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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 보고서입니다. 총학점 4.4x 로 졸업한 졸업생의 실험보고서로 A+ 받은 자료입니다. 구매 시 절대 후회 없을 것이라 장담합니다. 보고서 분량도 많고, 보고서 내에 회로도, 그래프, 차트 등 포함되어 있습니다.
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한컴오피스
최초등록일 2023.08.28 최종저작일 2019.05
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)
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    소개

    중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 보고서입니다.
    총학점 4.4x 로 졸업한 졸업생의 실험보고서로 A+ 받은 자료입니다.
    구매 시 절대 후회 없을 것이라 장담합니다.
    보고서 분량도 많고, 보고서 내에 회로도, 그래프, 차트 등 포함되어 있습니다.

    목차

    I. 실험 목적

    II. 요약

    III. 설계실습내용 및 분석
    1. 서론
    2. 설계실습 내용 및 분석

    IV. 결론

    본문내용

    실험 목적
    BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가한다.

    Ⅰ. 요약
    첫 번째 실험에서는 switch가 on이 되었을 때 LED가 같이 ON이 되도록 설계하였고, 측정한 값들은 최대 12.72%의 오차가 발생하였으며 수치가 크게 벗어나지 않았다. 두 번째 실험에서는 inverter로 연결하여 switch가 OFF 됐을 때(= 0 V) BJT가 cutoff되면서 모든 전류가 LED로 흘러 켜지는 것을 확인하였고..

    <중 략>

    먼저 BJT의 emitter에 LED를 연결하여 구동하였다. Function generator로 0~5V의 사각파가 출력되도록 설정을 하고 LED의 ON/OFF를 눈으로 쉽게 보게 하기 위해 주파수를 1Hz로 낮게 하여 출력시켰다. 그 결과, 입력전압이 High(5 V)일 때 LED가 구동되고 Low(0 V)일 때 LED가 꺼지는 것을 관찰할 수 있었다. 입력전압이 5V일 때, cut-off region에서 동작하던 BJT가 saturation region에서 동작하여 collector에서 emitter로 큰 전류가 흐르게 된다. 이에 따라 emitter에 연결된 LED에 전류가 흐르면서 LED가 구동된다는 것을 알 수 있었다. BJT의 bias 전압을 측정한 결과 최대 12.72% 의 큰 오차가 발생하였다. 가장 큰 오차의 원인은 BJT가 소자마다 β값 등의 특성이 다르기 때문에 발생하는 것이라고 생각할 수 있다. 또한, LED가 ON되었을 때 걸리는 전압을 2 V, 전류를 20 mA라고 가정한 후 설계하였는데, 실제 측정 결과 1.9 V정도가 LED에 걸리는 것을 알 수 있었다. 이렇듯 BJT와 LED의 특성값이 typical value는 10% 이상의 오차가 있어서 실험에서 큰 오차가 발생한 것으로 이해할 수 있다.

    참고자료

    · 없음
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    • 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계
      BJT(Bipolar Junction Transistor)와 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 회로에서 스위치 역할을 하는 대표적인 반도체 소자입니다. 이 두 소자는 각각 고유한 특성을 가지고 있어 회로 설계 시 적절한 선택이 필요합니다. BJT는 베이스 전류에 의해 콜렉터와 이미터 사이의 전류를 제어할 수 있는 특성이 있습니다. 이를 이용하면 간단한 스위치 회로를 구현할 수 있습니다. 하지만 베이스 전류가 필요하고 전력 증폭 시 발열이 큰 단점이 있습니다. MOSFET은 게이트 전압에 의해 소스와 드레인 사이의 전류를 제어할 수 있습니다. BJT에 비해 입력 임피던스가 높고 스위칭 속도가 빠르며 전력 증폭 시 발열이 적은 장점이 있습니다. 따라서 고속 스위칭이나 전력 증폭 회로에 주로 사용됩니다. 회로 설계 시 BJT와 MOSFET의 특성을 고려하여 적절한 소자를 선택하는 것이 중요합니다. 예를 들어 저속 스위칭 회로에는 BJT를, 고속 스위칭이나 전력 증폭 회로에는 MOSFET을 사용하는 것이 효과적일 것입니다. 또한 두 소자를 조합하여 회로를 구성하면 장점을 극대화할 수 있습니다. 이처럼 BJT와 MOSFET의 특성을 이해하고 적절히 활용하는 것이 스위치 회로 설계의 핵심이라고 할 수 있습니다.
  • 자료후기

      Ai 리뷰
      BJT와 MOSFET의 스위치 기능을 활용하여 LED 구동 회로를 설계하고 측정한 내용을 상세히 기술하였으며, 이론값과 실험값의 차이를 분석하였다.
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