산화 실리콘의 결정화에 의한 다결정 실리콘의 형성 (Formation of Polycrystalline Silicon by Using the Crystallization of Silicon Oxide)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 68권 / 8호 / 839 ~ 843페이지
· 저자명 : 윤종환

초록

알루미늄 촉매를 사용하여 산화실리콘(SiO$_x$)으로부터 다결정 실리콘(poly-Si)을 형성하였다. Poly-Si은 SiO$_x$/Al/glass 적층 구조를 550 $^\circ$C 온도에서 5시간 동안 열처리하여 형성하였으며, 라만 분광, 엑스선 회절 분광 및 전자투과 현미경 사용하여 결정성을 조사하였다. 산소 조성 값($x$ 값)이 다른 poly-Si 형성 사이의 관련성을 조사하였으며, $x$ = 0인 비정질 실리콘(a-Si)에 비해 SiO$_x$ 박막에서 polly-Si의 형성이 쉽게 이루어지는 거동을 관측하였다. Poly-Si 막은 층 교환 메카니즘에 의해 형성되며 (111) 방향의 선호 배향성을 갖는 것으로 확인되었다.

영어초록

Polycrystalline silicon (poly-Si) was fabricated from silicon oxide (SiO$_x$) by using Al as a catalyst. The fabrication of poly-Si was achieved by annealing SiO$_x$/Al/glass stacked structures at 550 $^\circ$C for 5 hours, with the SiO$_x$ films having different oxygen compositions ($x$ value). Raman, X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscope (TEM) measurements were used to investigate the crystallinity. Poly-Si was observed to occur SiO$_x$ more easily than in amorphous silicon, which has an $x$ value of zero. The formation of the poly-Si film was observed to proceed by a layer-exchange mechanism, and the film was found to have a preferential orientation in the (111) direction.

참고자료

· 없음