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단국대 고분자공학 실험 및 설계1 ps-p2vp Orientation 및 Reconstruction & etching 레포트 [A+]2025.01.231. BCP Phase diagram BCP는 화학적으로 서로 다른 두 개 이상의 고분자 사슬이 공유 결합으로 연결된 구조로 이루어져 있다. 이는 sphere, cylinder, gyroid, and lamellae 등 다양한 형태 및 크기로 자기조립이 가능하며, 각 block의 부피 비율(f), 분자량(N), 플로리-허긴스 상호작용 파라미터(χ) 등의 조건에 영향을 받는다. 2. Solvent-Vapor Annealing Solvent-Vapor Annealing은 BCP 필름의 나노 구조 및 배향을 부여하기 위한 간단하고 효과적...2025.01.23
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반도체 Dry Etching2025.01.191. Dry Etching Dry Etching은 고에너지 상태의 가스를 이용하여 반도체 회로의 패턴을 구현하는 건식식각 기술입니다. 이 기술은 이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 하여 고종횡비 회로 구현 및 미세한 패턴 조각에 필수적입니다. Dry Etching은 습식식각에 비해 고종횡비로 회로 패턴 구현이 가능하고 미세 패턴 조각에 유리하며 고밀도 3D 회로에 필수적인 이방성 식각을 구현할 수 있습니다. 2. Cryogenic Etch 극저온 Etching은 Passivation Gas 생성으로 인한 식각률 저하 문제와 D...2025.01.19
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재료공학기초실험_광학현미경_저탄소강미세구조관찰2025.05.081. Etching Etching은 화학조성, 응력, 결정구조 등에 따라 방법이 다른데 본 실험에서 사용한 Etching 방법은 가장 일반적인 화학부식 방법인 Nital을 사용하였다. Etching은 그 금속표면을 부식을 시킴으로서 입자의 관찰이 용이하게 해준다. 광학 현미경으로 시편을 관찰 한다고 할때 광학 현미경은 반사방식에 의해 조작된다. 나타난 영상에서의 명암은 미세구조의 여러 구역에서의 반사도 차이에 의한 결과이다. 이 미세구조는 적당한 화학 시약을 이용한 표면처리인 etching 에 의해 관찰된다. 만약 시편을 준비할 때...2025.05.08
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시편분석기초 실습 보고서2025.01.151. 철강재료공학 실습 철강재료공학 실습 보고서에는 실습 목표 및 이론 정리, 실습 방법, 실험 결과, 결론 및 고찰 등의 내용이 포함되어 있습니다. 실습에서는 시편 준비 과정인 sectioning, polishing, etching 등의 방법을 사용하고, 이를 통해 시편의 미세구조를 관찰하고 평가하는 내용이 다루어집니다. 또한 시편의 기계적 특성 분석, 예를 들어 인장 시험을 통한 항복강도, 인장강도, 연신율 등의 측정 결과도 포함되어 있습니다. 1. 철강재료공학 실습 철강재료공학 실습은 철강 산업에서 매우 중요한 부분입니다. 실...2025.01.15
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숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서2025.01.141. 4-point probe 측정 원리 4-point probe 방법은 동일선상에 놓은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다. Single configuration의 측정 원리는 핀 A, D에 전류(I_{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V_{BC})을 측정하여 저항 R_a = V_{BC}/I_{AD}를 구하고, 면저항(R_S = k_a * R_a)을 구하는 방법이다. 여기서 k_a는 핀 간격에 대한 시료 크기 보정 인자, 핀 간격에 대한 시료의 두께 보...2025.01.14
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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리소그라피 장비 종류 및 구동 방법2025.01.061. 리소그라피 리소그라피는 반도체 또는 TFT 제작 공정에서 감광제(PR)을 이용하여 증착된 막에 일정한 Pattern을 형성하는 공정으로, 증착과 세정 이후의 PR도포, 노광(Exposure), 현상(Develop)까지의 공정을 포함한다. 추가로 식각(Etching)과 PR 박리까지 포함하는 경우도 있다. 일반적으로 a-Si의 경우 5 mask 공정이므로, 5번의 Photo 공정을 수행하게 된다. 2. 리소그라피 장비 종류 리소그라피 장비에는 접촉형(Contact type), 근접형(Proximity type), 프로젝션형(Pr...2025.01.06
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작2025.05.121. 포토 공정 포토 공정은 PR이 도포된 웨이퍼 위에 포토마스크를 통과한 광원을 쬐어줌으로써 원하는 패턴을 만들어 내는 작업이다. Exposure 과정은 빛을 이용해 웨이퍼에 회로를 그려넣는 노광을 말하며, Develop 과정에서 빛을 쬐어 변성된 PR을 제거해줌으로써 원하는 패턴을 가진 과자틀이 만들어지게 된다. Positive PR은 노광되지 않은 영역을 남기고, Negative PR은 노광된 영역만 남겨 사용한다. 2. 식각 공정 Wet etching은 etchant를 이용해 식각하며 화학적 반응을 이용한다. 등방성 식각은 ...2025.05.12
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