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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. CE 회로의 특성 실험을 통해 CE 회로의 IB와 Ic 사이의 관계를 이해하고, 측정된 데이터를 이용해 β(dc)를 계산할 수 있었다. 또한 BJT의 특성 곡선을 구하고 β(dc)와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있었다. 2. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된다. 이 회로 구조에서 베이스가 입력 단자 역할을 하고 컬렉터가 출력 단자 역할을 수행한다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해 흐르는 베이스 전류 IB를 결정하고, IB는...2025.05.11
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[금오공과대학교 일반물리학실험2] 패러데이법칙실험 (예비+결과보고서)2025.05.141. 패러데이 법칙 패러데이의 유도 법칙은 회로 내의 유도기전력 'ε'은 회로를 통과하는 자기 선속 ' '의 변화율과 같다는 것을 확인하는 실험이다. 자기장 안에서 회전하는 코일을 통하여 전자기 유도현상을 확인하고, 이때 발생하는 전위 차를 측정하여 패러데이의 유도 법칙을 정량적으로 이해하는 것이 실험의 목적이다. 2. 전자기 유도 회로 내의 유도기전력 'ε'은 회로를 통과하는 자기 선속 ' '의 변화율과 같다는 패러데이의 유도 법칙을 확인하는 실험이다. 고리의 단면에 수직한 선이 자기장 ' '와 각도 ' '를 이룰 때 고리...2025.05.14
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전기회로설계실습(9번 실습- 결과보고서)2025.05.151. RC 직렬 LPF(low Pass Filter) RC 직렬 LPF에 주파수가 10kHz인 정현파를 인가하고 입력전압과 출력전압의 크기와 위상이 차이나는 것을 오실로스코프를 통해 확인하였다. 11us 의 delay가 발생하는 것을 확인하였다. 저항에 걸리는 전압이 입력 전압보다 위상이 빠르다. XY mode를 사용했을때는 타원형으로 파형이 관찰되었다. 이는 입력파형과 출력파형의 위상차이와 크기 차이를 확인 할 수 있다는 뜻이다. 낮은 주파수부터 큰 주파수로 변화를 주어 전압값을 기록하고 측정하여 LPF 그래프를 만들 수 있었다....2025.05.15
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가공전선로와 전력원선도에 대하여 설명하시오2025.01.231. 가공전선로 가공전선로는 전력을 원활하게 전달하기 위해 전주, 전선, 애자, 그리고 접지 시스템 등 여러 구성 요소가 체계적으로 결합된 형태입니다. 전선은 주로 알루미늄이나 구리와 같은 전기 전도성이 우수한 재료로 제작되며, 장거리에 걸쳐 설치되어 높은 전압을 전송할 수 있습니다. 전주는 전선의 높이를 유지하여 안전한 전력 전송을 가능하게 하며, 애자는 고전압 환경에서도 절연성을 유지할 수 있는 특수 재료로 제작되어 전선과 전주 사이에서 전기의 흐름을 차단하는 기능을 수행합니다. 접지 시스템은 전력 전송 과정에서 발생할 수 있는...2025.01.23
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뉴로모픽 반도체와 스파이킹 신경망의 융합2025.01.171. 뉴로모픽 반도체 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 신경망을 모방한 집적 회로입니다. 이 기술은 전통적인 디지털 컴퓨팅과 달리 아날로그 신호를 사용하여 뉴런과 시냅스의 동작을 모방합니다. 뉴로모픽 반도체의 핵심은 저전력 소비와 고효율 데이터 처리 능력입니다. 신경망 모방, 스파이크 신경망(SNN), 비동기적 처리 등의 특징을 가지고 있습니다. 2. 스파이킹 신경망(SNN) 스파이킹 신경망은 뉴런이 전기적 신호를 스파이크 형태로 주고받는 방식으로 동작합니다. 이는 인간의 신경망이 정보를 처리하는 방식을 보다 정확하게 모방한 것입니다. ...2025.01.17
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 이 예비보고서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하고 그 동작을 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 구체적으로 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하고, MOSFET 2N7000을 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 각 회로의 동작 원리와 설계 과정, 측정 결과 등이 자세히 기술되어 있습니다. 1. BJ...2025.05.14
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서52025.01.111. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 예비 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 설계, 그리고 구동 회로 측정 방법 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 BJT와 MOSFET의 스위칭 특성을 이해하고 실제 회로 설계에 적용하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 BJT...2025.01.11
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A+받은 에미터 공통 증폭기회로(common emiter) 예비레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기회로의 동작을 이해하였습니다. 베이스 전류에 따른 콜렉터 전류의 변화를 측정하여 전류이득을 결정하였고, 소신호 증폭기로 사용하여 전압이득을 측정하였습니다. 또한 에미터 바이패스 커패시터가 증폭기 이득에 미치는 영향을 분석하였으며, 입력/출력 임피던스, 전력이득, 위상 변화 등을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터 증폭기 회로 트랜지스터의 세 가지 연결 방식(에미터 공통, 베이스 공통, 콜렉터 공통)에 대해 살펴보았습니다. 에미터 공통 증폭기는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류...2025.05.10
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중앙대 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로 예비보고서2025.05.051. 구동회로 측정 함수발생기는 예를 들어 5 Vpp square pulse를 선택하면, 부하가 50 Ω일 때 평균이 0 V이고 +2.5 V, -2.5 V의 펄스를 생성한다. 설계한 구동회로에 1Hz, 5 Vdc square pulse (50%)를 인가하려면 함수발생기의 전압(Vpp), OFFSET을 어떻게 조정해야 하는가? 제시문에 따르면 함수발생기는 전면 출력에 5 Vpp square pulse를 선택한 경우 그 절반을 각각 양수 및 음수의 진폭으로 가지는 펄스를 생성한다. 함수발생기의 실제 출력은 전면의 화면에 표시된 Vpp ...2025.05.05
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