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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 Oscillator 회로를 설계하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 회로 설계, Feedback factor (β)와 Feedback 저항 (R)의 영향 분석 등이 포함되어 있습니다. 설계한 Oscillator 회로의 동작 원리와 파형 분석 결과가 자세히 설명되어 있습니다. 1. Oscillator 설계 Oscillator 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니다. 정확한 주파수와 ...2025.01.11
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[A+] 전자회로설계실습 10차 예비보고서2025.05.101. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 설계 이 보고서는 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계하고 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것을 목적으로 합니다. 설계 과정에서 OrCAD PSPICE를 사용하여 회로를 설계하고 시뮬레이션을 수행하였으며, 피드백 factor (β)와 피드백 저항 (R)의 변화에 따른 영향을 분석하였습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)...2025.05.10
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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2주차 16장 OrCAD 사용법 실험 예비 보고서2025.05.011. Op-amp 입력부 전류 Op-amp의 특성상 입력단자의 전압이 최대한 커야하고 이를 위해서는 입력 임피던스가 무한히 커야한다. 따라서 입력부에 들어가는 전류는 거의 유입되지 않는다. 2. Op-amp 입력부 전위차 Op-amp의 -단자에 입력을 가하여 증폭 작용을 하는 '반전 증폭 회로'에서, Op-amp의 단자 사이는 마치 단락된 것과 같은 상태로 작용하기 때문에 -단자의 전압(Vn)과 +단자의 전압(Vp)이 같아 전위차는 0이 된다. 3. Op-amp 전압이득 도출 Op-amp 회로에서 전압이득 Av = Vout/Vin은...2025.05.01
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 102025.01.041. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) 이 실습의 목적은 OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화에 따른 신호 파형에 대해 학습하는 것입니다. 준비물 및 유의사항, 그리고 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator 설계 계획이 포함되어 있습니다. 1. OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기) OP-Amp(연산증폭기)를 이용한 Oscillator는 다양한 응용 분야에서...2025.01.04
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 2주차 결과레포트2025.05.101. DAQ 실습 myDAQ의 Function Generator, Oscilloscope 기능을 사용하여 Sine 파형, Square 파형, 전압, 전류, 저항, 다이오드 등을 측정하였다. 실험 결과를 통해 각 파형의 특성과 전압, 전류 측정 방법을 확인하였다. 2. PSPICE 시뮬레이션 OrCAD 프로그램을 사용하여 OP 시뮬레이션, DC 시뮬레이션, Parametric 시뮬레이션, Transient 시뮬레이션, FFT 시뮬레이션, AC 시뮬레이션, VPULSE 시뮬레이션 등을 수행하였다. 이를 통해 회로 구성 방법과 각 소자의...2025.05.10
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.301. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 목적: N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 Vcc=VDD=10V, IREF=10mA인 전류원을 설계하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 전압, 전...2025.04.30
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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