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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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전자공학실험 8장 공통 베이스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 적기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 g_m R_C로 표현할 수 있으며, 입력 임피던스는 1/g_m으로 구할 수 있다. 공통 베이스 증폭기는 임피던스가 수십 ohm 정도로 매우 작으므로, 전압을 받아들이는 용도보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용된다. 2. 공통 베이스 증폭기 회로 분석 실험회로...2025.01.13
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전기회로실험 A+ 5주차 결과보고서(키르히호프 전압법칙)2025.05.071. 키르히호프 전압법칙 직렬 연결된 저항기에 걸리는 전압강하의 합과 인가전압 사이의 관계를 구하고, 실험적으로 확인하였다. 키르히호프의 전압법칙은 복잡한 전기회로의 해석에 이용되며, 폐회로 내의 전압강하의 합은 인가전압과 같다는 것을 확인하였다. 2. 키르히호프 전류법칙 회로 내 임의의 접합점에서 유입전류와 유출전류 사이의 관계를 구하고, 실험적으로 입증하였다. 키르히호프 전류법칙에 따르면 한 접합점에서 유입전류와 유출전류의 대수적 합은 0이 된다는 것을 확인하였다. 3. 직-병렬회로 설계 3개의 병렬가지 전류 비율이 1:2:3이...2025.05.07
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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(A+) 일반물리학실험2 전자기기사용법(2)2025.01.111. 저항기의 색띠 표기법 저항기의 색띠 표기법을 익히고 Multimeter를 통해 실제 측정한 저항값과 비교하였다. 4개 또는 5개의 색깔 띠로 저항값과 그 오차 범위를 표기하는 방법을 설명하고, 실험에 사용한 4색 띠 표기법을 해석하는 방법을 제시하였다. 2. 옴의 법칙과 전류 측정 전압 V, 전류 I와 저항 R 간의 관계인 옴의 법칙을 설명하고, 이를 이용하여 고정된 저항값에서 전압을 변화시키면 전류가 선형적으로 증가한다는 것을 확인하였다. 실험에서는 주로 전류 측정에 초점을 맞추었다. 3. 직류 전류 측정 DC Power S...2025.01.11
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전기회로실험 A+ 결과보고서(직류의 측정)2025.05.071. 직류 전류 측정 이 실험에서는 회로의 전류를 측정하고, 저항에 의한 전류 조정과 전압에 의한 전류 조정을 측정하였습니다. 저항기의 저항값은 회로에 의존하지 않으며, 전압원의 전압도 독립적입니다. 전류는 전하의 이동으로 정의되며, 전압과 전하가 이동할 수 있는 경로가 존재해야 합니다. 전압원은 단독으로 전류를 생성할 수 없고, 전류는 폐회로에서만 흐를 수 있습니다. 전류의 양은 전압과 도전경로의 특성에 의해 결정됩니다. 직류에 대한 방해를 저항이라고 하며, 회로 내의 저항의 크기에 의해 전류가 조정될 수 있습니다. 전류를 측정하...2025.05.07
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기초 회로 실험 제 22장 망로전류를 이용한 회로해석 (결과레포트)2025.01.211. 선형회로의 특성 선형회로는 인가 전압과 전류가 비례 관계를 갖는 것, 즉 선형방정식으로 표현되는 회로를 말한다. 다시 말해 선형회로는 선형 소자인 저항과 같이 비례성과 가산성을 가지고 구성을 한 회로를 말한다. 2. 망로전류 방정식 도출 및 해석 그림 22-6과 같이 각 망로전류의 크기를 I1, I2, I3라고 설정하고 KVL를 이용하여 연립방정식을 세웠다. 이를 풀면 I1 = -57.89mA, I2 = 15.79 mA, I3 = -5.26mA이다. 이를 통해 각 저항의 전류를 계산하였고, 실험 결과와 비교하였다. 실험값과 이...2025.01.21
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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Diode의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험 실험을 통해 Diode의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과 Diode의 전압-전류 특성이 시뮬레이션 결과와 유사한 exponential 함수 형태로 나타났으며, Zener Diode의 경우 reverse 전압에서 일정한 전류가 유지되는 특성을 확인할 수 있었다. 실험값과 시뮬레이션 값이 정확히 일치하지 않는 이유는 시뮬레이션에서 실험 소자 내부 저항을 고려하지 않았기 때문으로 분석된다. 2. Diode의 전압-전류 특성 Diode의 전압-전류 특성 실험에서 전압과 전류의 관계가 exponent...2025.01.12
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