총 287개
-
MEMS 개론 기말과제2025.01.161. MEMS 공정 MEMS 공정에는 패턴 정의, 첨가 공정(성층, 증착), 제거 공정(식각) 등이 있다. Bulk micromachining은 실리콘 기판 자체를 가공하여 원하는 구조체를 만드는 것이고, Surface micromachining은 실리콘 기판을 손상시키지 않고 표면의 얇은 막으로 구조체를 만드는 것이다. 이러한 MEMS 공정을 통해 작은 스케일의 특징을 파악할 수 있다. 2. Soft baking과 Hard baking Soft baking은 감광액 내 용매를 약 5% 제거하여 감광액의 밀도를 높이고 웨이퍼와의 접...2025.01.16
-
염료감응형 태양전지(DSSC) 결과레포트2025.05.041. 염료감응형 태양전지(DSSC) 이번 실험은 염료를 활용하여 에너지를 발전시키는 '염료감응형 태양전지(DSSC)'에 대해서 직접 만들어보고 실험 data 값을 측정해 보는 실험이었습니다. 실험은 working electrode를 만드는 과정과 surlyne을 이용하여 working electrode와 Pt를 주재료로 사용하는 counter electrode를 붙이는 과정 이렇게 총 2가지의 과정으로 나누어서 진행하였습니다. 실험 결과 첫 번째 셀 효율은 3.3%, 두 번째 셀 효율은 2.32%, 세 번째 셀 효율은 2.05%로 ...2025.05.04
-
[보고서]IR에 대하여2025.05.061. 내부 저항 IR은 배터리의 내부 저항을 의미하며, 배터리의 성능과 밀접한 관련이 있다. 배터리의 내부 저항은 제조 공정에서 물리, 화학적인 크기 및 특성에 의해 결정된다. 내부 저항을 측정하는 방법으로는 DCIR(Direct Current Internal Resistance)가 있으며, 이는 배터리에 일정 시간 동안 충방전 펄스를 가해주고 전압, 전류값을 옴의 법칙을 이용하여 계산하는 방식이다. 2. 배터리 용량 배터리 용량은 배터리에 전기에너지를 얼마나 저장할 수 있는지를 나타내는 지표로, 저장되는 전자의 수를 의미한다. 용...2025.05.06
-
염료를 이용한 화학적 에너지 소자 제작 실험(DSSC,DSC)2025.01.071. 염료감응 태양전지(DSSC) 이 실험은 염료를 이용하여 연료 감응형 태양전지를 제작하고 연료 감응 메커니즘을 이해하는 것을 목적으로 합니다. 태양빛이 DSSC의 투명전극을 통과하여 TiO2 표면에 흡착된 염료에 도달하면, 염료가 태양빛을 흡수하여 전자가 들뜬 상태로 전이됩니다. 이 들뜬 전자는 TiO2의 전도대로 주입되어 외부 회로를 통해 상대전극으로 이동하면서 전류가 발생합니다. 한편 전자를 잃은 염료는 전해질 내의 I-로부터 전자를 얻어 환원되고, I-는 I3-로 전환됩니다. I3-는 상대전극으로부터 전자를 얻어 다시 I-...2025.01.07
-
유기태양광전지 제작 및 분석 (결과)2025.05.121. 유기태양광전지 제작 및 분석 실험 결과 및 고찰에 따르면, 스핀코팅 공정 조건에 따라 유기태양광전지의 전류-전압 특성, 양자효율, 반사율 등이 달라지는 것을 확인할 수 있었다. 스핀 속도가 빨라질수록 박막 두께가 얇아지면서 전류밀도가 증가하고 직렬 저항이 감소하여 광전변환효율이 향상되는 경향을 보였다. 다만 1200rpm의 경우 예외적인 결과를 나타냈다. 또한 박막 두께에 따른 광학적 간섭 효과로 인해 흡수 스펙트럼과 다른 양자효율 특성이 관찰되었다. 이를 통해 유기태양광전지의 제작 및 분석 과정에서 다양한 요인들이 성능에 영...2025.05.12
-
무기화학실험 Preparation of-Dye-Sensitized Solar Cell 결과보고서2025.01.181. 태양전지 태양전지는 태양에너지를 직접 전기 에너지로 변화시키는 반도체 소자를 말한다. 태양전지는 광기전 효과를 이용하여 빛에너지가 전기에너지로 바뀌며, 유기 태양전지와 무기 태양전지로 구분된다. 유기 태양전지는 탄소 기반의 전도성 광 흡수 유기재료를 사용하고, 무기 태양전지는 실리콘 반도체 재료로 만들어진다. 2. 염료감응형 태양전지(DSSC) DSSC는 금속산화물인 TiO₂ 표면에 특수한 염료를 흡착시키고, 흡착된 특수 염료가 태양빛을 흡수해 광전기화학적 반응을 일으키는 전지이다. DSSC는 투명 전도성 기판, 작업전극, 염...2025.01.18
-
반도체에 대해서2025.01.281. 반도체의 개요 반도체는 도체와 절연체의 중간적인 성질을 가지고 있는 물질로, 전자의 이동이 자유롭지 않지만 외부 조건에 따라 전기 전도성이 변화할 수 있다. 반도체 물질에는 실리콘, 게르마늄 등이 있으며, 이들은 전자와 양공이라는 두 종류의 전하 운반자를 가지고 있다. 반도체의 전기적 특성은 이러한 전하 운반자의 움직임에 의해 결정된다. 2. 도체와 반도체의 구분 기준 도체와 반도체를 구분하는 주요 기준은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 간격 크기이다. 에너지 간격이 넓은 물질은 절연체, 중간 정도인 물질은 반도체, 에너지 간...2025.01.28
-
인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
-
인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
-
전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
6 / 29
