
Capacitor의 전기적 특성 실험_예비레포트
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Capacitor의 전기적 특성 실험_예비레포트
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2024.03.31
문서 내 토픽
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1. Capacitor의 전기적 특성Capacitor는 전기장으로 에너지를 저장하는 수동 소자이며 두 개의 전도체 판 사이에 절연체가 끼어있는 구조입니다. 전하를 저장할 수 있는 능력을 전기용량(Capacitance) C라고 하며 용량이 클수록 같은 전압에서 더 많은 전하를 저장할 수 있습니다. Capacitor에 충전될수록 양단 전압이 상승하게 되며 전류와 전압의 관계를 수식으로 나타낼 수 있습니다. Capacitor와 저항을 직렬로 구성된 회로에 직류 전압을 인가하면 Capacitor 양단 전압은 전하량에 비례하여 지수함수적으로 증가하며, 시상수(Time constant)는 Capacitance와 저항의 곱이 됩니다. 캐패시터에 사용되는 유전체 재질의 특성에 따라 적용 주파수 대역과 사용 용도 및 특징이 다양합니다.
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1. Capacitor의 전기적 특성Capacitor는 전기 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전기 에너지를 일시적으로 저장하고 방출할 수 있는 특성을 가지고 있어 전압 안정화, 필터링, 지연 회로 등 다양한 용도로 사용됩니다. 주요 전기적 특성으로는 정전 용량, 누설 전류, 내전압, 주파수 특성 등이 있습니다. 정전 용량은 전하를 저장할 수 있는 능력을 나타내며, 누설 전류는 절연체를 통해 흐르는 전류를 의미합니다. 내전압은 절연체가 견딜 수 있는 최대 전압을 나타내며, 주파수 특성은 주파수에 따른 정전 용량의 변화를 의미합니다. 이러한 특성들은 capacitor의 용도와 성능에 큰 영향을 미치므로 회로 설계 시 반드시 고려해야 합니다. 또한 capacitor의 종류와 구조에 따라 이러한 특성들이 달라지므로 용도에 맞는 capacitor를 선택하는 것이 중요합니다.
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MOS Capacitor의 CV 특성 실험 레포트(예비,결과) 8페이지
결과 레포트- 실험 결과 및 고찰이번 실험은 NMOS의 특성을 관찰하는 실험이었다. 첫번째로 VDD 값을 3V로 고정하고 VGG 값을 증가시키며 IDS 측정하면서 VTH를 찾는 실험이었고, 두번째는 VDD와 VGG 값을 변화시키면서 IDS 값이 어떻게 달라지는지를 측정하고 실험이었다. 저항 R1과 R2는 각각 9.4kΩ과 100Ω으로 놓고 실험을 진행하였다.VDD 값을 3V로 고정한 첫번째 실험의 결과는 다음과 같다.VGG(V)011.11.21.31.41.51.61.71.81.9234IDS(mA)000.0040.010.060.520...2021.11.08· 8페이지 -
시립대 전자전기컴퓨터설계실험1 3주차 예비리포트 25페이지
제 4주차 예비 리포트실험제목: PSpice를 이용한 전기회로 시뮬레이션Major전자전기컴퓨터공학부Subject전자전기컴퓨터설계실험1ProfessorStudent ID NumberNamesubmit date목차이론적 배경실험적 배경실험결과실험 결과 고찰결론참고문헌이론적 배경Capacitya.1 Capacity의 구조a.2 Capacitance : 전하를 저장 할 수 있는 능력a.3 Capacitor에 교류 전압을 인가하는 경우에 충전과 방전을 반복하면서 전압을 유지한다.Inductorb.1 Inductor의 구조b.2 Inducta...2021.04.16· 25페이지 -
Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance 실험 레포트 5페이지
예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 11월 06일- 실험주제 : Post annealing effect of BaTiO3-based MIM capacitors for high capacitance- 예비이론• MLCC (Multi-Layer Ceramic Capacitors) 의 구조 및 원리적층 세라믹 Capacitor(MLCC, Multi-Layer Ceramic Capacitors)는 전자회로에서 일시적으로 전하를 충전하고 Noise를 제거하는 일반적인 타입의 Capacitor로 유전체 층과 니켈(Ni)로 된 내부전극 층이 ...2021.11.08· 5페이지 -
High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트 5페이지
예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High-K 물질은 높은 유전율을 갖는 물질을 말하며, K는 유전 상수(dielectric constant)를 나타낸다. 유전 상수(K)가 높을수록 배선간 누설 전류 차단 능력이 뛰어나고, 게이트의 절연 특성이 좋다. Scaling에 따라서 Gate length가 줄어들고, Sourfe와 Drain 사이의 거리도 가까워져서 구동전압이 인가되면, Source와 Drai...2021.11.08· 5페이지 -
시랍대 - 전자전기컴퓨터설계실험 9주차 예비리포트 11페이지
제 9주차 예비 리포트실험제목: RC, RL, RLC 회로의 주파수영역응답Major전자전기컴퓨터공학부Subject전자전기컴퓨터설계실험1ProfessorStudent ID NumberNamesubmit date목차실험 이론사전 보고서참고문헌1. 실험 이론1.1. 이론적 배경1.1.1. RC time response 이론그림 1스위치가 닫히기 직전 회로에 전류가 흐르지 않으므로 저항에는 전압 차가 발생하지 않으며 초기에 캐패시터 의 충전된 전압은 영으로 가정한다.스위치가 닫히고 무한한 시간이 흐른 후의 정상상태(즉, t=∞의 상태) 정...2021.04.16· 11페이지