*찬* 스토어

*찬*

개인인증

팔로워0 팔로우

소개

등록된 소개글이 없습니다.

전문분야 등록된 전문분야가 없습니다.

판매자 정보

학교정보

입력된 정보가 없습니다.

직장정보

입력된 정보가 없습니다.

자격증

입력된 정보가 없습니다.

판매지수

판매중 자료수

9개
전체 판매량

749개
최근 3개월 판매량

0개
자료후기 점수

평균B
자료문의 응답률

-

전체자료 9개

[나노공학] 나노실버 평가B괜찮아요

..PAGE:1Nanosilver..PAGE:2나노재료 가운데 현재 가장 많은 상품화우리의 생활과 밀접한 부분에 많은 관련건강과 환경의 측면에서 훌륭한 물질다양한 분야에서 찾기가 용이현재 가장 작은 nm 사이즈를 갖는 나노입자나노실버의 조사배경..PAGE:3NanosilverNanosilver 란?Nano-technology 와 silver 의 합성어- 은을 20nm이하로 잘게 쪼개 나노화하여 살균 및 항균의 특성을 극대화 시킨 것을 말한다.- 노란색에서 갈색까지의 다양한 색을 띤다(황금계열)나노입자와 빛의 상호작용(Surface plasma)(주)한국생명공학이란 회사가 처음으로 개발한 아이템의 물질명이자 브랜드명 (현재 나노실버(나노T&C) 나노실리버(나노composite), 나노버(나노폴리)로 사용)..PAGE:4Nano-silver의 특징 및 장점내열성,내구성적용성이 용이하여 응용이 광범위미생물에 내성을 주지 않음1nm이하까지의 초미세 크기환경친화적이고 독성이 없다(인체에 무해)항균,살균,항곰팡이,탈취원적외선방사등 복합적 기능기능지속성이 우수광범위한 항균스펙트럼경제적인 가공공정 & 대량생산 가능나노입자의 침투로 내세탁성이 우수투명성제품등 적용영역의 차별화..PAGE:5유 해 균키토산( CHITOSAN)은( SILVER )동( COPPER)황색 포도상구균206.3200대장균200.78400녹농균2000.78400페렴균7000.78400간상균5001.56400미구균200.78400살모넬라항균 자료 없음0.78400Corynebacterium항균 자료 없음0.78200자연물질의 항균/제균제의 각종 미생물에 대한 최소발육 억제농도..PAGE:6나노실버의 항균 및 살균 메카니즘은의 양이온에 의한 항균 및 살균 작용- 세균의 -SH, -COOH, -OH기 등과 강하게 결합하여 세균의 세포막을 파괴 혹은 세포의 기능을 교란시킴활성산소에 의한 살균작용- 콜로이드 은이 촉매작용을 하여 산소가 활성산소 (O2-, O2+, O)로 전환되어 살균작용금속으로서의 항균 및 살균작용- 다른 금속이나 일반 은과 달리 20nm이로 나노화 되어 있어 100-200nm의 미생물이 이를 섭취 가능하고, 섭취시 호흡기 장애 및 대사장애로 죽음...PAGE:7Schematic diagram of sterilization..PAGE:8나노실버의 탈취메카니즘Nanopore 에의한 흡착금속이온에 의한 극미량의 활성산소 의 냄새성분의 분해..PAGE:9Schematic diagram of Nanopore..PAGE:10나노실버의 안정성 과 우수성XRD spectrum of nanosilverStability test of nanosilverAg Nano-particle on ColloidEfficacy of Nanosilver..PAGE:11..PAGE:12..PAGE:13..PAGE:14..PAGE:15나노실버의 응용분야

공학/기술| 2003.11.29| 17페이지| 1,500원| 조회(1,554)

은, ag, 항균, 은 나노, 실버나노

미리보기

닫기
[전자현미경] sem의 원리와 측정 평가A+최고예요

SEM(Scanning Electron microscopy : 주사전자현미경)1. 구 조1. 전자총(Electron Gun) : 전자총의 역할은 광원으로 쓰이는 전자를 만들고 가속시키는 역할을 한다. 전자총은 전자선(electron ray)의 형태로 사용되는 안정된 전자원을 공급하게 된다2. 자기렌즈 : 자기렌즈는 코일이 감아진 원통형의 전자석으로 전자가 자장에 의해 휘는 성질을 이용하여 전자를 한곳으로 모으는 역할을 한다. 수렴렌즈는 전자총을 빠져나온 전자빔을 모아주는 역할을 하며 시료에 조사되는 빔의 크기를 결정하는 대물렌즈는 전자빔 형성렌즈로도 불린다.3. 축 조정 코일 : 전자총의 음극 바로 밑에서 전극 코일을 통해 X-Y축 방향으로 적당량을 편향하여 집속렌즈의 축에 일치하게 하는 기능을 맡는 곳이다.4. 주사 코일 : 집속렌즈와 대물렌즈 사이에 위치하여 전자선을 대물렌즈 중심의 한 점에 편향시키는 역할을 한다. 이 점에서 대물렌즈에 의해 다시 확대되며 이를 전자선이 시간에 따라 왕복하게 하는 작용을 하게 된다. .5. 비점보정 코일 : 오염물 등에 의해 생기는 산란전자 등은 초점이 맞지 않게 되어 해상도를 떨어뜨리게 되는데, 이를 적당한 전류를 통해 보완하는 곳이다.6. 시편과 시편 홀더 : 시편 홀더는 X, Y와 Z축 방향의 이동과 회전 및 기울임이 가능한 고니오미터이다. 넓은 시편을 이동하면서 관찰하거나, 파면 등을 유리한 방향과 위치에서 관찰할 수 있다.7. 검출기 : 가속전자는 고체시료와 반응하여 여러 가지의 전자신호를 발생시키는 데 이들을 영상화하기 위한 검출기들이 SEM에 붙어 있다.8. 화상 신호증폭기 : 광전자 증폭기 및 증폭기의 제어를 타고 시료에서 발생한 2차 전자에 따라 증폭하여 CRT에 보내게 된다.2. 전자선의 발생 원리전자총에서 전자를 생산하는 방법에는 두 가지가 있는데, 하나는 필라멘트를 고온으로 가열시켜서 필라멘트의 표면으로부터 자유전자가 진공 중으로 방출되도록 하는 법이고, 다른 하나는 고진공 중에서 필라멘트 표면에 고압의 전위차를 걸어주어 전자를 방출시키는 법이다. 앞의 것을 열전자라 하고, 후자를 전위차계전자(Field emission electron)라고 한다. 전자총은 광원으로 쓰이는 전자를 만들고 가속시키는 역할을 하고 전자선(electron ray)의 형태로 사용되는 안정된 전자원을 공급하게 되며, 이는 Richardson의 법칙을 따른다. 충분한 양의 2차 전자를 생산할 수 있을 만큼 많은 양의 1차 전자를 만들되, 자기렌즈에 의해서 작은 빔을 효과적으로 형성하도록 고안되어 있다. 텅스텐과 같은 금속을 높은 온도로 가열시키면, 표면의 원자에 구속되어 있던 전자들이 원자핵의 속박에서 벗어나 진공중으로 이탈된다. 양극은 주로 텅스텐으로 약 100마이크로미터의 직경의 선필라멘트로 끝이 V자 모양을 가진 머리핀 모양으로 구부러져 있다. 이 필라멘트는 전류로부터 직접 가열되고 작동중에 높은 전압(1 50kV)을 유지하게 된다.3.구 분SE(Secondary Electron)BSE(Backscattered Electron)에 너 지비교적 낮다.(약 50eV이하)매우 크다검 출 기125-250V의 바이어스가 걸린 검출기원통형태 대물렌즈 밑에 위치측정 정보상의 형태, 결정, 전기자기원소번호에 의존한 상분포상형성요인경사각,EDGE,가속전압,원자번호 등가속전압, Probe전류에 의한 입사전자강도특 징ㆍ같은 전자빔에서 원자번호가 클수록 전자의 세기는 커진다.ㆍ가속전압이 800V부근에서 가장 많은 2차 전자를 가지며 2kV이상에서는 점점 더 크기가 줄어든다.ㆍㆍ같은 전자빔에서 원자번호가 클수록 전자의 세기가 세진다.ㆍ시료의 표면에 의존하여 표면상태에 그다지 민감하지 못하고 비교적 정량적으로 취급할 수 있다.ㆍ탄성산란만으로 상을 만들며 해상도가 증대되어 표면에 민감하게 할 수도 있다.ㆍ장 점ㆍ전자들 중 분석능이 가장 좋아 넓게 이용된다.ㆍ넓은 분석방면에 이용된다.ㆍ휘도의차에 의해서 뚜렷한 상분포를 관찰할 수 있다.ㆍ구성원소의 평균원자번호에 의한 평균적인 분포로서 고휘도 경계에서도 관찰이 가능하다.단 점ㆍ조성구분을 뚜렷하게 할 수 없다(정량적인 분석이 어렵다.)ㆍ분석이 원자번호에 의존하므로 넓은 분석방법으로는 이용되지 못한다.SE(Secondary Electron)와 BSE(Backscattered Eletron)의 차이와 장단점4. 가속전압과 Image와의 관계가속전압이 높아지면 입사전자의 시료 중 침입이 깊어지고 확산영역이 커진다. 이러한 성질은 2차전자의 발생량에 큰 관계가 있다. 2차전자 방출량의 최대치는 이론상으로는 가속전압이 800V정도 일 때이며 이 가속전압을 사용하는 것이 이상적이나, 저 가속전압으로는 좋은 분해능을 얻기가 어려우므로 실제로는 5kV 30kV가 주로 사용되고 있다.가속전압에 의한 효과로는 다음과 같은 장단점이 있으므로 장치를 사용함에 있어서 그 시료에 따라 전압을 선택하는 것이 바람직하다.예를 들어 가속전압을 높이면 분해능은 좋아지지만 2차전자의 발생률은 나빠지고 대전이 늘어나며 엣지효과의 범위가 넓어지고, 경원소의 콘트라스트를 큰 폭으로 변화시키며 시료손상이 증가하는 등의 현상이 발생한다.또 이밖에 입사전자가 투과할 정도의 작은 입자의 시료일 때에는 그 입자의 밑면 상이 나타나기도 하고, 입자가 적층되어 있을 때에는 아래 입자의 상이 겹쳐 나타나는 등의 현상도 나타나는 등의 현상도 생긴다.가속전압과 Image 와의 관계가속전압(kV)2 310 15 20 2530분 해 능낮 다 높 다대 전적 다 많 다오염의 영향크 다 작 다외란의 영향크 다 작 다상 질부드럽다 딱딱하다무증착 관찰용이하다

공학/기술| 2002.05.31| 3페이지| 1,000원| 조회(2,339)

sem, 전자현미경, WDS, EDS, se와 bse

미리보기

닫기
[환경오염] 화석연료의 환경 오염 실태 평가A좋아요

Ⅱ. 화석연료가 지구환경에 미치는 영향1. 서 론환경오염은 보통 사람들이 우리의 건강과 행복을 해칠 만큼 많은 양을 만들어내는 어떤 것으로 정의된다. 오염에 의한 재해에 영향을 주는 두 가지 기본요소는 인구규모와 새로운 오염의 형태를 창출해 나가는 기술발전이다.인구가 적고, 단순한 생활 방식으로 살아가던 때, 쓰레기 발생은 생물적인 것이었고, 또 희박해서 쓰레기가 일상적인 오염문제를 일으키지는 않았다. 당시 인간들이 발생시킨 쓰레기는 미생물로 분해 가능한 물질이었고 그 물질은 더 간단한 화학성분으로 분해하는 유기체인분해자를 위한 먹이의 원천이었다.오염은 인간이 발생시킨 쓰레기들이 발생된 속도만큼 빠르게 분해될 수 없을 정도로 인구가 집중하면서 발생하였고 대량의 매연과 다른 형태의 대기오염 물질의 방출은 오염물질이 대기에 흡수 되고 분산될 수 있는 것보다 더 빠른 속도로 방출되었기 때문에 바람직하지 못한 상황을 야기했다. 일반적으로 우리는 우리 삶의 질 개선을 과학과 기술에 크게 의존하고 있다. 그러나 이러한 기술적 진보는 종종 한 가지 문제를 해결하는 과정에서 새로운 오염 형태를 창출시키는 단기 해법을 제공하게 된다.증기관의 개발은 기계로 인간의 노동력을 대체하게 했지만, 대기 중의 매연량과 다른 오염물질을 증가시킴과 동시에 연료수요를 증가시켰고 이러한 연료의 수요는 계속되어 오늘날 가지 이르고 있다. 환경오염 역시 그때부터 쌓이고 분해되어 나가며 오늘날에 이르게 되었다. 인류의 역사와 기술의 진보가 함께 해온 것과 같이 기술의 진보에 뒤따른 환경오염 역시 그 맥락을 같이 했다고 볼 수 있다. 여기서는 여러 가지 환경오염의 원인 중에서 산업혁명이후 급속도로 인류 문명을 발전시킨 그 원동력이라고 할 수 있는 화석연료의 생성, 그 실태와 그로 인한 오염에 대해 알아보도록 하겠다.2. 화석연료의 역사와 실태화석연료와 산업혁명 화석연료는 수백만 년 전의 동식물과 미생물의 잔해이다. 숲의 생명들이 저장된 태양광인 것처럼 이러한 연료 내에 있는 에너지는 저장된 태양광이다으나, 이러한 자원은 최근까지도 개발되지 않은 채로 있었다. 초기 석유 시추자인 드레이크가 1859년 펜실베니아에서 시공한 유정은, 세계의 첫 유정은 아니었지만, 이것은 근대 석유시대의 효시가 되었다. 1870년 미국의 석유생산량은 연간 4백만 배럴을 넘어섰고, 이것은 국가 에너지 수요량의 1%를 차지했다. 1970년에는 전체 수요량의 50%로 성장하였고 최근에는 40%를 조금 웃돌고 있다.초기 60년간 석유의 주된 용도는 램프 연료인 등유를 제조하는 것이었다. 이 당시 생산된 휘발유는 폐기물로 버려졌다. 이 기간 동안 석유의 공급은 수요를 초과하였다. 그러나 자동차는 극적으로 수요량을 증가시켰다. 1900년에 미국은 8000대의 자동차를 보유하였다. 1920년에 자동차 보유대수는 800만대로 증가하였고, 1998년에는 1억 6천만대에 이르렀다. 더 많은 석유가 자동차와 윤활유를 제조하기 위해 필요하였다.천연가스의 사용은 석유의 사용만큼 급속하게 증가하지는 않았다. 그것은 주로 가정용 난방에 사용되었다. 1900년대 초에 천연가스의 90%는 유정에서 폐기물로 태워졌다. 미국정부가 연루된 일련의 사건들과 더 많은 석유의 수요는 궁극적으로 미국 내 천연가스의 사용을 증가시켰다. 세계 2차대전은 제조와 수송에 있어 에너지 수요를 증대시켰다. 1943년 미국 내에서는 석유를 수송하기 위해(연방재정으로) 수송관을 건설하였다. 2000Km의 수송관은 텍사스와 루이지애나, 오클라호마의 유전으로부터 동부지역에 있는 정유 공장과 제조업 공장으로 석유를 더 효율적으로 운반하였다. 1944년에는 더 긴 2400Km 수송관이 연방재정으로 건설되었고, 이것은 미국 내 동부와 중서부 지역으로의 석유 수송을 증가시켰다. 전쟁 이후, 연방 정부는 이 수송관을 사기업에 매각시켰다. 사기업들은 이것을 천연가스 수송관으로 전환했다. 이로서 남서부에 위치한 천연가스 유전과 중서부와 동부에 있는 시장 사이에 직통 수송관이 만들어 졌다. 1971년까지 미국 내에는 98만 6천Km의 분배용 관과 40연료인 석유, 천연가스, 석탄의 사용이 약 90%를 차지한다. 전 세계 에너지의 절반 이상이 공업 선진국의 회원국인 OECD 25개국에 의해 소비된다. 이 국가들은(호주, 뉴질랜드, 일본, 캐나다, 멕시코, 미국, 유럽국가들 ) 세계의 선진국들이다. 지난 10년간 OECD 가입국에서 사용한 일인당 에너지 소비량은 완만하게 증가한 반면에 경제 성장은 계속되었다. OECD 가입국에서는 서비스 기반 경제로의 이행이 또한 있었고, 반면에 비 OECD 가입국에서는 에너지 집약적인 사업으로 이행되고 있다. 이와는 대조적으로 경제적으로 진보하고 있는 국가들은 에너지 소비가 매우 빠른 비율로 증가하고 있다.석유는 세계의 에너지 주요 자원으로 에너지 수요의 약 39%를 차지하고 있다. 석탄은 24&, 천연가스는 27%를 차지하고 있다. 나머지는 주로 핵에너지와 수력에 의해 공급된다.1차 석유파동이 있었던 1973년 이래 다른 화석연료에 대한 수요보다도 천연가스의 수요가 급증하였다. 1973년에서 1995년까지, 천연가스의 소비량은 80% 가량이나 증가했고 석탄의 소비는 약 40%, 석유소비는 15% 증가했다. 1950년 이래 북아메리카에서의 에너지 소비는 꾸준히 증가했다. 그러나 감소의 두 시기가 있었는데 각각 1973년과 1979년이었다. 이러한 두 사건 모두 OPEC 영향력의 증가와 중동에서 일어난 정치적 혼란의 결과였다.에너지 소비에 있어서 서유럽과 일본, 오스트레일리아에서도 비슷한 경향이 있었고 이로 인해 세계의 성장은 둔화되었다. 몇몇 인자들은 이러한 에너지 소비에의 감소에 공헌하였다. 석유와 다른 형태의 에너지에 대한 가격인상은 기업과 개인이 자각하게 하고 에너지 보존을 위한 노력을 늘리게 하였다. 에너지 사용을 결정하는 중요한 두 가지 인자는 석유를 공급하는 세계의 편에서의 정치적 안정과 그 석유의 가격이다.산업화된 국가에서 가장 일반적으로 사용하는 에너지원은 화석연료이다. 앞서 말한 바와 같이 세계 에너지 교역량의 약 90%는 석유, 석탄, 천연가스가 차지하고 오염을야기하는 높은 농도의 황성분을 함유하고 있기 때문이다.(2) 석 유석유의 모든 정제과정은 우연이든 관례이든 대기 및 수질오염을 일으키는 계기가 된다. 석유화학산업은 대기오염의 주범이다.석유생산과정에서의 증발과 석유의 불완전연소는 대기를 오염시킨다.(3) 천연가스천연가스는 3가지 화석연료 중 환경을 가장 덜 파괴한다. 국지적인 악취가 있기는 하지만 유전은 적은양의 폐기물도 배출하지 않는다. 폭발이나 화재의 위험성을 제외 하고는 수송 중 환경 피해 또한 적다. 또한 완전 연소하기 때문에 거의 대기 오염을 야기하지 않는다.5. 화석연료에서 나오는 1차 대기오염 물질1차 대기오염물질과 오염원일산화탄소화석연료의 불완전 연소담배연기탄화수소화석연료의 불완전 연소담배연기화학물질분 진화석연료의 연소농기계 운전건설기계 운전산업 폐기물건축물 파괴이산화황화석연료의 연소광석용해질소화합물화석연료의 연소(1) 이산화탄소(CO)일산화탄소는 휘발유, 석탄, 목재, 쓰레기 같은 유기물질들이 불완전 연소될 때 생성된다. 0.001% 의 일산화탄소 가 포함된 대기에 수 시간 노출되면 죽음에 이를 수 있다. 그 이유는 일산화탄소는 장시간 체내의 헤모글로빈에 착상되어 아주 작은 양이라도 축적되면 혈액이 산소를 운반하는 것을 감소시키기 때문이다. 교통정체현상에서 발생되는 일산화탄소는 두통과 구토, 시정장애 등을 유발시킨다. 다행이도 일산화탄소는 지속적인 물질이 아니라는 것이다. 자정작용에 의해 일산화탄소는 무해한 화합물로 변하지만 지속적인 불완전 연소로 새로운 일산화탄소가 계속 들어온다면 해로울 수 있다.아래의 그림은 이산화탄소의 연별 변화 추이를 나타낸다(2) 탄화수소(CH)탄화수소는 탄소와 수소가 결합한 유기화합물이다. 그것들은 연료 공급 장치로부터 확산되거나 화석연료의 불완전 연소된 연료 성분들이다. 대기 중의 탄화수소는 그렇게 큰 문제는 아니다. 대부분의 비가 내릴 때 수면으로 씻겨 내려가서 수소 면에서 기름 층을 형성하지만, 탄화수소는 다른 반응을 통해 이차오염을 일으키지 않는 이상 특외선과 질소산화물의 반응에서 유발되는 오염물질의 혼합체이다. 이것들은 반응하면 다른 화합물과 쉽게 반응하여 생물체에 파괴적인 변화를 일으킬 수 있다.이러한 스모그 현상은 대기오염이 본격화되기 시작한 산업혁명이후 석탄이 가장 중요한 에너지원이 되고 그 사용량이 급속도로 증가하면서부터였다. 산업혁명이 가장 먼저 시작된 영국에서는 1870년대에 벌써 대기오염문제 가운데 스모그로 인한 사건이 발생하기 시작하여 1880년 2월 런던에서는 1천여 명이 사망하는 런던 스모그 사건이 발생했다. 이후 서구의 산업화가 급속도로 진행된 20세기 중반에 이르면서 스모그로 인한 피해가 전 세계적으로 나타나기 시작했다.(2) 산성침적산성침적이란 지표에 잠재적인 산 형성 물질이 축적 되는 것을 말한다. 산성물질은 식물, 화산, 그리고 번개와 같은 자연적인 원인과 화석연소 그리고 내연기관과 같은 인간 활동에서 빚어진다.이러한 연소 공정은 이산화황과 질소 산화물을 생성한다. 오존, 수산기 이온 또는 과산화수소와 같은 산화제는 물과 함께 이산화황 또는 일산화질소를 황산 또는 질산으로 변환시키는 데 필요한 것이다. 다양한 반응성 탄화수소는 산화제의 생성을 촉진시킨다.산 생성 반응은 대기에서 발생하여 강우의 형태 : 산성 비, 산성 눈, 또는 산성 이슬로 지면에 떨어진다.산성비는 여러 가지 방법으로 피해를 끼칠 수 있다. 건물과 조각 작품은 보통 탄산칼슘이 함유된 재료로 만들어 지는데 그것은 탄산칼슘이 부드럽고 작업하기가 쉽기 때문이다. 산성비의 주요한 구성요소인 황산은 탄산칼슘을 황산칼슘으로 변환시킨다. 이것은 용해성이 높아 산성비와 접촉하여 수년간에 걸쳐 부식된다.금속표면 또한 산성비에 부식될 수 있다. 생태계에서 산성비에 의한 피해는 수를 헤아릴 수 없을 정도로 많다. 제련소 주위의 이산화황의 오염은 수많은 수목과 다른 식물들을 사멸시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 이것은 극단적인 경우이므로, 그보다 약한 산성비와 직접 비교할 수는 없다. 그러나 세계 여러 곳에서 산성비는 많은 산림을 죽 있다.

공학/기술| 2002.05.31| 12페이지| 1,000원| 조회(2,263)

환경오염, 지구환경, 화석연료, 화석연료와 환경

미리보기

닫기
[재료강도] 비커스 경도계를 이용한 파괴인성 측정 평가D별로예요

■ Vickers 경도계를 이용한 파괴인성 측정 ■1. 경도 시험의 목적일반적으로 재료의 작은 부분에 힘을 가하여 변형시킬 때, 재료가 나타내는 저항력이라고 나타낸다. 저항력이 큰, 즉 딱딱한 재료는 강도와 내마모성이 크고, 신율과 단면 수축율이 작으므로 그 기계적 성질도 추측할 수 있다.. 측정방법은 사용목적, 시료편의 재질 등에 따라 여려 가지 종류가 있기 때문에, 경도는 「-식 경도」로 나타내며 그 각각의 경도에는 많은 경우, 이론적인 연관성이 없고 단위도 붙이지 않는다. 경도라는 용어에 대한 보통 설명은 압입저항, 마모저항, 반발저항 등으로 표시한다.1) 압입경도 시험(indentation test)정적하중이 보올(ball), 원추, 피라미드(pyramid), 쐐기(wedge) 등과 같은 압입체에 작용한다. 하중을 각종 시험기 또는 하중장치를 통하여 작용케 할 수 있으나, 특수 시험기인 경도시험기가 사용된다. 경도시험에서는 압입체가 만든 면적, 표면적, 깊이 혹은 체적 등이 측정되고, 또한 지시된 하중 및 특성 된 압입자국으로부터 경도치가 계산된다. 이 방식을 이용한 것에는 다음과 같은 것이 있다.① 브리넬 경도계, ② 로크웰 경도계, ③ 비커스경도계, ④ 마이어 경도계■ 재료의 파괴인성을 구하는 실험방법압침 방법 (indentation method)노치 빔 방법 (notched beam method)이중 외팔보 방법 (double cantilever beam method)이중 비틀림 방법 (double torsion method)선균열도입방법 (single edge precracked beam method, SEPB법)SCF(surface crack in flexure)SEVNB(single edge V-notched beam)2. SEPB법을 이용한 파괴인성 측정(1) SEPB법의 장점①형태가 가지런한 균열을 비교적 용이하게 도입할 수 있다.②시편 형상이 단순하고 파괴 역학적 해석의 정밀도가 높다.③측정이 용이한 꺾임방식이다.④꺾임강도 시험(KS L1591)의 시편 및 꺾임파괴 시험후의 파편을 이용할 수 있다.⑤측정치의 재현성이 좋고 측정자에 따른 편차도 적다.(2) SEPB법의 단점선균열이 기울어져 진행되었거나 선균열전선이 현저하게 기울어지면 타당한 파괴인성값을 얻을 수 없으므로 양호한 선균열을 도입하기 위해서는 세심한 주의가 필요하다.3. 선균열 발생기점의 도입선균열 발생기점의 도입은 시험편의 인장면에 비커스 경도기로 한 개 또는 세 개의 압입자국 을 만들거나 또는 다이아몬드 블레이드로 놋치를 만드는 방법을 사용한다.선균열 발생기 점의 도입조건(1)기점도입위치: 시험편의 한끝에서 9 0.1㎜ 또는 18 0.1㎜(2)기점도입정밀도: 시험편과 수직으로 2(3)기점도입 방법① 비커스(누프) 압흔의 경우-압자 압입수: 1점(두께방향의 중심위치) 또는 3점(두께 B의 4분할 위치에 3점)-압자 압입방향: 압흔의 대각선이 시험편 길이 방향에 직교-압자 인가하중: 10㎏f (98 N)② 놋치의 경우-놋치 형상: 직선 놋치-놋치의 폭: 0.2㎜ 이하-놋치의 깊이: 0.5 0.1㎜ (0.6㎜ 깊이 이상의 놋치는 pop-in 균열이 발생하지 않는 경우가 있음)-놋치선단의 형상: 특별히 규정하지 않음(4)선균열 도입선균열 도입치구는 압자(pusher), 앤빌(anvil) 및 위치 결정용 자(setting jig)로 구성되어 있으며, 치구의 내압 한계는 6000㎏f이다. 6000㎏f 이상의 과부하를 가하면 앤빌에 오목 부가 생기는 경우가 있으므로, 가능한한 5000㎏f 이하의 하중을 가하는 것이 좋다. 통상 세라믹스 의 선균열 발생 하중은 5000㎏f 이하이다.치구의 앤빌은 양면 모두 이용할 수 있는 3㎜와 6 ㎜, 4 ㎜와 5 ㎜의 2종류로 준비하여, 재료 및 선균열의 발생기점의 종류에 따라 선균열 길이의 허용범위에 적합한 선균열이 도입되도록 구폭을 시험자가 선택하는 것이 바람직하다. 이 때 시험편은 선균열 발생기점 위치가 앤빌의 중앙에서 0.1 ㎜ 이내가 되도록 위치 결정용 자를 사용하여 치구에 팅하여야 하며, 셋팅 전에는 시험편 및 치구를 아세톤 등으로 세척하는 것이 바람직하다. 압축하중 속도는 특별히 필요는 없으나, 하중속도가 지나치게 느리면 균열이 안정성장하는 경우 가 있기 때문에 30㎏f/s 이상이 바람직하다. 균열은 가교압축(bridge compression)에 이한 pop-in 균열로서 음향센서를 사용하여 pop-in 균열의 발생음을 검출하는 것이 좋다. pop-in 균열도입 후 다시 부하를 계속하면 pop-in 균열선단으로부터 안정균열성장이 생긴다. 이 안정성장한 균열 을 선균열로 사용하면, 측정값은 R곡선에 따라 과대평가되는 경우가 있으므로 주의가 필요하다. pop-in 균열이 진전하기 어려운 고인성 재료의 경우 시험편 윗면과 압축지그 아랫면 사이에 알루 미늄 호일을 깔고 압축하면 균열이 진전하는 수가 있으며, 꺾임시험 후의 균열길이 측정이 용이 하도록 미리 꺽임 시험 전에 염료를 침투시켜 선균열을 염색하여 두는 것이 바람직하다 .

공학/기술| 2002.05.31| 3페이지| 1,000원| 조회(2,388)

강도, 파괴인성, vickers, 비커스, 경도계

미리보기

닫기
[반도체] si 반도체 평가B괜찮아요

1. 반도체 기판으로 사용되는 재료와 실리콘이 많이 사용되는 이유?1-1 일반적인 반도체 재료로서의 Si가장 많이 쓰이는 반도체 재료로서는 실리콘 (Si) 게르마늄 (Ge), 갈륨 인(GaP) , 갈륨비소(GaAs) 등이 있다. 실리콘은 지구상에 가장 많이 있어 얻기 쉬운 이유도 있지만 그 보다 더 중요한 것이 실리콘의 산화물인 이산화탄소가 안정적인 성질로 보호막으로서 최적이다.초기에 게르마늄을 써서 이루어졌던 반도체 공정은 천연 산화 실리콘의 발견과 그 장점으로 인해 점차 실리콘으로 비중이 커져갔다. 산회 실리콘의 발견은 평면 기술을 써서 패턴을 형성하게 했다. 실리콘은 게르마늄보다 융점이 높아 고온 공정이 가능해서 확산 시간이 얼마 들지 않는다. 또한 산화 규소는 실리콘 표면의 오염을 막아주고 고온 공정이 가능해서 확산시간이 얼마 들지 않는다. 또한 산화규소는 실리콘 표면의 오염을 막아주고, 표면 누전 전류를 최소화 시킨다. 산화 실리콘은 모든 실리콘 도펀트를 막기 때문에 실리콘 표면에 정확한 선택적 도핑을 시킬 수 있다. 반도체 재료간의 물리적, 화학적 성질의 비교GeSiGeAsSiO2원자량72.628.09144.6360.08(원자, 분자) /cm24.42x10225.00x10222.21x10222.3x1022결정구조다이아몬드다이아몬드징크블렌드비정질유닛셀당 원자수888-단위5.322.335.652.27에너지 갭0.671.111.408유전율16.311.712.03.9융점9*************0항복전장83035600선형 열팽창 계수5.8x10-62.5x10-65.9x10-60.5x10-61-2 기판으로 Si를 사용할 경우의 장점① Si 전자소자를 집적할 수 있고,② Si 산화막을 도파로 바닥 층으로 이용할 수 있고,③ 광회로 칩에 광섬유를 부착할 때 또는 다른 광소자들을 광회로 칩에 hybrid 집적할 때 Si의 비등방성 V-groove 식각을 이용한 정밀 가공을 할 수 있다.④ 광회로 칩에 반도체레이저를 Hybrid 패키징 할 때 열전도가 큰 Si를 heat sink로 쓸 수 있다.⑤ Si는 저렴하고 고품질이고 결정성 기판으로 고온공정이 가능하다.2. Si-Wafer는 단결정을 사용한다. 그 이유는?Si 원자의 결정구조는 입방정계에 속하며 두 개의 fcc격자가 겹친 다이아몬드 구조를 하고 있다. 다이몬드 구조는 2개의 fcc가 겹쳐져 있다고 볼 수 있으며 두 번째 fcc격자는 첫 번째로부터 (1/4,1/4,1/4) 떨어져 있다. 단쥐정의 원자의 수는 두 개의 fcc가 겹침으로 8개이며 Si의 격자상수는 5.43 , 밀도는 5.00x1022가 된다. 단결정 Si의 경우 결정의 기계적, 물리적, 화학적 및 전기적인 특성이 결정방위에 따라 크게 영향을 받는다. 다음은 결정 방위에 따른 Si의 기초적인 물성을 나타낸다. Si 결정면의 기초 물성PropertiesOrientation100110111Spacing( )5.433.843.13Young's modulus(dyn/cm2)101.31.71.9Surface energy(J/m2)112.131.511.23Atomic density(1014/cm2)6.789.5915.66Available bond density(1014/cm2)126.789.5911.76실리콘은 그의 산화물과 함께 몇 가지 공정 및 소자구조상의 장점을 지니고 있다. 실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은 지각의 ⅓정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며 따라서 반도체산업에 매우 안정적으로 공급될 수 있는 재료일 뿐만 아니라 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이다. 또한, 위 표1,2 에서 보는 바와 같이 실리콘으로 만들어진 실리콘 웨이퍼는 넓은 Energy Band gap(1.11eV)을 가지고 있기 때문에 비교적 고온(약 200 정도까지)에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있다.

공학/기술| 2002.05.31| 2페이지| 1,000원| 조회(1,258)

반도체, 반도체 재료, si 단결정, si반도체, 실리콘 반도체

미리보기

닫기