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[A+] 단국대 고분자공학실험및설계2 <코팅 방법 -Atomic Force Microscope (AFM)> 레포트2025.01.221. AFM (Atomic Force Microscope) AFM은 수십 마이크로미터의 캔틸레버 끝에 미세한 팁을 달아 표면에 가까이 하면 팁 끝과 표면간 원자간 힘에 의해 캔틸레버가 휘어지게 되는 원리를 이용하여 표면의 형상을 측정하는 장비입니다. AFM은 접촉 모드와 비접촉 모드로 나뉘며, 표면 거칠기를 나타내는 지표로는 제곱 평균 거칠기(Rq)가 주로 사용됩니다. 2. ITO (Indium Tin Oxide) ITO는 높은 가시광 투과도와 전기전도도, 화학적 안정성 등의 특성으로 투명전극 재료로 널리 사용됩니다. ITO 기판의...2025.01.22
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[A+ 만점 레포트] 3. 산화, 환원 적정 (일반화학실험2)2025.01.181. 산화-환원 반응 산화-환원 반응(oxidation-reduction reaction)은 반응물들 사이에서 전자를 주고받는 반응이다. 전자를 주는 화합물이 있다면 전자를 받는 화합물도 있어야 하므로 산화-환원 반응은 항상 동시에 일어난다. 이때 전자를 잃는 화합물은 산화(oxidation)된 것이며, 다른 물질을 환원시켰으므로 환원제(reductant 또는 reducing agent)라고 한다. 반대로 전자를 받는 화합물은 환원(reduction)되었다고 표현하고, 다른 물질을 산화시켰으므로 산화제(oxidant 또는 oxidi...2025.01.18
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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MOSFET, MOSCAP 측정 실험 Report2025.01.121. MOSFET MOSFET은 전압 제어용 소자로 Gate, Source, Drain의 3 단자로 구성되어 있습니다. Gate에 인가되는 전압으로 Source와 Drain의 전류 흐름을 제어할 수 있으며, 제작 방식에 따라 증가형 MOSFET과 공핍형 MOSFET으로 구분할 수 있습니다. 본 실험에서는 Keithley 4200-SCS를 이용하여 MOSFET의 I-V 특성을 분석하였고, On-off ratio, Threshold Voltage, Subthreshold swing, Mobility, DIBL 현상 등을 확인하였습니다....2025.01.12
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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MOSFET의 발명에서 현재까지의 발전단계2025.05.101. MOSFET의 정의 MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 약자로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 엔모스펫, 피모스펫, 씨모스펫 3가지로 분류할 수 있으며, 특히 CMOS는 전력 소모가 매우 적어 컴퓨터의 중앙처리 장치와 같은 로직 소자나 메모리 소자에 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET의 구조 MOSFET은 드레인, 소스, 게이트, 바디로 구성되어 있으며, P형 반도체 기판 위에 N형 반도체 2개를 연...2025.05.10
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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유기화학실험 실험 5 Reaction of Alcohols, Reaction of Aldehyde and Ketone 결과2025.05.091. 1차 알코올 1차 알코올(ethanol)은 Oxidation test에서 시약을 산화시켜 주황색을 청록색으로 변화시키는 반응이 일어났다. Lucas test에서는 아무런 반응이 일어나지 않았지만, Iodoform test에서는 시약과 반응하여 노란색 침전물을 생성하였다. Tollens' test에서는 알데하이드와 반응하여 은거울 반응이 일어났다. 2. 2차 알코올 2차 알코올(sec-butanol)은 Oxidation test에서 시약을 산화시켜 주황색을 청록색으로 변화시키는 반응이 일어났다. Lucas test에서는 약 11...2025.05.09
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부산대_응용전기전자실험2_예비보고서4_MOSFET [A+보고서]2025.01.291. MOSFET Buck Chopper MOSFET Buck Chopper는 전류의 ON-OFF를 반복하여 직류 또는 교류 전원으로부터 원하는 전압이나 전류를 만들어내는 전원 회로 제어 방식입니다. 스위칭 소자가 ON일 때 전류가 흐르고 OFF일 때 다이오드를 통해 전류가 흐르면서 출력 전압이 입력 전압보다 낮아지는 강압형 컨버터입니다. 인덕터의 전압 특성을 이용하여 출력 전압을 조절할 수 있으며, 적절한 인덕턴스와 스위칭 주파수 선정이 중요합니다. 2. MOSFET Boost Chopper MOSFET Boost Chopper는...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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