*득* 스토어

*득*

개인

팔로워0 팔로우

소개

등록된 소개글이 없습니다.

전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.

판매자 정보

학교정보

입력된 정보가 없습니다.

직장정보

입력된 정보가 없습니다.

자격증

입력된 정보가 없습니다.

판매지수

판매중 자료수

20개
전체 판매량

106개
최근 3개월 판매량

0개
자료후기 점수

평균A
자료문의 응답률

-

전체자료 20개

태양전지

SOLAR BATTERY (CELL)목 차신 재생 에너지 태양전지 소개 태양전지의 원리와 구조 태양전지의 특징 태양전지의 종류 Si 태양전지 박막 태양전지 태양전지 발전현황 태양전지의 필요성신 재생 에너지태양전지 소개태양광 에너지를 직접 전기로 변환시키는 반 도체 소자태양전지의 역사1839 프랑스 물리학자 Edmond Beczuerel : 전해질에 담긴 전극 사이에서 재료가 빛을 받을 때 전류가 흐르는 것을 발견 1876 Heinrich Hertz : 셀레늄 같은 고체에서 동일 현상 관찰 (광전효과 Photovoltaic Effect), 그 같은 재료를 태양전지(solar cells, PV cells)라 부름 (전환 효율 약 1~2%) 1940∼1950년대 본격적 PV 시스템 상업화 1941 적정 효율을 가지는 Si 태양전지 연구 1954 미국 Bell 연구소, 약 4%의 효율 첫번째 결정질 Si 태양전지 개발 이 후 대면적화, 변환 효율의 증대화, 생산단가 감소화를 통한 발전 1980년대 새로운 재료의 태양전지 개발 (CdTe, CuInSe2 ,TiO2)태양전지(SOLAR CELL)의 원리와 구조태양전지의 특징 (장/단점)장 점단 점- 청정 , 무한 에너지원- 전력 생산량의 일사량 의존필요한 장소에서 필요한 양 만큼 발전 가능낮은 에너지 밀도로 인한 큰 면적의 설치장소 필요유지 및 보수의 용이성 및 무인화 가능대면적으로 인한 한정적 설치 장소 에너지 시스템 비용이 고가- 20년 이상의 장수명높은 초기 투자비 및 발전단가태양전지의 종류태양전지 기술 비교SI 태양전지박막 태양전지박막 태양전지박막형 태양전지는 Si 를 적게 사용하거나 그 외 다른 화합물을 사용 때문에 Si 수급에 의한 영향이 없으며 원료비의 부담이 적음박막 태양전지박막 태양전지의 응용박막 태양전지의 문제점박막 태양전지의 연구기간에 비해 효율성 개선이 지연 짧은 상업화 기간으로 인하여 수명 및 신뢰성 검증 미흡태양전지 발전 현황업체별 현황태양전지의 필요성이하 참고 사항파장이 짧은 빛이 금속을 빛출 때 금속에서 전자가 튀어 나오는 현상광전효과 (PHOTOELECTRIC EFFECT)광전효과 (PHOTOELECTRIC EFFECT)전지에 빛 입사 광전효과를 통한 전자(N형)와 정공(P형) 발생 PN접합에서 전하의 농도 차로 전계 발생 전자 는 양극 정공은 음극으로 이동하며 전류발생태양전지 수명 및 효율결정 요소태양전지의 수명은 외부환경 (열, 기계적 응력)으로부터 전지를 보호 또는 치수안정성 접착성 등을 유지하는 백시트 층과 층과 층을 연결하는 봉지재 층의 영향을 받음{nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2009.10.28| 23페이지| 3,000원| 조회(405)

태양광발전, 재료공학, solar cell, 태양광에너지, 태양전지 종류, Sol..

미리보기

닫기
Epitaxy

에피택시 (Epitaxy)1. 에피택시(Epitaxy)의 정의소자에의 응용을 위한 결정성장 방법 중의 하나.결정이 다른 결정의 표면에서 특정한 방위 관계를 취해 성장시키는 방법으로 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막으로 표면을 덮는 코팅을 하여 각 재료들이 특정 위치에 정확히 위치할 수 있도록 기초공사를 하는 것이다.이 과정에서 기판은 새로운 결정을 성장시키는 종자 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다. 이렇게 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(Epitaxial growth) 또는 에피택시(Epitaxy)라 한다. 에피택시(Epitaxy)는?성장되는 결정과 기판이 같은 물질인 호모 에피택시(Homo Epitaxy)와 성장되는 결정과 기판의 결정이 서로 유사한 격자구조를 갖지만 다른 물질인 헤테로 에피택시(Hetero Epitaxy)로 구분된다.에피택시(Epitaxy)는 결정을 성장시키는 한 가지 기법이라 할 수 있지만, 결정의 성장 속도가 초크라스키법 속도의 1/1000밖에 안될 정도로 느리므로, 보통의 경우 두께가 수㎛ 정도인 소자용 박막 제작에 사용 된다.에피택시(Epitaxy)의 특징은 불순물 농도를 기판결정에 대해 독립적으로 설정할 수 있어 집적회로의 소자층을 만드는 경우와 같이, 고 불순물농도층 위에 저 불순물 농도층을 형성시키는 등의 조작이 가능하며 기판에 들어있는 첨가불순물과는 무관하다.2. 에피택시(Epitaxy)의 종류에피택시는 기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해지며, 성장 막의 표면에 적절한 원자를 공급하기 위하여 다양한 방법이 사용된다.주로 사용되고 있는 에피택시(Homo Epitaxy) 방법에는 원자층 적층 성장 에피택시(atomic layer epitaxy, ALE), 액상 에피택시(liquid phase epitaxy; LPE), 기상 에피택시(vapor phase epitaxy한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정으로 볼 수 있다.1) 원자층 적층 성장 에피택시 (ALE : Atomic Layer Epitaxy)반도체 소자의 절연층, 능동층, 액정 표시 소자의 투명 전극, 전기발광(electrolumiscence, EL) 표시 소자의 발광층, 보호층 등 제품이 경박단소화 추세에 따라. 집적회로와 광전자 소자와 디스플레이 등에 수∼수십 nm 두께의 박막을 일정한 두께로 균일하게 형성할 필요가 커졌다.막 형성에 필요한 원소를 한 번에 한 가지씩 증발시켜 박막을 형성하는 원자층 적층 성장(atomic layer epitaxy, ALE) 기술은 1974년에 핀란드와 1977년에 미국에서 특허가 등록되었으나 기존의 박막 형성 방법과 너무 다르고 응용 분야가 특수하게 보였기에 주목받지 못 하였으나 핀란드에서 이 기술을 사용 미국과 일본의 경쟁사 제품보다 훨씬 뛰어난 대면적의 EL표시 소자를 만들어내고 Society of Information Display 학회의 기술상을 받은 후 ALE 기술은 고품질의 박막을 형성하는 방법으로 주목을 받기 시작했다.근래에 이르러 원자 층 적층 성장(atomic layer epitaxy, ALE)이 아닌 경우도 포함하기 위해 일반적 명칭으로 ALE가 아닌 원자 층 증착(atomic layer deposition, ALD)로 부르고 있다.ALD 기술은 CVD 기술과 달리 반응 원료를 각각 분리 공급하는 방식으로 한 cycle 증착 시에 표면 반응에 의해 1ML(monolayer) 이하의 박막이 성장하게 된다. 표면 반응을 이용하여 원자 층 단위로 박막을 성장시켜 cycle 수에 따라 증착되는 박막의 두께가 결정되기 때문에 박막의 두께 조절이 매우 용이하며 300mm 웨이퍼처럼 대면적의 표시 소자에도 쉽게 적용할 수 있다. 그리고 기판의 요철에 관계없이 일정한 두께의 막이 형성되기 때문에 단차 피복성이 매우 좋을 뿐더러 형성된 막에 핀 홀이 없으며 분말이나 다공성 물질에도 균일한 두께흡착을 이용하기 때문에 CVD 보다 증착 온도를 낮출 수 있는 장점이 있다. CVD는 반응 원료의 유량 및 증착 온도, 시간 등에 매우 민감한 특성을 나타내어 공정 조건을 확립하기가 어려우나 ALD는 selflimited mechanism (한정된 자가 반응)을 이용하기 때문에 일정량 이상의 반응 원료가 공급되면 그 이상의 반응 원료의 양에 민감하지 않으며, 증착 온도에도 크게 영향 받지 않는 특성을 나타낸다.그러나 원자 층 단위로 증착을 하기 때문에 증착 속도가 보통 0.5Å～2Å/cycle 정도로 상당히 느리기 때문에 수 백Å 이상의 두께를 가지는 박막을 증착하는 데에는 어려움이 있으며 이러한 박막의 경우는 주로 증착 속도가 ALD에 비해 빠른 CVD를 이용한다. ALD 기술은 주로 매우 얇은 박막을 증착하는 데 이용되며 게이트 절연막이나 D-RAM에서의 capacitor 등을 증착하는데 주로 이용되고 있다.ALD의 경우 반응 원료의 화학흡착과 분자의 교환반응을 이용하며, 증착 온도에서 열분해 반응이 발생해서는 안 되므로 반응 원료의 제약이 많은 단점과 CVD 보다 저온 공정이므로 CVD에 비해 불순물이 함유될 가능성이 높다.직접 증발 ALD 기술로는 증발 온도가 매우 높은 원소로 구성된 막을 형성할 수 없었지만 화합물 원료를 사용하는 ALD 기술이 개발됨에 따라 이러한 조성의 막도 ALD 기술로 형성할 수 있게 되었다. 이렇게 화합물 원료를 사용하는 경우 원자 층 증착법은 기상 반응을 최대로 억제한 화학증착법의 일종으로 볼 수 있으며 원자 층 화학 증착법 (atomic layer chemical vapor deposition, ALCVD)으로 부르기도 한다.ALD 기술의 경우 일반적인 문제점으로 대량생산이 어려운 점이 이었으나 근래에는 여러 반응기로 하나의 ALD 장비를 구성해서 장비의 생산성을 높이려는 노력도 있다.또한 게이트 절연막으로 사용하기 위해 실리콘 산화막을 대체할 고유전 물질의 박막을 형성하는 데에 ALD 기술이 가장 유망하며 차세대 메모리위한 연구도 활발하며 막 성장 속도의 한계를 극복하고 물리적인 성질 이 뛰어난 막을 형성할 수 있는 PEALD 기술은 반도체 소자 생산에 ALD 기술의 응용을 앞당길 것으로 보여진다.또한 지금까지 ALD의 연구는 주로 이성분계 물질에 국한되어 이루어졌지만 박막의 조성의 균일성 문제 및 반응 원료 선택의 어려움 등으로 인해 지금까지는 거의 연구가 이루어지지 않았던 삼성분계 물질의 연구도 진행중이다.2) 액상 에피택시 (LPE : liquid phase epitaxy)액상 에피탁시 기술은 많은 3-4족 화합물 반도체의 결정층 성장에 있어서 가장 간단하면서도 결정의 성장온도가 낮기에 용기벽에서 오염이 적고 결정화된 물질의 순도가 높은 방법이기에 광범위하게 사용되는 방법이다. 기본적으로 LPE는 성장되어 지는 물질로 포화 내지는 과포화 상태인 용액에서부터 단결정 기판위에 결정층을 성장 시키는 것을 의미한다. 따라서 기판의 결정구조의 연속성을 위해서 성장되는 결정층과 비슷한 결정구조와 격자상수를 가져야 한다. 결정 성장을 위한 용액은 결정체의 주된 요소들 중 한 물질이 풍족한 상태여야 하고 다른 모든 물질들은 희석된 상태여야 한다LPE의 성장 장치들은 조절된 온도 조건하에서 일정 시간동안 원하는 구성성분의 용액이 기판과 접촉되도록 하고서 상태도에 의해 예견된 온도와 용해도 사이의 상관관계를 이용하여 온도를 감소시킴으로써 고체물질의 증착에 필요한 용액의 과포화 상태에 도달하게 된다. 열역학적 고려 외에 용액 내에서의 구성요소들의 확산이나 온도 및 구성 물질들의 차이에 의한 대류들이 LPE 공정에 영향을 미치게 되지만 이와 같은 것들은 시스템과 제작회사들에 따라서 그 정도가 달라지게 된다.우선 기본적인 LPE 성장기술을 살펴보면 기울기, 담금, 미끄러짐 등의 세 가지 방법이 있다. 기울기 법에서는 용액이 반응로의 기울음에 의하여 기판과 접촉을 하게 되고 담금법에서는 수직 로 내에서 기판을 용액 속에 밀어 넣음으로 기판과 용액이 접촉이 일어나게 한다. 미끄러짐 법에서는 용액기울게 하면 용액과 기판과의 접촉이 이루어 지는데 이때 반응로의 온도를 천천히 낮추면 결정층이 성장한다. 정해진 온도에서 일정시간이 지나면 다시 원래의 상태로 되돌려 성장을 끝낸다.다음은 담금법의 개략도 이다. 성장용액이 담긴 도가니에 지지대에 고정된 기판을 원하는 온도에 용액 속에 담금으로써 결정층이 성장하기 시작한다. 원하는 만큼 시간이 경과된 후에 다시 기판을 원위치로 끌어올리면 결정의 성장이 끝난다. 기울기법이나 담금법의 경우 구조가 간단하지만 양질의 결정층을 얻을 수 있다. 그러나 다층의 결정층을 얻기 위해서는 복잡하고 변형된 형태의 장치가 요구되고 있다.< 담금법의 개략도 >< LPE 다층 에피택시를 위한 미끄러짐 보트의 개략도 >LPE의 세 번째 방법인 미끄러짐법을 사용할 경우 다층의 결정층을 만들 수 있다. 위의 그림은 수평으로 되어있는 미끄러짐 LPE공정의 개략도이다.슬라이드에 기판을 얹어 놓을 수 있도록 파내고 슬라이드를 이동하여 기판이 용액아래 위치까지 옮겨지게 하는 장치를 이용한 방법이다. 전체 시스템은 가열된 로에 넣어 사용되게 하며 원하는 기체 분위기 내에서 결정층이 성장하게 된다. 슬라이드가 원하는 온도 내에서 용액의 아래도 이동하게 되며 결정층이 성장하는데 성장을 끝내기 위해서는 기판을 용액 바같으로 이동하면 된다. 그림을 보면 슬라이드와 용기 아랫부분과의 간격이 보이는데 이부분은 슬라이드가 이동될 때 기판 위의 잔존하는 용액을 깨끗이 닦아 낼 수 있을 뿐 아니라, 한 용기에서 다른 용기로 용액이 넘어가지 않도록 최적화 되어 있다.3) 기상 에피택시 (VPE : vapor phase epitaxy)액상 에피텍셜법과 나란히 기판위에 양질의 단결정을 만드는데 우수한 방법이다. 특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전하게 성장시킬 수 있다.또한 실제 소자의 제작에 있어 원하는 불순물(dopant) 농도를 갖는 결정층을 연속적으로 여러 층 성장시킬 수 있어 비교적 간단하.

공학/기술| 2009.10.28| 10페이지| 2,000원| 조회(771)

박막, 박막증착, Epitaxy, 박막공학, 에피택셜, 에피탁시

미리보기

닫기
$Diffractometer 와 Spectrometer$

Diffractometer 와 Spectrometer

Diffractometer Spectrometer목 차Diffractometer 정의와 종류, 구조 및 원리 Dye-scherrer 와 비교 카운터(Counter) Spectrometer 정의 및 종류 에너지 분해능Diffractometer의 정의단결정 또는 분말시료에 파장이 일정한 X선을 사용 회절각을 바꾸며 회절이 일어난 X선의 세기를 계수관으로 측정. X선의 세기, 각도를 자동 기록하는 장치Diffractometer의 종류Philips diffractometerSimens diffractometerDiano diffractometerDiffractometer의 종류Siemens diffractometePhilips diffractometer구조 및 원리X-ray(단색 X-ray)는 X-ray Source 에서 발생 시료에 의해 회절 된 후 Slit에 모여서 카운터로 입사됨Diffractometer 의 구조Dye-sherrer카메라와 Diffractometer의 비교Debye-Scherrer 필름 사용 모든 회절선이 동시에 기록 복잡한 단계 (필름무늬기록 후 미소광도계의 기록을 만든다) 낮은 정밀도 Diffractometer 회절빔의 강도를 카운터(Counter)로 직접 측정 회절선으로 한 개씩 순차로 기록 고온 및 저온에서의 측정에도 이용 한번의 조작으로 회절선의 강도와 그 위치를 측정 높은 가격Diffractometer 내부의 부품 배치조건선상 X-ray Source, 시료표면, 수광 Slit의 축이 나란히 위치해야 함 시료표면과 Diffractometer 축이 일치해야 함 선상 X-ray Source와 수광 Slit이 Diffractometer circle 에 있어야 함검 출 회 로 도회절무늬 측정방법 회로 종류에 따라 결정 카운터를 계수 레이트미터(Counting rate meter)에 연결 * X-ray 강도를 연속적으로 나타냄 카운터를 스케일러(Scaler)에 연결 * X-ray 강도를 단속도로 나타냄계수 레이트미터카운터를 2θ=0˚에 맞추고 출력측을 기록계에 연결 카운터는 일정한 각 속도로 2θ가 커지는 방향으로 이동하면서 전각도의 범위를 전부 Scanning 2θ는 기록방향의 이동거리에 비례 높은 주사 속도 = 2θ를 1분마다 2 ˚씩 카운터의 최고 이동각도 = 약 165 ˚NaCl 분말의 회절무늬스케일러(Scaler)일정한 각 2θ에서 필요한 시간 동안 고정 시키면서 펄스의 총수를 계수 → 카운터를 순차적으로 이동 시키며 펄스를 카운트 함 2θ에 따른 강도곡선은 손으로 게재 회절무늬를 전부 나타내기 위한 각의 간격 : 0.01˚ → (계수 레이트 미터보다) 오래 걸리나 정확한 강도 측정 가능슬릿 (Slit)X-선 빔을 모든 방향으로 발산하지 않고 한 방향으로 발생하도록 도와주는 장치(콜리메이터와 비슷)슬릿의 배치콜리메이터Soller Slit (솔로 슬릿)약 12장의 엷은 금속판을 좁은 간격으로 쌓아서 제작 치수 : 판 길이 32mm, 판 두께 0.5mm, 판 간격 0.43mm 입사 Slit a는 출구 Slit b보다 좁다 발산 Slit과 산란 Slit의 각도 1/6˚1/4 ˚1/2 ˚1 ˚2 ˚4 ˚ (보통 1 ˚슬릿을 많이 사용)Soller Slit 의 개략적 구조카운터(Counter)정 의 회절 빔의 강도를 직접측정(펄스를 만들어내는 검출장치) 종 류 비례카운터, Geiger카운터 → 원자가 가스상태 Scintillation 카운터, 반도체 카운터 → 원자가 고체상태카운터의 특성계수손실 카운터에서 펄스의 발생율은 시간적으로 불규칙 계수율이 1/tο보다 작을 때 일어남 계수효율 입사하는 X-선 양자를 분해펄스를 이용하여 측정 E=Eabs×Edet=［(1-fabs,w)(fabs,c)］×［1-flosses］ 에너지분해비례카운터(Proportional counter)25㎜의 원관을 음극, 중심에 50㎜φ의 텅스텐 심선을 놓고 양극으로 함 두 극간 1000∼2000v의 직류고전압이 걸림 관 안에 Ar,CH₄혼합가스를 1기압으로 넣어서 사용Proportional counter 의 개략적 구조Geiger-Muller counter비례카운터에서 전압을 1500v부근까지 올림 현재 방사능 측정장치 외 회절실험에 사용하지 않음 높은 전압 → 전자의 이온화, 원자의 여기된 상태로 자외선 방출Scintillation counterX-선 물질에 대해 가시 가능한 형광선 발생 발생한 형광선은 X-선 강도에 비례, 광전관으로 측정 작은 빛의 양은 광전 증폭기를 사용, 측정 가능한 전류로 만듦Semiconductor counter (반도체 카운터)1960년대 발명, 가장 새로운 형식 좋은 에너지 분해력 흡수한 X-ray 에너지에 비례하는 펄스발생 Si, Ge 반도체에 X-ray를 입사하면 이온대 생성파고분석의 정의와 종류정의 입사X-선 에너지에 따라 검출기의 출력전압이 다른 것을 이용하여 스펙트럼을 조사 종류 파고선별기(Pulse height discriminator) 단일채널파고분석기(Single channel pulse height analyzer) 다중채널파고분석기(Multi channel pulse height analyzer)파고 선별기에너지를 측정하기 위한 회로 증폭기의 발생 요인에 의한 펄스 중 일정범위의 펄스 에너지만 계산하고 그 밖의 펄스는 제거하는 장치 목적 산란성, 주위 요인 방지단일 채널 파고 분석기창 폭을 LLD와 ULD사이로 창 내의 픽(Peak)에너지만 계산함 종류 LLD(Lower Level Discriminator : 하한 파고선별기 ULD(Upper Level Discriminator : 상한 파고선별기 역동 시 계수회로 : 특정한 에너지의 방사선 유무감시에 이용다중 채널 파고 분석기종류 Pulse Height Analysis 모드(PHA) Multi Channel Scaling 모드(MCS)SpectrometerSpectrometer의 정의 각도를 재기 위한 눈금이 있는 분광계. 구조를 알고 있는 결정 사용 X-ray 스펙트럼을 측정하는 장치.에너지 분해능Spectrometer의 성능 평가의 가장 중요 인자는 에너지 분해능이다. 에너지 분해능이란? 근접한 에너지를 분석할 수 있는 능력 분해능 식 R = (FWHM/Er) × 100(%)Spectrometer의 종류 1단일 채널 Spectrometer 하나의 계수관을 통해서 한가지정보가 입수 되므로 채널로 생각할 수 있음평면 결정형 X-선 스펙트로미터곡면 결정형 X-선 스펙트로미터Spectrometer의 종류 2다중 채널 Spectrometer * 분석하고자 하는 스펙트럼선의 수만큼 결정과 계수관을 갖춘 자동기기 * 각각의 파장에 대해 정해진 위치에 결정과 계수기가 고정다중채널 SpectrometerX-ray Spectrometer의 형태1. 파장 분산형 Spectrometer 시료에 의해 방출되는 X-ray는 면간거리를 알고 있는 단결정에 의해 회절되고 브레그법칙에 의해 각도에 따라 특정한 파장의 X-ray만 회절 할 수 있게 된다 2. 에너지 분산형 Spectrometer 이 종류의 Spectrometer는 회절현상이 포함되지 않는다X-ray 방출 방법1. X-ray에 의한 여기 시료에 X-ray 관에서 발생시킨 X-ray를 조사하면 시료는 2차 형광 X-ray를 방출하고 이를 Spectrometer로 분석 2. 전자에 의한 여기 시료를 진공장치 내에서 고 에너지 전자를 조사하면 X-ray가 발생한다방사선의 에너지 측정용 검출기의 성능단일 에너지의 방사선 원으로부터 측정한 피크의 폭 평가 검출기에 감마선 입사되더라도 전기적인 신호로 변화함에너지 분해능에 미치는 영향검출기 내에 생성된 전하 운반자수에 통계적 요동 검출기 전치 증폭기, 선형 증폭기 등 전기적인 잡음 검출기 내에 생성된 전하의 불완전한 수집증폭기의 종류전치 증폭기 검출기 내에 방사선과 상호작용에 의해 발생된 전하량에 비례하는 신호의 크기 전하민감형(Charge Sensitive pre-amplifiers)가 에너지 스펙트럼 측정에 주로 이용전치 증폭기의 성능입력파고 신호 (+)또는 (-)의 전하신호 Ge결정에 가하는 인가전압의 극성과 신호의 취급방법에 따라 다름 고압회로 필터회로를 구성하고 있으며 충분히 높은(~1010) 직렬 저항으로 되어 있음 비선형선(적분) 최대 파고치에서 0.05%이하비선형성(미분) 최대파고치까지 걸쳐 0.5%이하 안정성 0~50℃ 범위에서 ±0.005%/ ℃이하 등가 잡음 검출기 용량 0pF에서 약 500eV이하, 수 eV/pF 출력 파고신호 (+)또는(-) 극성의 tail펄스 (rise time : 수10~100ns0, 불감시간 : ~50s){nameOfApplication=Show}

공학/기술| 2009.09.29| 36페이지| 2,500원| 조회(342)

X선, X-Ray, X선회절, X선 회절분석, X선회절 분석방법

미리보기

닫기
martensite 강화의 원인 평가A+최고예요

Martensite 강화의 원인일반적으로 탄소강은 탄소의 함유량과 열처리 온도에 따라 수많은 조직으로 나뉘며 각각의 성질이 모두 다르게 나타난다. 탄소강은 상온에서 페라이트조직이고 원자의 배열상태는 BCC 구조이다. 하지만 특정온도 이상이 되면 원자 배열상태는 FCC 상태로 변하고, 그 상태에서 온도를 더 올리면 다시 BCC상태로 변하게 되는데 이러한 변화를 동소변태라하고 원자 배열상태가 FCC 구조로 배열된 것을 오스테나이트라고 한다. 마르텐사이트 조직은 바로 오스테나이트 조직 상태의 철을 임계 냉각속도 이상으로 급냉(quenching)하게 되면 나타난다.오스테나이트를 급냉 하게 되면 내부에 안정적으로 자리 하던 탄소원자가 확산해서 이동할 수 있는 시간적 여유가 없어진다. 때문에 확산하지 못한 탄소원자는 대부분 α철 내에 고용상태로 남아 있게 된다. 즉 페라이트의 BCC격자 구조의 C축에 탄소가 억지로 고용 (즉 과포화 고용상태) 탄소가 끼어 있는 상태가 되어 격자간의 간격이 멀어진 BCT 구조가 된다.그러나 탄소원자가 차지할 수 있는 격자의 틈새 자리의 크기는 γ철(0.51Å)에서보다는 α철(0.35Å)에서 더 작기 때문에 격자가 팽창될 수밖에 없으며 이때 격자 내부에 탄소원자로 인해 나타나는 응력과 억지로 끼워져 있는 상태의 탄소가 철원자의 이동을 방해하게 된다. 따라서 철원자의 이동이 어렵게 되고 가공시 변형이 잘 일어나지 않게 된다. 어떤 힘에 의해 재료가 변형되지 않는다는 것은 경화 강화되었다는 의미이므로 탄소가 철원자의 격자 틈에 끼어 있는 상태는 경화 ? 강화된 상태가 되는 것이다.이와 같이 α철 내에 탄소가 과포화 상태로 고용된 조직을 마르텐사이트(martensite)라고 부르며 마르텐사이트 변태가 시작되는 온도를 MS점, 종료되는 온도를 Mf점이라고 하며, 이 온도는 오스테나이트의 화학조성에 따라 달라며 공석강 (탄소함유량이 0.8% 의 탄소강)에서 약 230℃정도이다.그 밖에 탄소량에 따른 Ms, Mf점의 변화를 보면, 탄소량이 증가됨에 따라 MS, Mf점은 저하 하는 것을 알 수 있다. 또한 마르텐사이트 조직의 형태도 탄소량에 따라서 래스(lath), 혼합 및 판상(plate) 마르텐사이트로 변화된다. 또한 펄라이트와 베이나이트의 형성은 변태시간에 따라 진행되는 반면 마르텐사이트의 형성은 변태시간에는 무관하며 Ms 온도 이하로의 온도 강하량에 따라서만 결정된다.급냉으로 만들어진 마르텐 사이트의 조직은 침상 조직이며 임계냉각속도 이상의 냉각속도( 천만분의 1초대)에서 냉각될 때 일어나기에 펄라이트 조직이나 베이나이트 조직과 달리 충분한 탄소의 확산을 수반하지 못해 조직 내 전위밀도(轉位密度)가 극히 높은 것이 그 경도(硬度)의 원인이라 볼 수 있다.위의 그림은 마르텐사이트가 생성되는 과정의 모식도 이다. 하얀색의 오스테나이트 결정립사이로 침상형의 마르텐사이트 조직이 관통되어 형성되며 결정립의 크기에 따라 형성되는 마르텐사이트 조직의 크기도 달라진다.

공학/기술| 2008.11.26| 3페이지| 1,000원| 조회(754)

탄소강, Martensite, Martensite 강화

미리보기

닫기
LCD PDP CRT의 구조 및 구동원리

LCD PDP CRT의 구조 및 구동원리1. LCD (Liquid Crystal Display : 액정)1) LCD의 정의액정 디스플레이(LCD : Liquid Crystal Display)는 액체와 고체의 중간 특성을 가진 액정의 상태 변화를 이용해 정보를 표시하는 장치이다. 두 개의 유리 기판 사이에 액정물질이 주입되고, 외부에서 전압이 가해져 액정의 전기 광학적인 특성을 사용한 디스플레이 기구이다. 원래 액정은 온도 변화에 따라 상태가 바뀌는 특성에 의해 발견되고 난 뒤 전기에 의해 발생하는 전기장의 변화에 따라 배열 상태가 바뀌는 특성을 이용한 것이 LCD이다. 액정 디스플레이는 외부에서 입사되는 빛을 이용한다는 점에서 기존의 다른 디스플레이와 구분할 수 있다.액정 디스플레이의 장점으로는 소형, 박형 제작이 가능하고 소비전력이 적다는 점이다. 현재 사용되거나 개발 중에 있는 액정 디스플레이의 종류로는 네마틱 액정을 이용한 수동구동형의 TN, STN, ECB LCD와 능동구동형의 TFT LCD가 있으며, 스멕틱 액정을 이용한 FLC, 고분자에 분산되어 산란모드를 이용하는 PDLC등이 활발히 연구되고 있다.2) LCD의 구조LCD는 다음과 같은 구조로 되어 있다. LCD 판넬의 구조액정 패널은 유상의 투명한 액정 조성물(액정 재료)이 2장의 투명한 기판에 샌드위치되어 주위가 씰 되어진 구조를 갖고 있다. 투명한 기판으로서는 주로 유리를 사용하는 경우가 많지만 플라스틱을 이용하는 경우도 있다.투명 기판의 내면에는 액정에 전압을 인가하는 전극(투명전극)이 설치되어 있다. 투명전극의 재료로는 쉽게 낮은 저항치를 가지게 하는 인듐 산화물(ITO: Indium-tin-oxide)이 널리 사용되고 있다.LCD에서는 액정을 봉입한 투명 기판의 앞뒷면에 한 쌍의 편광 필터를 설치하는 것이 주류이다. 따라서 광원으로부터 나온 빛은 광원, 편광 필터, 유리판, 투명전극, 액정, 투명 전극, 유리판, 편광필터의 경로를 거쳐 눈에 도달하게 된다.3) LCD의 구동원리LCD의 가 따라 액정분자의 배치방법과, 전압에 의한 액정분자의 정렬방식이 달라진다. 구동방식의 차이가 크게 영향을 끼치는 건 시야각과 응답속도 특성이다.먼저 TN방식의 액정분자 배열이다. 그림은 TN방식 액정분자 배열을 간단하게 도식화한 것이다. TN방식 액정분자 배열전압이 OFF일 때(C)는 액정분자가 수평으로 늘어서 백라이트의 빛을 통과시켜 화면이 '백'이 된다. 이 상태에서 서서히 전압을 가해주면 액정분자가 수직으로 일어서면서 최대전압이 되었을 때(A) 백라이트의 빛을 막아서 화면이 '흑'이 된다. 감각적으로 액정분자가 수평 일 때 (전압OFF) 백라이트 빛을 차단하는 것으로 생각하기 쉽지만, 액정분자를 감싼 편광판과 액정분자의 비틀어짐(90도)에 따라 앞서 설명한 대로 빛이 움직이게 된다.TN방식의 장점은 구동전압이 낮고 생산비용이 저렴하며 단점은 시야각에 따라 색변화와 휘도변화가 크다는 점이다. 시야각에 대해서는 그림 1-1.1의 (B)를 보면 알기 쉽다. 액정분자의 각도로 백라이트의 광량을 조정하기 때문에 (B)처럼 화면을 보면 각도에 따라 투과하는 빛의 양이 달라지게 된다. 즉, 색을 중시하는 용도에는 맞지 않는다고 할 수 있다.TN방식의 응답속도는 일반적으로 일어섬(흑->백)이 늦고, 눕는것(백->흑)이 빠르다. 또한 누웠다 일어서는 것에 비교해서, 중간색의 응답속도가 급격하게 저하되는 경향도 있다.다음은 VA방식의 액정분자 배열이다. 그림은 VA방식 액정분자 배열을 간단하게 도식화한 것이다. VA방식 액정분자 배열전압이 OFF일 때(A)는 액정분자가 수직, 최대 전압일 때(C)는 수평으로 늘어선다. 화면의 상태는 전압OFF가 흑, 최대전압이 백이다.VA방식의 큰 특징은, 전압이 OFF일 때 백라이트의 빛이 액정분자의 영향을 받지 않고 편광판에서 거의 완전히 차단된다는 것이다. 즉, 꽤 순수한 흑색을 표현할 수 있어 명암의 비율을 높이기 쉽다.또한 시야각에 따른 휘도변화와 색변화는 TN방식과 비슷하다는 약점을 안고 있다. 액정분자의 각도로 백라이트 광량을다. 그림은 IPS방식의 액정분자 배열을 간단하게 도식화한 것이다. IPS방식 액정분자 배열IPS방식에서는 수평으로 눕힌 액정분자를 수평방향으로 회전시켜서 백라이트 광량을 제어한다. 액정분자의 수직방향 기울기가 발생하지 않기 때문에, 시야각에 따른 휘도변화와 색변화가 적다는 것이 특징이다. 때문에 태생적인 약점으로 명암비와 휘도, 응답속도를 높이기가 힘들다는 점을 들 수 있다.명암비에 관해서는, 화면이 '흑'일때에도 백라이트의 빛 누수현상이 크기 때문에 진한 '흑'을 얻기 힘들다. '흑'상태의 휘도치가 높아져서, 명암비(흑과 백의 휘도비)도 낮아져 버린다. 또한 개구효율 문제로 고 휘도화가 어렵고, 액정 분자의 회전방법에 따른 문제로 응답속도를 높이는 것도 힘들다. 단, VA방식과 달리 응답속도가 고르게 나타나는 특징이 있다.IPS방식의 LCD는 그래픽이나 의료분야에서 높은 수요를 가지고 있다. 동화성능(고속응답)이 딱히 요구되지 않는 현장에서 IPS방식의 고품질 발색특성과 시야각특성이 높게 평가받고 있기 때문이다.2. PDP (Plasma Display Panel)1) PDP의 정의이름에서 알 수 있듯 Plasma를 이용한 디스플레이 소자이다. 먼저 구동원리를 설명하기 전에 Plasma에 대해 간단히 설명하고 넘어 가겠다.플라즈마를 정의하자면 간단히 “물질의 제 4 상태”라고 할 수 있다. 흔히 알고 있는 물질의 3가지 상태는 고체, 액체, 기체의 3가지로 말 할 수 있다. 일반적으로 고체에 열(열이라는 것은 에너지의 여러 형태 중 한가지라고 볼 수 있다.)을 가하면 융점을 지나 액체가 되고 그 상태에서 계속해서 더 열을 가하면 기체상태가 된다. 이 기체 상태의 물질에 더욱 열을 가하게 되면 이온과 전자로 분리되며 전하를 띈 입자로 전기적으로 중성을 가지는 상태가 되는데 이 상태가 바로 Plasma이다.PDP의 경우 플라즈마를 얻는 원리는 열을 가하는 것이 아닌 기체의 방전을 통해 얻어 진다.2) PDP의 구조PDP의 구조를 살펴보면 다음의 그림과 같다.그림 구조PDP의 상판에는 방전유지를 위한 X 전극과 Y 전극이 투과도를 고려 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성되고, 전극의 가장자리에는 ITO의 높은 전극을 보상하기 위하여 Ag, 혹은 Cr-Cu-Cr의 버스전극을 형성한다. 자연스러운 용량성 형성을 통한 전류제한을 위하여 PbO 계열의 유전층을 도포하고, 그 표면에 MgO 보호막을 증착한다. 이 유전층 형성으로 인하여 AC PDP의 주요 특징 중의 하나인 메모리 특성이 나타난다. MgO 보호막은 PbO 유전층을 이온의 스퍼터링으로부터 보호하여 주며, 또한 방전 시 낮은 에너지의 이온이 표면에 부딪혔을 때 비교적 높은 이차전자 발생계수의 특성을 가져 방전 플라즈마의 구동 및 유지전압을 낮춰주는 역할을 한다. PDP의 상판과 하판사이는 방전기체가 300~400 Torr 정도로 채워진다. 방전기체는 주로 페닝(Penning) 혼합기체를 사용하는데, He, Ne, Ar 또는 이들의 혼합기체로 바탕기체(Buffer Gas)를 형성하고, 형광체를 발광 시키는 진공자외선의 Source로써 소량의 Xe(크세논) 기체를 섞어 사용한다.3) PDP의 구동원리PDP의 화상구현은 0.1mm정도 간격을 유지한 2장의 유리판 사이에 네온과 크세논 등의 가스를 채워 수많은 격벽으로 구성된 방전공간에 3원색(R,G,B)의 형광체를 바르고 유리판에 설치한 전극에 전압을 가하면 방전현상이 일어나고 여기서 발생한 자외선이 형광체에 부딪히면서 빛이 일고 이를 조합해 화상을 구현하는 것이 기본원리이다.먼저 상판에 설치된 Address전극과 Sustain전극 중에 한 전극과 방전을 일으켜 벽 전하를 형성하면 선택 된 셀의 두 Sustain 전극 사이에 표면 방전을 일으켜서 구동이 되게 된다. Sustain 방전이 끝나면 셀을 소거하고 전화면 쓰기 및 지우기를 하여 벽 전하를 균일한 상태로 만듦으로써 한 주기가 끝나게 된다. Sustain 방전시 한 쌍의 전극에 플라즈마 형성 임계 전압(Vf)보다 높은 구동 전압을 인가하면 방전가스는 방전구조가 복잡하며 전?후면 Panel에 양극과 음극이 형성되어 있다. 또한 DC의 경우 전류 제한용 저항이 있으며, 이러한 셀들이 구성되어 있는 전면, 후면 Panel를 Sealing한 상태에서 방전가스를 충천시키고 DC전원을 인가한다.전면 기판에는 음극과 수직 방향, 즉 격벽과 평행하게 양극을 형성하며 양극에는 별도의 격벽은 필요 없게 된다. 전면 기판과 배면 기판을 붙여 그 가장 자리를 진공 상태에서 붙이고 마지막으로 기체를 주입 한 뒤 양극과 음극 사이에 방전 보호 저항을 넣고 DC전압을 인가하면 그 교점에서 발광하게 된다.AC형은 전극이 얇은 유리성분의 절연체로 덮여 있고, 200Khz 내외의 Pulse 전압으로 구동된다. 구동방식에는 방전 후에 낮은 방전유지 전압을 가하여 방전이 지속되는 Memory방식과 표시해야 할 전극 사이에 전압이 높은 펄스 전압을 인가하여 방전시키는 Refresh방식이 있다. AC형 PDP의 구조에서는 각 셀이 격벽에 의해 독립되고, 전후면 Panel에 전극이 형성되어 있는 것이 특징이고, 각 전극에 정현파 교류전압 또는 펄스 전압을 인가하여 방전을 일으킴으로 전면 Glass를 통해 영상을 볼 수 있다. 또한 DC형과 같이 배면 기판 위에 수직 전극을 평행하게 설치하고 유전체로 절연하는데 가스 방전을 이용하는 것에 관계없이 전극을 절연하는 것이 핵심이다. 유전체의 표면에는 방전 특성을 높이기 위해서 MgO를 증착 한다.AC형은 다시 대향 방전형과 면방전형으로 나뉘는데, 대향 방전형은 방전시 나오는 이온에 의한 형광체 열화로 인해 수명이 단축되는 문제가 있는 반면, 면방전형은 형광체 열화로 인해 수명이 단축되는 문제가 있다. 면방전형은 방전을 형관체 반대편 면으로 모아 형광체 열화 문제를 최소화하여 현재 대부분의 PDP구조로 사용되고 있다.3. CRT (Cathode Ray Tube : 음극선관)1) CRT의 정의CRT(Cathode Ray Tube : 음극선관)는 전기신호를 전자빔의 작용에 의해 영상이나 도형, 문자 등의 광학적.

공학/기술| 2008.11.23| 10페이지| 2,000원| 조회(1,708)

LCD, PDP, display, CRT

미리보기

닫기