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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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pspice 기본op앰프응용회로예비레포트2025.05.091. 부임피던스 회로 부입력 저항을 가지며 부임피던스 회로라 불린다. 이 회로는 원하지 않는 정 저항을 상쇄시키는 데 사용되어진다. 입력 저항 R_in은 V_in/I로 정의된다. OP앰프의 입력은 V_+ = V_in, V_- = (R_A V_out)/(R_A +R_F)이며 V_+ = V_-로 두면 V_out = V_in(1 + R_F/R_A)이다. 입력저항 R_in = -R_A R/R_F이다. 저항이 임피던스 Z로 대체되면, 그 회로는 이벽 임피던스 -(R_A/R_F)Z를 갖는 부임피던스 회로가 된다. 2. 종속 전류 발생기 종속전...2025.05.09
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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[일반물리실험] 교류회로 측정 실험 보고서2025.04.281. 직류 회로 직류 회로에서 전압과 전류는 시간에 따라 변하지 않고 일정하지만, 교류 회로에서는 전압 v와 전류 i가 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 2. 교류 회로 교류 회로에서 전압 v와 전류 i는 시간에 대한 함수이며, 이에 대한 이해를 통해 각각의 경우의 전류와 전압의 관계를 알 수 있었다. 또한 직렬 R-C 회로에서 교류 전류와 교류 전압을 측정하여 교류 회로와 직류 회로의 차이점을 확인할 수 있었다. 3. 저항 R R 회로에서 저항이 1k ohm으로 고정...2025.04.28
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순환 전압 전류법(CV)을 이용한 가역적 전기화학 반응 분석2025.01.061. 순환 전압 전류법(CV) 순환 전압 전류법(CV)은 전극 표면에서 일어나는 산화-환원 반응을 직접적으로 관찰할 수 있는 방법입니다. 작업 전극의 전위를 일정한 속도로 순환시키면서 전류를 측정하여 얻은 순환 전압-전류 곡선을 통해 전극 반응의 가역성, 반응 속도, 확산 계수 등을 분석할 수 있습니다. 본 실험에서는 가역적인 Fe(III)/Fe(II) 산화-환원 반응을 대상으로 CV 곡선을 얻고, 피크 전류와 전위, 그리고 주사 속도와의 관계를 분석하여 전극 반응의 특성을 이해하고자 합니다. 1. 순환 전압 전류법(CV) 순환 전...2025.01.06
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[일반물리학실험]광전효과2025.05.051. 광전효과 광전 효과는 금속 표면에 파장이 충분히 짧은 빛을 쪼이면 표면에서 전자가 튀어나오는 현상이다. 이 현상은 빛의 입자성을 설명해준다. 전체 에너지는 전자가 빛을 받아 금속 표면으로 나오기 직전까지의 에너지와 금속 표면으로 나온 전자의 운동에너지의 합으로 나타낼 수 있다. 광전효과 실험 장치에 전압을 역방향으로 걸어주면 튀어나온 전자는 반대방향의 힘을 받아 점점 느려지다 멈추게 되고 전류는 0이 된다. 이때의 퍼텐셜차를 멈춤 퍼텐셜차라고 하고 운동에너지의 최대값 K_max = eV_stop으로 나타낼 수 있다. 또 특정 ...2025.05.05
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부산대_응용전기전자실험2_예비보고서4_MOSFET [A+보고서]2025.01.291. MOSFET Buck Chopper MOSFET Buck Chopper는 전류의 ON-OFF를 반복하여 직류 또는 교류 전원으로부터 원하는 전압이나 전류를 만들어내는 전원 회로 제어 방식입니다. 스위칭 소자가 ON일 때 전류가 흐르고 OFF일 때 다이오드를 통해 전류가 흐르면서 출력 전압이 입력 전압보다 낮아지는 강압형 컨버터입니다. 인덕터의 전압 특성을 이용하여 출력 전압을 조절할 수 있으며, 적절한 인덕턴스와 스위칭 주파수 선정이 중요합니다. 2. MOSFET Boost Chopper MOSFET Boost Chopper는...2025.01.29
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A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
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