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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
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전자공학실험 20장 차동 증폭기 기초 실험 A+ 예비보고서2025.01.151. 전력 증폭기 전력 증폭기(power amplifier)는 작은 입력 전력을 증폭하여 큰 출력 전력을 얻기 위해 사용되며, 동작 조건에 따라서 A, B, AB급 등으로 구분된다. 소신호 증폭기보다는 더욱 더 큰 신호 조건에서 사용되는 전력 증폭기는 시스템의 출력단으로 사용되는 경우가 많다. 이 실험에서는 BJT를 사용한 A, B, AB급 전력 증폭기의 기본 동작 원리와 전력 이득 및 효율을 살펴보고, 기본적인 측정을 통해 이를 검증하고자 한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울집적회로를 설계할 때 일정한 전류원(consta...2025.01.15
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 결과 보고서2025.04.281. 차동 증폭 회로 차동 증폭 회로(differential amplifier)는 출력이 단일한 단일 증폭 회로(single-ended amplifier)에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스(bypass) 및 커플링(coupling) 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀더 용이하여 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET 차동 증폭 회로 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 12 소오스 팔로워)2025.01.291. 소오스 팔로워 회로 소오스 팔로워 회로는 입력 신호를 거의 변형 없이 전달하면서 출력 저항을 낮추고 전류를 증폭해 부하를 안정적으로 구동하는 데 사용된다. 이 회로의 주요 특성은 입력과 출력의 관계, 전압 이득, 출력 저항 감소, 전류 이득 등이다. 2. MOSFET 특성 실험에서는 MOSFET의 특성을 이용한 소오스 팔로워 회로를 분석하였다. MOSFET의 문턱 전압, 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등의 특성을 확인하고, 이를 바탕으로 소신호 등가회로를 구성하였다. 3. 입력-출력 전달 특성 입력 전압 변화에 따른 출력 전압의 ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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RC 정현파 발진 회로2025.01.041. 발진기 발진기는 전원이 인가된 상태에서 외부의 입력신호 없이 회로 자체의 동작에 의해 특정 주파수의 신호(정현파, 구형파, 삼각파, 톱니파)를 생성하는 회로입니다. 발진기에는 귀환 발진기(Feedback oscillator)와 이완 발진기(Relaxation oscillator)가 있습니다. 귀환 발진기는 출력 신호의 일부분이 위상변이 없이 입력으로 인가되어 출력을 강화하는 정귀환 회로를 이용하며, 이완 발진기는 RC 회로를 사용하여 구형파 등과 같은 정현파 이외의 파형을 발생시킵니다. 2. 윈 브리지 발진기 윈 브리지 발진기...2025.01.04
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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