1. 이상적이란 단어가 디바이스나 시스템에서 적용될 때 어떤 의미로 사용되는지 설명하라.{각종 디바이스나 시스템은 ideal한 성격을 가지고 있다.그러면 두 개의 터미널을 갖고있는 디바이스라 생각할 수 있는 다이오드를 예로 들어 본다. ideal한 다이오드에 양의 전압 즉, forward bias를 걸어주면 다이오드는 전류는 흐 르지만 전압이 없는 short circuit으로 볼 수 있고, 음의 전압 즉, reverse bias를 걸어주 면 다이오드에는 전위차가 존재하지만 전류는 흐르지 않는 open cuircuit으로 볼 수 있 다. 하지만, 실제 다이오드는 고유의 특성과 한계가 있기 때문에 이상적인 다이오드와는 다른 값이 나온다. 다이오드뿐만 아니라 각종 디바이스나 시스템의 ideal한 성격을 적 용 시킨다면 그 의미는 실제 디바이스나 시스템의 고유 특성과 한계는 없다고 보고 그 것들과 관계된 수식이나 결과 값을 얻는 것이라고 할 수 있다.4. 반도체, 고유저항, 벌크저항, 옴성 접촉저항을 정의하라.{반도체 → 간략하게 정의해 보겠다. 물질에는 전기적 성질에 따라 전류가 흐르기 쉬운 도체(양도체)나 흐르기 어려운 성질을 가진 부도체(절연체)가 있다. 반도체란 도체와 절연체의 중간 성질을 가진 물질을 말한다. 즉, 도체처럼 전류가 흐르기 쉽지도 않고 부도체처럼 전류가 흐르기 어려운 것도 아니다. 이와 같은 특유한 성질을 가진 물질을 반도체라 할 수 있다. 다시 말하면 하나의 물질로 외부 조건을 바꿈으로써 그 성질이 크게 변하는 물질이라고도 할 수 있겠다.벌크저항 → 다이오드는 그 주 재료에 따른 차단 전압에 따라 작동이 되기도 하고 그렇 지 않기도 한다. 그렇다면 다이오드는 저항과 스위치가 있는 하나의 등가회로로 만들어 줄 수 있는데, 이때의 다이오드 안에 있는 저항을 벌크저항이라고 한다.9. {3V의 전위차에 의해 {6C의 전하가 움직이는데 필요한 에너지는 몇 {J인가?{어떤 구간에 전위차가 있고 그 구간내에서 전하를 움직이게 하는 에너지는 퍼텐셜 에너 지 이다. {DELTA PE = Q DELTA V퍼텐셜 에너지의 변화는 전위차에 전하를 곱해주면 쉽 게 알 수 있다.따라서 {DELTA PE = Q DELTA V{DELTA PE =6 TIMES 3= 18J이 된다.12. n-type과 p-type 반도체 재료 사이의 차이를 설명하라.{반도체에는 주재료로 게르마늄(Ge)와 실리콘(Si)을 사용한게 있다. 그런데 요즘은 실리 콘(Si)이 가격도 저렴하고 열에 더 잘 견디기 때문에 더 많이 쓰인다. 이런 실리콘(Si0 을 주재료로 하여 만든 반체를 가지고 n-type과 p-type 반도체에 들어가는 재료의 차 이를 설명해 보겠다.n-type 반도체: 진성반도체인 실리콘(Si)조직에 5가원소인 {{ S}_{b }, { A}_{s }, P를 넣어주면 전 자 수가 하나 더 증가하게 되어 반도체의 도전율도 더 증가한다. 이런 실리콘 조직에 5가 불순물 전자를 주입하여 n-type 반도체를 만드는데 이러한 불순물을 Donor라고 한다.p-type 반도체: 실리콘 조직에 3가 원소 {{ G}_{a }, { I}_{n }, { A}_{l }, B를 첨가해 주면 실리콘 조직 에는 정공이 하나 남게 되어 n-type 반도체와 마찬가지로 도전율이 증가하게 된다. 이 렇게 4가 진성반도체에 미량의 3가 불순물을 가해여 p-type 반도체를 만들 수 있는데 이때의 불순물을 Accepter라 한다.따라서 두 형태의 반도체 주재료는 똑 같으나 그 특징을 변화시키는 불순물이 틀리다.p-type 반도체는 3가 원소 {{ G}_{a }, { I}_{n }, { A}_{l }, B을 넣어주고, n-type 반도체는 5가원소 인 {{ S}_{b }, { A}_{s }, P을 넣어주는 차이점이 있다.18. p-n접합 다이오드에서 순방향과 역방향 바이어스 상태는 어떤 상태이고, 그때의 상태가 전류에 미치는 영향을 설명하라.{먼저 순방향과 역방향 바이어스를 설명하기 전에 p-type반도체와 n-type반도체를 접 합 다이오드에 대해 설명하겠다. p-type반도체와 n-type반도체를 접합시키게 되면 각 다이오드에서는 전자들이 활발하게 교환을 하게 된다. 그런 반복이 계속 되면 두 다이 오드는 중성 상태를 띄게 되어 두 다이오드에서의 전자 교환은 더 이상 이뤄지지 않 고 접합 다이오드는 중성 상태를 띄게 된다. 이렇게 접합된 다이오드의 극성은 p-type 쪽은 +가 되고, n-type쪽은 -가 된다.이렇게 생성된 접합 다이오드에 전압을 걸어주어 접합다이오드가 순방향 바이어스와역방향 바이어스로 설정되는 조건과 이런 현상들이 전류에 어떤 영향을 미치는지 설명 하여 보겠다.*순방향 바이어스(forward bias)다이오드에 소스 전압을 +로 준다고 하자. 그러면 접합 다이오드에는 두 형태의 다이 오드가 접합된 부분에 생긴 depletion legion에 있는 전계 때문에 전류가 미세하게 흐 른다. 하지만 그 전위 장벽을 넘는 전압을 걸어준다면 p쪽의 정공이 n쪽으로 통과 하 기 때문에 전류는 갑자기 많은 양이 흐르게 된다.
