1. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 DRWM은 HfO₂/HZO/Al₂O₃ 절연층 스택과 금속 게이트로 구성된 메모리 셀이다. 등가회로는 캐패시터(C₁, C₂)와 누설 저항(R_leak), 트랩 저장용 저항(R_trap)으로 모델링된다. DRWM은 저전압 트랩 기반 전하 저장을 활용하여 DRAM의 빠른 속도와 Flash의 비휘발성을 결합한 새로운 개념의 메모리로 제안되었다. 2. 트랩 깊이(Et) 제어 및 데이터 보유 트랩 형성은 산소공공, 금속 도핑(La, Ti, Al), 결함층 삽입(Al₂O₃, S...