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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 베이스 전류가 일정하게 고정되는 특징을 가지고 있습니다. 하지만 컬렉터 전류값이 β값에 의존성이 크고 베이스 저항으로 값이 정해지므로 보통 스위칭 회로로써 사용됩니다. 2. 이미터 귀환 바이어스 회로 이미터 귀환 바이어스 회로는 베이스 바이어스 회로에 이미터 저항을 추가하여 안정도를 높인 회로입니다. 컬렉터 전류값에 이미터저항의 값이 크면 클수록 β값을 무시할 수 있다는 특징이 있습니다. 3. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 컬렉터의 전류값이 컬렉터 저항에 의...2025.05.11
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. RC 직렬 회로의 고주파 특성 RC 직렬 회로는 약 13 [MHz]부터 파형이 불안정해서 정확한 측정이 이루어지지 않았으므로 그 이상의 데이터는 무의미하다고 판단했다. 약 1 [MHz]까지는 이론값과 비슷한 전달함수의 특성을 보이는데, 그 이상의 고주파에서는 커패시터 소자 내의 인덕터 성분에 의해 전달함수의 특성이 달라지는 것을 그래프를 통해 확인할 수 있다. 약 10 [MHz]에서 전달함수의 크기가 가장 작아져서 이 부분이 커패시터가 확실히 인덕터처럼 행동하는 부분이라고 생각한다. 2. RL 직렬 회로의 고주파 특성 RL 직...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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부산대 응용전기전자실험1 - 3장 필터회로 설계 및 특성 실험 결과보고서2025.01.121. OP-amp를 이용한 필터회로 이 실험의 목적은 OP-amp를 이용한 필터회로의 동작원리를 이해하고 설계 능력을 배양하는 것입니다. 필터회로 설계 시 고려해야 할 요소에 대해 알아보고 이를 고려한 설계법을 배웁니다. 또한 다양한 필터회로를 비교 분석하여 적용 분야에 적합한 회로를 선택하는 방법을 익힙니다. 2. 저역통과 필터(LPF) 회로 설계 실험에서는 그림 3-22의 저역통과 필터(LPF) 회로를 설계합니다. 이를 통해 필터 회로의 설계 방법과 특성을 실험적으로 확인할 수 있습니다. 1. OP-amp를 이용한 필터회로 OP...2025.01.12
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.031. 고주파 특성 측정 회로 설계 이 프레젠테이션에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. RC 및 RL 회로를 구성하고 오실로스코프의 CH1 단자를 C 또는 L 앞에, CH2 단자를 저항의 양단에 연결하여 입력 전압과 저항 전압, 위상차를 측정합니다. 이를 이상적인 RL 및 RC 회로의 특성과 비교하면 고주파 특성을 알 수 있습니다. 1. 고주파 특성 측정 회로 설계 고주파 특성 측정 회로 설계는 전자 시스템 개발에 있어 매우 중요한 부분입니다. 고주파 신호의 특성을 정확하게...2025.05.03
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전기회로실험및설계 6주차 예비보고서 - DC 입력에 대한 RC 및 RL 회로의 특성2025.01.231. RC 회로의 특성 RC 회로의 시간 상수는 RC 값으로 계산할 수 있으며, 이를 통해 RC 회로의 과도 응답 특성을 분석할 수 있습니다. 예를 들어, RC 회로의 시간 상수는 4.7 x 10^-5초이며, 이를 통해 RC 회로의 과도 응답 특성을 파악할 수 있습니다. 2. RL 회로의 특성 RL 회로의 시간 상수는 L/R 값으로 계산할 수 있으며, 이를 통해 RL 회로의 과도 응답 특성을 분석할 수 있습니다. 예를 들어, RL 회로의 시간 상수는 0.001초이며, 이를 통해 RL 회로의 과도 응답 특성을 파악할 수 있습니다. 3...2025.01.23
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