이중 방열 구조를 갖는 GaAs 건 다이오드 제작 (Fabrication of GaAs Gunn Diodes With A Double Heat Sink)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 46권 / 9호 / 1 ~ 6페이지
· 저자명 : 김미라, 이진구, 채연식, 최재현, 김완주, 임현준

초록

본 논문에서는 음극 및 양극으로 동시에 열 방출을 수행할 수 있는 이중 방열 구조의 Gunn 다이오드를 제작하고 음극 방열 구조를 갖는 Gunn 다이오드와 그 특성 차이를 비교하였다. 제작된 다이오드의 DC 특성 측정 결과, 단일 방열 구조의 경우에는 3 V의 문턱전압과 744 mA의 최대 전류 및 4.8 V의 항복 전압 특성을 나타내었고, 이중 방열 구조 다이오드는 2.5 V의 문턱전압, 778 mA의 최대 전류 및 5 V 이상의 항복전압 특성을 나타내었다.

영어초록

We fabricated Gunn diodes with a double heat sink which has anode heat sink as well as cathode heat sink for efficient heat dissipation. We compared the DC characteristics of a double heat sink diode with a conventional cathode heat sink Gunn diode. It was shown that the Gunn diode with a single heat sink has the threshold voltage of 3 V, the peak current of 744 mA, and the breakdown voltage of 4.8 V. Also, the Gunn diode with a double heat sink showed the threshold voltage of 2.5 V, the peak current of 778 mA, and the breakdown voltage over 5 V.

참고자료

· 없음