1. 딥트랩 비휘발성 메모리 소자 금속-절연막-커패시터(MIM/MOSCAP) 기반 비휘발성 메모리 소자로, 고온 보유 특성이 우수하고 저전계 유지 모드에서 Poole-Frenkel 저감이 최소화되도록 설계된 딥 트랩 유전체 구조이다. 기존 shallow trap 및 percolation 문제를 해결하며, 150~250°C 영역에서도 장기 보유가 가능한 구조를 제공한다. 2. Zr-Y-Al-B-O 산화막 트랩층 질산화/ALD 기반으로 제조 가능한 Zr-Y-Al-B-O 산화막을 트랩층으로 사용하며, 희토(Y) 8 at% 치환 및 산소공...

1. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 DRWM은 HfO₂/HZO/Al₂O₃ 절연층 스택과 금속 게이트로 구성된 메모리 셀이다. 등가회로는 캐패시터(C₁, C₂)와 누설 저항(R_leak), 트랩 저장용 저항(R_trap)으로 모델링된다. DRWM은 저전압 트랩 기반 전하 저장을 활용하여 DRAM의 빠른 속도와 Flash의 비휘발성을 결합한 새로운 개념의 메모리로 제안되었다. 2. 트랩 깊이(Et) 제어 및 데이터 보유 트랩 형성은 산소공공, 금속 도핑(La, Ti, Al), 결함층 삽입(Al₂O₃, S...