가상 n형 폴리아닐린의 제조 및 전기화학적 특성평가

서지정보

· 발행기관 : 한국막학회
· 수록지 정보 : 멤브레인 / 13권 / 3호 / 162 ~ 173페이지
· 저자명 : 김래현, 정건용, 최선용

초록

폴리아닐린(polyaniline, PANI)과 도판트인 camphorsulfonic acid(CSA), dodecyl benzene sulfonic acid(DBSA)와의 몰 비 변화에 따라 가상 n형 PANI을 제조하였다. FT-IR 측정으로부터 도핑유무를 확인하였고, indium thin oxide(ITO)에 코팅하여 제조한 전극에 대해, 순환전압전류법과 교류임피던스법을 이용하여 도판트의 영향을 조사하였다. FT-IR과 순환전압전류법으로부터, 제조된 전극이 양이온의 도핑-탈도핑이 일어나는 가상 n형의 특성을 가짐을 확인하였다. 순환전압전류법에서 산화-환원 피크전류값은 PANI/DBSA에 비하여 PANI/CSA가 약 5 배정도 더 큰 결과를 보였다. 교류임피던스법으로부터, 두 전극 모두 이상적인 Randles의 등가회로와 유사한 거동을 보였다. 전하이동저항은 PANI/ CSA에서 1.14∼1.09 k 으로 거의 일정한 값을 보였고, PANI/DBSA는 DBSA 몰 비에 증가에 따라 27.73∼8.37 k 으로 감소하여 나타났다. 이중층용량 또한 PANI/CSA는 13.47∼14.59 F으로 거의 일정하였으나, PANI/DBSA는 DBSA 몰 비 증가에 따라 0.49∼1.20 F으로 증가를 보였다. 결과적으로 PANI/CSA의 전기적 특성이 더 좋았으나, 도판트의 몰 비 증가에 따른 특성은 PANI/CSA 전극은 거의 일정하였고, PANI/DBSA 전극은 전기적 활성이 좋아짐을 알 수 있었다.

참고자료

· 없음