총 104개
-
중앙대 교양 반도체 이해하기 pbl 보고서2025.01.121. 반도체 산업과 건설 분야의 연관성 건설환경플랜트공학과 전공자로서 반도체 기술이 건설 분야에 어떻게 활용되는지 살펴보았습니다. 건설 중장비에 반도체가 사용되어 배터리 방전 방지 시스템을 구현하고, 건물 관리를 위한 스마트 시스템에도 반도체가 활용되는 등 반도체 기술이 건설 분야 전반에 걸쳐 중요한 역할을 하고 있습니다. 2. 페어차일드사에서 파생된 주요 반도체 기업들 인텔은 1968년 미국 캘리포니아에서 설립되어 초기에는 메모리 칩을 생산했으며, 1971년 4004 마이크로프로세서를 출시하며 개인용 컴퓨터 업계로 성장했습니다. ...2025.01.12
-
컴퓨터구조와 데이터의 표현과 컴퓨터 연산2025.05.051. 컴퓨터 시스템의 구성요소 컴퓨터 시스템의 주요 구성 요소에는 중앙 처리 장치(CPU), 메모리, 입출력 장치, 저장장치, 버스 등이 포함됩니다. CPU는 연산장치(ALU)와 제어장치(CU)로 구성되며, 메모리에는 RAM과 ROM이 있습니다. 입출력 장치는 사용자와 컴퓨터 간의 상호작용을 가능하게 하고, 저장장치는 데이터를 영구적으로 저장합니다. 버스는 컴퓨터 내부의 다양한 구성 요소 간 데이터와 명령어를 전송하는 통신 시스템입니다. 2. 컴퓨터 역사와 분류 컴퓨터의 역사는 기계식 계산기에서부터 현대의 전자식 컴퓨터까지 이어집니...2025.05.05
-
microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
-
반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
-
[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 6. 위상 제어 루프(PLL)2025.04.291. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어 루프는 위상 검출기(Phase Detector), 루프 필터(Loop Filter), 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator)로 이루어져 있습니다. 전압 제어 발전기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 두 입력의 위상 차이를 가지고 전압 제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템입니다. 위상 제어 루프는 위상을 조절할 수 있다는 특징이 있으므로 주로 통신 분야에서 사용됩니다. 2. 위상 검출기 위상 검출기(Phase Detector)는 발진기의 입력과 출력 ...2025.04.29
-
중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 6차 예비보고서2025.01.041. 위상 제어 루프(PLL) 위상 제어 루프는 전압 제어 발진기의 출력 위상을 입력 신호의 위상과 비교하여 두 신호의 위상차이를 가지고 전압 제어 발진기를 제어하는 피드백 시스템입니다. PLL의 3개 기본 요소는 위상 검출기, 루프 필터, 가변 발진기(전압 제어 발진기)입니다. 위상 검출기는 Reference voltage와 VCO의 출력 전압을 비교하여 위상 차이에 해당하는 파형을 출력하며, 실험에서는 XOR 게이트를 사용하여 구현하였습니다. 루프 필터는 RC를 이용한 1차 LPF로, 위상 검출기 출력의 평균값을 DC 전압으로 ...2025.01.04
-
[A+] 중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 5. 전압제어 발진기2025.04.291. 슈미츠 회로의 특성 실험에 사용될 IC의 datasheet를 참조하여 중요한 전기적 특성을 확인하였습니다. 슈미츠 회로의 특성을 이해하고 PSPICE를 이용하여 슈미츠 트리거 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 출력 파형의 특성을 확인하였습니다. 2. 전압제어 발진기의 설계 전압제어 발진기를 설계하고 출력 파형을 관찰하였습니다. 입력 전압 Vc의 변화에 따른 출력 주파수의 변화를 확인하였고, 이를 그래프로 나타내었습니다. 또한 중심 주파수가 2kHz가 되도록 회로의 C1 값을 설계하였습니다. 3. 슈미츠 회로의 저항비와 Capa...2025.04.29
-
아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 9주차2025.01.171. 논리함수와 게이트 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 실험에서 여러 종류의 게이트 기능을 측정하여 실험적으로 이해하였습니다. NAND, NOR, XOR, XNOR 게이트의 회로도를 설계하고 진리표를 작성하였습니다. 또한 AND 게이트와 OR 게이트의 입출력 시간 딜레이를 측정하는 방법을 조사하고 실험 방법을 설계하였습니다. 2. NAND 게이트 특성 분석 NAND 게이트가 정상적으로 동작하기 위한 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고 구체적인 단계를 서술하였습니다. 전원 공급 장치를 사용하여 Vcc를 단계적으로 변화시키...2025.01.17
-
photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
-
반도체소자공학 이론(BJT, FET)2025.05.111. 반도체 소자 반도체 소자의 기본 원리와 구조에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 pn 접합, 전하 캐리어, 전계 효과 트랜지스터(FET) 등이 포함됩니다. 2. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 에미터-베이스 접합, 베이스-콜렉터 접합, 전하 캐리어 흐름 등이 포함됩니다. 3. 전계 효과 트랜지스터(FET) 전계 효과 트랜지스터(FET)의 동작 원리와 특성에 대해 설명합니다. 주요 내용으로는 채널, 게이트, 소스, 드레인 등의 구조와 전하...2025.05.11
4 / 11
