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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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전자회로설계실습 5번 예비보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 이용한 LED 구동회로 설계 이 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하여 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531(2V, 20mA) LED를 구동하는 회로를 설계하고, 이를 위해 필요한 저항 값들을 계산하고 있습니다. 또한 MOSFET 2N7000을 사용하여 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET의 특성을 이용...2025.01.20
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 설계 이 자료는 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch) 회로 설계에 대해 설명하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. BJT를 사용한 LED 구동 회로 설계: BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 방법을 설명합니다. 이때 BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하도록 하기 위한 조건을 제시합니다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동 회로 설계: 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B453...2025.01.27
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유도 기전력 결과보고서2025.01.031. 전자기 유도 고리 모양의 도선으로 만들어 코일을 통과하는 자기장이 시간에 따라 변하게 되면 코일에 전류가 유도되는 현상이 전자기 유도이다. 이때 코일을 통과하는 자기 선속의 시간에 따라 변화하는 코일에 유도 기전력을 발생시키기 때문이다. 이때 유도 기전력은 시간에 따른 자기 선속을 나타낸다. 패러데이의 전자기 유도 법칙에 의하면 코일이 통과하는 자기 선속이 시간에 따라 변할 때 코일이 유도 기전력이 생성된다. 또한 실험을 통해서 유도 기전력의 크기는 코일 속을 지나는 자기 선속의 시간에 따른 변화율과 코일의 감은 횟수와 비례한...2025.01.03
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서강대학교 고급전자회로실험 2주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전력증폭기 이번 실험에서는 전력증폭기 회로를 구성하고 분석하였다. 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였고, 실험회로 2에서는 푸시풀 증폭기를 구현하였다. 실험회로 3에서는 반전증폭기와 푸시풀 증폭기를 연결한 2단 전력증폭기를 구현하였다. 각 회로의 동작 원리와 특성을 분석하고, 시뮬레이션 및 실험 결과를 비교하였다. 또한 설계 과제를 통해 원하는 특성의 전력증폭기를 직접 설계하고 구현하였다. 2. 반전증폭기 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였다. 반전증폭기는 입력 신호의 전압을 ...2025.01.21
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서52025.01.121. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 보고서는 전자회로 설계실습 과정에서 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 릴레이 또는 LED를 구동하여 각각의 동작을 측정하는 내용을 다루고 있습니다. 실습에서는 부하가 emitter에 연결된 LED 구동 회로, BJT Inverter에 연결된 LED 구동 회로, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 등을 구현하고 측정 결과를 분석하였습니다. 실험 과정에서 발생한 오차는 전원 공급 및 가변저항 사용의 한...2025.01.12
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마이크로프로세서응용 ATmega128 Module, Test Board LED 결과보고서2025.01.241. 마이크로프로세서 마이크로프로세서는 단일 칩으로 구성되어 주어진 프로그램에 의해 데이터의 입력, 가공, 출력을 수행하는 장치입니다. 마이크로컨트롤러는 자동화기기를 제어하기 위해 최적화된 프로세서로, 소형화, 경량화, 저렴한 가격, 융통성 있는 기능 변경 및 확장, 높은 신뢰성 등의 특징이 있습니다. 2. AVR 마이크로컨트롤러 AVR 마이크로컨트롤러는 ATMEL사에서 개발한 저전력 8비트 RISC 타입의 마이크로컨트롤러 시리즈입니다. AVR의 특징으로는 ISP(In-System Programming) 기능, C언어 최적화 설계,...2025.01.24
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서112025.01.171. 비동기 8진 카운터 설계 비동기 8진 카운터 회로를 구현하고 LED 연결, 버튼 스위치 연결, chattering 방지 회로 추가 등의 과정을 거쳐 카운터의 정상 동작을 확인하였다. chattering 방지 회로를 거치지 않고 바로 회로에 연결하였을 때 출력이 순간 불안정한 것을 확인하였다. 2. 비동기 및 동기 16진 카운터 설계 16진 비동기 카운터와 16진 동기 카운터를 각각 구현하고, Function generator를 사용하여 1Hz의 Square wave를 입력하여 동작을 확인하였다. 동기 카운터의 경우 매 순간 동...2025.01.17
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