전자재료 보고서

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문서 내 토픽

• 1. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안

  반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우수한 게이트 절연막 사용이 필수적입니다. 또한 Interconnect 부분에 Low-K 유전체를 사용하여 RC delay를 최소화하고 Circuit Speed를 높이는 것이 중요합니다. 최신 기술로는 삼성의 Air gap 공정을 이용한 유전율 1의 Air 사용과 그래핀 소재를 이용한 2차원 소재의 반도체 개발이 있습니다.

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• 1. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안

  반도체 기술은 현대 전자 산업의 근간을 이루는 핵심 기술입니다. 반도체 구성 물질의 물성을 깊이 있게 이해하고 성능 저하 요인을 개선하는 것은 매우 중요합니다. 첫째, 반도체 물질의 결정 구조, 전자 구조, 열적 특성 등 물성에 대한 심도 있는 연구가 필요합니다. 이를 통해 물질 내부의 전자 이동, 열 전달 등 핵심 메커니즘을 규명할 수 있습니다. 둘째, 공정 기술 개선을 통해 불순물 제어, 결정 결함 최소화 등 물질 품질 향상이 필요합니다. 이는 누설 전류, 열 발생 등 성능 저하 요인을 줄일 수 있습니다. 셋째, 새로운 반도체 물질 탐색 및 개발이 중요합니다. 기존 실리콘 기반 반도체의 한계를 극복하고 고성능, 저전력 특성을 가진 차세대 반도체 물질 개발이 필요합니다. 이와 같은 노력을 통해 반도체 성능을 지속적으로 향상시키고 반도체 기술의 발전을 이끌어 나갈 수 있을 것입니다.