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Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
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PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작2025.05.121. 포토 공정 포토 공정은 PR이 도포된 웨이퍼 위에 포토마스크를 통과한 광원을 쬐어줌으로써 원하는 패턴을 만들어 내는 작업이다. Exposure 과정은 빛을 이용해 웨이퍼에 회로를 그려넣는 노광을 말하며, Develop 과정에서 빛을 쬐어 변성된 PR을 제거해줌으로써 원하는 패턴을 가진 과자틀이 만들어지게 된다. Positive PR은 노광되지 않은 영역을 남기고, Negative PR은 노광된 영역만 남겨 사용한다. 2. 식각 공정 Wet etching은 etchant를 이용해 식각하며 화학적 반응을 이용한다. 등방성 식각은 ...2025.05.12
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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리소그라피 장비 종류 및 구동 방법2025.01.061. 리소그라피 리소그라피는 반도체 또는 TFT 제작 공정에서 감광제(PR)을 이용하여 증착된 막에 일정한 Pattern을 형성하는 공정으로, 증착과 세정 이후의 PR도포, 노광(Exposure), 현상(Develop)까지의 공정을 포함한다. 추가로 식각(Etching)과 PR 박리까지 포함하는 경우도 있다. 일반적으로 a-Si의 경우 5 mask 공정이므로, 5번의 Photo 공정을 수행하게 된다. 2. 리소그라피 장비 종류 리소그라피 장비에는 접촉형(Contact type), 근접형(Proximity type), 프로젝션형(Pr...2025.01.06
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반도체 8대 공정(전공정, 후공정)의 이해2025.01.021. 반도체 제조 공정 반도체 제조 과정은 약 700~800개의 단위 공정을 거치며, 주요 공정으로 노광, 증착, 식각, 세정, 공정제어, 패키징 등 8대 공정이 있다. 노광 공정에서는 감광제를 이용해 회로를 그리고, 증착 공정에서는 박막을 쌓아 올리며, 식각 공정에서는 불필요한 부분을 제거한다. 세정 공정은 오염물을 제거하고, 공정제어는 공정 변수를 조절하여 원하는 상태를 유지한다. 마지막으로 패키징 공정에서는 반도체 칩을 보호하고 전기적 특성을 검사한다. 2. 반도체 장비 및 소재 반도체 제조에는 다양한 장비와 소재가 사용된다....2025.01.02
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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반도체 하드마스크 SOH 레포트2025.05.021. SOH (Spin-on Hardmasks) SOH는 패터닝 공정에서 반도체 미세 패턴 구현을 위한 보조재료입니다. gap을 채우고 평탄화를 강화하여 내에칭성을 강화해야하는 특성을 요구합니다. SOH는 반도체 회로 패턴 형성 시 기존의 CVD 방식이 아닌 spin coating 방식으로 막을 형성하는 미세 패턴 형성 재료로, 미세 선폭의 패턴 정확도를 구현합니다. 2. PR MASK와 HARD MASK 비교 미세패턴을 구현하려면 PR MASK의 폭이 점점 줄어들어야 합니다. PR MASK의 가로에 대한 세로의 비율이 특정 값보다...2025.05.02
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반도체 Dry Etching2025.01.191. Dry Etching Dry Etching은 고에너지 상태의 가스를 이용하여 반도체 회로의 패턴을 구현하는 건식식각 기술입니다. 이 기술은 이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 하여 고종횡비 회로 구현 및 미세한 패턴 조각에 필수적입니다. Dry Etching은 습식식각에 비해 고종횡비로 회로 패턴 구현이 가능하고 미세 패턴 조각에 유리하며 고밀도 3D 회로에 필수적인 이방성 식각을 구현할 수 있습니다. 2. Cryogenic Etch 극저온 Etching은 Passivation Gas 생성으로 인한 식각률 저하 문제와 D...2025.01.19
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