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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 2. 전압 이득 이미터 팔로워 회로의 전압 이득은 1에 매우 가깝습니다. 이는 출력 전압이 입력 전압을 거의 그대로 따라간다는 뜻이며, 위상 반전이 발생하지 않습니다. 3. 입력 임피던스 입력 임피던스는 매우 크습니다. 입력 임피던스는 베...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서92025.01.111. Series-Shunt 피드백 증폭기 설계 Series-Shunt 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니다. 입력 전압을 0V에서 6V까지 변화시키면서 출력 전압의 변화를 관찰하였습니다. 입력 저항과 부하 저항의 값을 변경하여도 동일한 결과가 나오는 것을 확인하였습니다. 또한 입력 전압을 2V로 고정하고 전원 전압을 변화시켰을 때 출력 전압이 일정 수준 이상에서 더 이상 변하지 않는 것을 확인하였습니다. 2. Series-Series 피드백 증폭기 설계 Series-Series 구조의 피드백 증폭기를 설계하고 실험하였습니...2025.01.11
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트랜지스터 결과보고서2025.01.051. 트랜지스터 스위칭 기능 트랜지스터 스위칭 회로는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 스위칭할 수 있는 회로로 많이 사용되고 있다. 이 회로에서 트랜지스터의 콜렉터는 전류를 흡입하는 기능이므로 전류를 출력할 수 없다. 사용법은 제어하고 싶은 것의 플러스쪽을 전원에 연결하고 마이너스쪽을 트랜지스터의 콜렉터에 연결한 후, 베이스 전류를 ON/OFF하면 부하의 전류를 ON/OFF할 수 있다. 2. 트랜지스터 스위칭 동작원리 트랜지스터의 이미터와 컬렉터 간을 도통 상태로 하려면 베이스 전류 IB가 흐르게 하면 된다. 이를 반대로 생각...2025.01.05
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다. 2. 전류 거울 능동 부하와 전류 거울은 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용...2025.04.28
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응용물리회로실험 - Transistor CE2025.05.071. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 교류신호에 대하여 이미터 단자가 입력과 출력의 공통 단자 역할을 하며, 높은 전압이득 및 전류 이득을 갖게 된다. 입력과 출력에 결합 커패시터와 이미터와 접지 사이의 바이패스 커패시터로 구성되어 있다. 교류 입력신호는 베이스 단자에 결합 커패시터를 통해 연결되고, 출력신호는 컬렉터 측의 결합 커패시터를 통해 부하와 연결된다. 바이패스 커패시터는 교류입력의 동작 주파수에서 매우 작은 용량성 리액턴스 값을 갖도록 설정되어 이미터 단자를 접지시킨다. 1. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭...2025.05.07
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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이미터 팔로워 회로의 특성 분석2025.01.291. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워 회로는 베이스에 입력된 신호가 이미터로 전달되며, 출력 신호는 입력 신호와 같은 위상을 가지지만 전압 이득이 거의 1인 특징을 갖는 회로입니다. 이 회로는 주로 전류 이득을 높이기 위해 사용되며, 출력 임피던스를 낮추고 입력 임피던스를 높이는 데 유리합니다. 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 전압 이득, 입력 저항, 출력 저항, 전류 증폭 특성을 분석하였습니다. 실험 결과, 이미터 팔로워는 전압 증폭보다는 전류 증폭에 유리한 회로로, 입력 전압이 증가할 때 출력 전류가 증폭되면서도 안정적인 출...2025.01.29
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