시간-디지털 변환기를 이용한 모바일 1T 메모리용 자가-리프레쉬 클록 생성회로 구현 (Implementation of Self-Refresh Clock Generation Circuit for Mobile 1T Memory Using Time-Digital Converter)

서지정보

· 발행기관 : 한국정보기술학회
· 수록지 정보 : 한국정보기술학회논문지 / 15권 / 12호 / 61 ~ 68페이지
· 저자명 : 원다솔, 김진원, 최호용

초록

본 논문에서는 시간-디지털 변환기(TDC)를 이용한 모바일 메모리용 자가-리프레쉬 클록생성회로를 제안한다. 자가-리프레쉬 클록생성회로는 온도를 디지털 데이터로 변환하는 온도센서와 온도영역에 따라 리프레쉬 클록을 출력하는 리프레쉬 클록 생성회로로 구성된다. 온도센서는 동일 크기를 가진 인버터 체인을 이용하여 온도에 비례하는 펄스를 생성하는 온도-펄스변환기와 기준 오실레이터를 사용하여 변환된 펄스를 9비트의 디지털 데이터로 변환하는 TDC로 구성된다. 리프레쉬 클록 생성회로에서는 변환된 디지털 데이터를 5개 영역으로 나누어 클록을 생성한다. 0.18㎛ CMOS 공정을 사용하여 칩을 구현한 결과 –40℃∼100℃의 온도에 대해 5개 영역의 가변 클록 생성이 가능하고, 칩 면적은 0.124mm2이고, 전력소모는 1.5mW로 측정되었다. 이는 기

영어초록

In this paper, we propose a self-refresh clock generator for mobile memory using a time-digital converter (TDC). The circuit consists of a temperature sensor to convert temperature to digital data and a refresh clock generator circuit that outputs a refresh clock in accordance with temperature region. The temperature sensor consists of a temperature-pulse converter (TPC) using a chain of inverters with the same size and a TDC that converts it to 9-bit digital data using a reference oscillator. In the refresh clock generating circuit, the converted digital data is divided into five regions, and a clock corresponding to the data region is generated. Implementation results using a 0.18㎛ CMOS process show that it is possible to generate variable clocks by dividing the temperature of -40℃~100℃ into 5 regions, the chip area is 0.124 mm2, and the power consumption is 1.5mW. Compared with the conventional refresh clock circuit using BGR and ADC, the chip area is improved to 32% and the power consumption is improved to 72%.

참고자료

· 없음