이런 화학반응을 일으키려면 대개 1000도를 상회하는 고온을 요구한다. CVD법

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.30

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[공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

플라즈마로 크게 구별할 수 있다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(Plasma Etch) 및 증착(PECVD ... . CVD(Chemical Vapor Deposition)41p5.1. LPCVD47p5.2. PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)48 ... 며(플라즈마 생성 시작) 이온화된 아르곤 입자들은 양이온이므로 타겟 표면으로 가속된다. 이 과정에서 다른 아르곤 입자들을 이온화시키기도 하고 타겟 표면으로 충돌하여 타겟을 깎아내게

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| 리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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[대기환경]NOx (질소산화물) / SCR - 선택적 촉매 환원법

; 개 요배기가스 중에 존재하는 O2와는 무관하게 배가스에 환원제를 주입 후, 촉매층을 통과시켜 NOx를 제거하는 방법 환원제 : NH3, 요소 등 적정반응온도 : 300 ... SCR – 3 ; 반응식 및 촉매4NO + 4NH3 + O2 → 4N2 + 6H2O 4NO + 2CO(NH2)2 + O2 → 4N2 + 2CO2 + 6H2O 촉 매 Pt등의 귀금속 ... 2 SO2에 대해 높은 내구성과 무산소 상태에서도 NOX를 제거, 300℃이하에서 산화반응 낮아짐 V2O5-Al2O3 산화반응 효율↑, 350℃이상시 NH3→ NO로 전환 Pt

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| 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.01

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